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龍圖騰網獲悉中芯北方集成電路制造(北京)有限公司申請的專利轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113903721B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010571641.8，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構是由蔡巧明;楊列勇;陳煒;盧小雨設計研發完成，并于2020-06-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構在說明書摘要公布了：一種轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構，轉接板的形成方法包括：提供基底，包括互連區和電容區，基底包括相背的正面和背面；對基底的正面進行刻蝕，在互連區的基底中形成第一溝槽、以及在電容區的基底中形成第二溝槽；在第二溝槽中形成電容器；刻蝕第一溝槽下方的部分厚度基底，形成導電通孔；在導電通孔中形成通孔互連結構；對基底的背面進行減薄處理，露出通孔互連結構。本發明實施例還在轉接板中形成電容器，從而將形成電容器和形成轉接板的工藝相整合，省去了額外進行形成電容器的步驟，有利于節約工序、提高工藝整合度，進而降低工藝成本、縮短生產周期，而且還提高轉接板的功能多樣性，從而使轉接板的應用場景多樣化。

本發明授權轉接板及其形成方法、封裝方法以及封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種轉接板的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成通孔互連結構的互連區、以及用于形成電容器的電容區，基底包括相背的正面和背面； 對所述基底的正面進行刻蝕，在所述互連區的基底中形成第一溝槽、以及在所述電容區的基底中形成第二溝槽，所述第一溝槽的開口尺寸大于所述第二溝槽的開口尺寸； 在所述第二溝槽中形成電容器，所述電容器包括位于第二溝槽的側壁和底部上的第一電極、位于第一電極上的電容介質層以及位于電容介質層上的第二電極，第二電極填充所述第二溝槽；形成所述電容器的步驟中，所述電容器還形成于所述第一溝槽的側壁和底面，其中，所述電容器位于第一溝槽側壁的部分作為電容側部，所述電容器位于第一溝槽底面的部分作為電容底部； 形成所述電容器后，刻蝕所述第一溝槽下方的部分厚度的所述基底，在基底中形成凹槽，所述凹槽與所述第一溝槽構成導電通孔；形成所述凹槽的步驟包括：去除所述電容側部露出的電容底部，露出所述第一溝槽的部分底面；刻蝕所述電容側部露出的第一溝槽下方的部分厚度基底，形成所述凹槽； 在所述導電通孔中形成通孔互連結構，所述通孔互連結構包括靠近基底正面的第二部分，所述電容器還位于所述第二部分的側壁與所述基底之間；所述通孔互連結構還包括靠近基底背面且與第二部分相連的第一部分； 對所述基底的背面進行減薄處理，使所述基底的背面露出通孔互連結構。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區文昌大道18號9幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。