中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司林熙獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112242347B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：201910649548.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由林熙;王勝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-07-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底；在所述襯底表面形成停止層；在所述停止層表面形成介電層；在所述介電層內(nèi)形成第一開口，所述第一開口暴露出所述停止層表面；對所述第一開口底部的停止層進(jìn)行改性處理，形成改性層；去除所述改性層，形成第二開口，所述第二開口暴露出所述襯底表面。所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能得到提高。
本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在所述襯底表面形成停止層； 在所述停止層表面形成介電層； 在所述介電層內(nèi)形成第一開口，所述第一開口暴露出所述停止層表面； 對所述第一開口底部的停止層進(jìn)行改性處理，形成改性層，所述改性層由所述停止層經(jīng)過化學(xué)反應(yīng)形成； 采用濕法刻蝕工藝去除所述改性層，形成第二開口，所述第二開口暴露出所述襯底表面，所述改性層與所述停止層具有較大的刻蝕選擇比，所述改性層與所述介電層具有較大的刻蝕選擇比。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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