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龍圖騰網(wǎng)獲悉北京有色金屬研究總院申請的專利基于納米片堆疊結構的生化傳感器及其制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN109950157B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201711398837.6，技術領域涉及：H01L21/56；該發(fā)明授權基于納米片堆疊結構的生化傳感器及其制作方法是由張青竹;屠海令;魏峰;趙鴻濱;杜軍設計研發(fā)完成，并于2017-12-21向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本基于納米片堆疊結構的生化傳感器及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于納米片堆疊結構的生化傳感器及其制作方法。該生化傳感器包括：SOI襯底、通過選擇性刻蝕由犧牲層敏感材料層構成的多堆疊層而形成的具有敏感材料的多層懸空堆疊結構、形成在多層懸空堆疊結構上的陽電極和陰電極、附著在多層懸空堆疊結構表面的以活性基團結尾的活性薄膜；生化傳感器工作時，陽電極、陰電極分別與可調電壓源的正極以及電流表的負極相連，可調電壓源的負極與電流表的正極相連。其制作方法包括：清洗硅片；生長犧牲層敏感材料層的多堆疊層；圖形化多堆疊層；制作電極；選擇性刻蝕多堆疊層中的犧牲層部分；活性試劑修飾。本發(fā)明的生化傳感器成本低、靈敏度和精度高；本發(fā)明能夠高效、低成本地批量制造生化傳感器。

本發(fā)明授權基于納米片堆疊結構的生化傳感器及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于納米片堆疊結構的生化傳感器，其特征在于，包括：SOI襯底、通過選擇性刻蝕由犧牲層敏感材料層構成的多堆疊層而形成的具有敏感材料的多層懸空堆疊結構、形成在多層懸空堆疊結構上的陽電極和陰電極、附著在多層懸空堆疊結構表面的以活性基團結尾的活性薄膜，各犧牲層、敏感材料層的厚度分別為10nm-10μm；所述敏感材料層為銀導電薄膜材料；所述活性薄膜為3-（2,3環(huán)氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷或戊二醛，所形成的活性基團為氨基、羧基或醛基；該生化傳感器工作時，陽電極、陰電極分別與可調電壓源的正極以及電流表的負極相連，可調電壓源的負極與電流表的正極相連； 所述陽電極以及陰電極采用鉻金、鈦金、鈀金或鈦鉑電極材料制作，其中，鉻、鈦、鈀粘附層材料的厚度為5nm-30nm，金、鉑導電層的厚度為10nm-1μm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人北京有色金屬研究總院，其通訊地址為：100088 北京市西城區(qū)新街口外大街2號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。