英特爾公司李圭伍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉英特爾公司申請的專利具有嵌入式互連的半導體封裝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111052364B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201780094403.9，技術領域涉及：H01L23/522；該發明授權具有嵌入式互連的半導體封裝是由李圭伍;D.塞內維拉特涅;R.T.埃盧里設計研發完成，并于2017-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有嵌入式互連的半導體封裝在說明書摘要公布了：一種半導體封裝可以包括半導體封裝第一側、嵌入式橋互連、第一通孔和第二通孔。橋互連可以包括具有導電焊盤的橋互連第一側和橋互連第二側。橋互連第一側與半導體封裝第一側之間的距離可以小于橋互連第二側與半導體封裝第一側之間的距離。第一和第二通孔可以各自包括比第二端窄的第一端。半導體封裝第一側可以比第一通孔的第二端更靠近第一通孔的第一端，并且比第二通孔的第一端更靠近第二通孔的第二端。所述半導體封裝的第一側可以被配置成電耦合到管芯。
本發明授權具有嵌入式互連的半導體封裝在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝，包括： 半導體封裝第一側，其中半導體封裝第一側的至少第一部分具有與犧牲芯的表面輪廓互補的輪廓； 與半導體封裝第一側相對的半導體封裝第二側； 嵌入在第一堆積材料中的互連； 延伸通過第一堆積材料的第一通孔，第一通孔包括比第一通孔的第二端窄的第一端，其中第一通孔的第一端與半導體封裝第一側之間的距離小于第一通孔的第二端與半導體封裝第一側之間的距離，其中第一通孔是在移除犧牲芯之前形成的；以及 延伸通過第二堆積材料的第二通孔，第二通孔包括比第二通孔的第二端窄的第一端，其中第二通孔的第二端與半導體封裝第一側之間的距離小于第二通孔的第一端與半導體封裝第一側之間的距離，其中第二通孔是在移除犧牲芯之后形成的。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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