天津工業(yè)大學(xué);天津工業(yè)大學(xué)紹興柯橋研究院王亮獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉天津工業(yè)大學(xué);天津工業(yè)大學(xué)紹興柯橋研究院申請(qǐng)的專利一種Pd/P-MoS2/NF電極及其制備方法和應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120272952B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510764904.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C25B11/075；該發(fā)明授權(quán)一種Pd/P-MoS2/NF電極及其制備方法和應(yīng)用是由王亮;張朝暉;李君敬;趙斌;尹孟華設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-10向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種Pd/P-MoS2/NF電極及其制備方法和應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種PdP?MoS2NF電極及其制備方法和應(yīng)用，PdP?MoS2NF電極的制備方法包括如下步驟：采用水熱法制備納米花狀MoS2NF電極；采用煅燒法將磷源與納米花狀MoS2NF電極摻雜得到富缺陷P?MoS2NF電極；采用電沉積法將鈀元素負(fù)載于富缺陷P?MoS2NF電極中得到富缺陷P?MoS2NF載鈀電極。本發(fā)明利用雜原子摻雜和缺陷工程的協(xié)同作用，引入了具有豐富活性位點(diǎn)的納米花狀結(jié)構(gòu)的P?MoS2作為PdNPs附著位點(diǎn)，以獲得更佳的電極陰極材料，實(shí)現(xiàn)降低成本的同時(shí)提升效果。
本發(fā)明授權(quán)一種Pd/P-MoS2/NF電極及其制備方法和應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種PdP-MoS2NF電極的制備方法，其特征在于：包括如下步驟： 步驟S1：采用水熱法制備納米花狀MoS2NF電極； 步驟S2：采用煅燒法將磷源與納米花狀MoS2NF電極摻雜得到富缺陷P-MoS2NF電極； 步驟S3：采用電沉積法將鈀元素負(fù)載于富缺陷P-MoS2NF電極中得到富缺陷P-MoS2NF載鈀電極； 所述磷源與納米花狀MoS2NF電極的摩爾比為（1-2.3）：3.3。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人天津工業(yè)大學(xué);天津工業(yè)大學(xué)紹興柯橋研究院，其通訊地址為：300387 天津市西青區(qū)賓水西道399號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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