中芯北方集成電路制造(北京)有限公司蔡巧明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯北方集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114497211B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011148796.7，技術領域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權半導體結構及其形成方法是由蔡巧明設計研發(fā)完成，并于2020-10-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)；在所述第一區(qū)上形成第一柵極；在所述第一柵極上形成兩個以上的第二柵極結構，所述第二柵極結構包括第二柵極，所述第二柵極和第一柵極的材料不同，所述第二柵極結構位于所述第一柵極上部，用于保護所述第一柵極，在機械化學研磨的過程中，不容易產生“凹陷”缺陷，達到改善所述第一柵極結構完整性的目的，從而得到性能更優(yōu)化的柵極結構。
本發(fā)明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 襯底，所述襯底包括第一區(qū)； 位于所述第一區(qū)上的第一柵極； 位于部分所述第一柵極上的兩個以上的第二柵極結構，所述第二柵極結構包括第二柵極，所述第二柵極和第一柵極的材料不同； 位于所述第一柵極表面的改性層，所述改性層位于所述第二柵極結構之間； 位于所述改性層表面的導電插塞。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中芯北方集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)北京經濟技術開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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