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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114730813B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980102369.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法是由程凱;張麗旸設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1的制作方法，包括：先提供襯底10，襯底10包括若干器件區(qū)10a以及環(huán)繞每一器件區(qū)10a的外圍區(qū)10b；接著在各個器件區(qū)10a上形成犧牲層11，在犧牲層11以及未覆蓋犧牲層11的襯底10上形成半導(dǎo)體有源層13；圖形化半導(dǎo)體有源層13，以去除外圍區(qū)10b的半導(dǎo)體有源層13形成若干環(huán)狀溝槽14，環(huán)狀溝槽14暴露犧牲層11，使各個器件區(qū)10a的半導(dǎo)體有源層13分立；之后經(jīng)環(huán)狀溝槽14去除各個器件區(qū)10a的犧牲層11，從而使分立的半導(dǎo)體有源層13與襯底10分離，每一分離的半導(dǎo)體有源層13形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1。上述通過去除犧牲層11的方式可以實現(xiàn)大批量半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1同時制作，成本較低；此外，剝離質(zhì)量較好，不會損傷半導(dǎo)體有源層13。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括： 提供襯底10，所述襯底10包括若干器件區(qū)10a以及環(huán)繞每一所述器件區(qū)10a的外圍區(qū)10b；各個所述外圍區(qū)10b連接，且至少一個所述外圍區(qū)10b位于所述襯底10的側(cè)壁； 在所述襯底10上形成犧牲層11，圖形化所述犧牲層11，至少保留所述器件區(qū)10a的犧牲層11； 在所述犧牲層11以及襯底10上形成半導(dǎo)體有源層13；圖形化所述半導(dǎo)體有源層13，以去除所述外圍區(qū)10b的半導(dǎo)體有源層13形成若干環(huán)狀溝槽14，使各個器件區(qū)10a的半導(dǎo)體有源層13分立； 經(jīng)所述環(huán)狀溝槽14去除所述各個器件區(qū)10a的犧牲層11，使所述分立的半導(dǎo)體有源層13與所述襯底10分離，每一分離的半導(dǎo)體有源層13形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1。

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