上海電力大學王娟獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉上海電力大學申請的專利一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116375355B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111608810.1，技術領域涉及：C03C17/34；該發明授權一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法是由王娟;秦依末設計研發完成，并于2021-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明通過將二維材料MXene的技術與半導體材料技術結合，得到一種新的抗光腐蝕納米棒陣列光陽極材料，該材料能夠提高光生載流子傳輸速率、抑制載流子重組，提升光電性能。具體地，本發明提供了一種新型抗光腐蝕納米棒陣列光陽極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟S1，制備生長有CdS納米棒陣列的氧化銦錫導電玻璃；步驟S2，制備少層Nb2C納米片層；步驟S3，采用CdS納米棒陣列和少層Nb2C納米片層制備Nb2C納米片CdS納米棒復合光陽極作為新型抗光腐蝕納米棒陣列光陽極。
本發明授權一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1，制備生長有CdS納米棒陣列的氧化銦錫導電玻璃； 步驟S2，制備少層Nb2C納米片層； 步驟S3，采用生長有所述CdS納米棒陣列的所述氧化銦錫導電玻璃和所述少層Nb2C納米片層制備Nb2C納米片CdS納米棒復合光陽極作為所述抗光腐蝕納米棒陣列光陽極， 其中，步驟S3包括： 步驟S3-1，將所述少層Nb2C納米片層超聲分散于乙醇中形成少層Nb2C納米片層分散液； 步驟S3-2，取預定量的所述少層Nb2C納米片層分散液滴于生長有所述CdS納米棒陣列的所述氧化銦錫導電玻璃上，自然干燥成膜，得到所述Nb2C納米片CdS納米棒復合光陽極。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海電力大學，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區滬城環路1851號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號