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龍圖騰網(wǎng)獲悉華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114284136B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111554731.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/265；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由梁金娥;馮秦旭;林建樹;邢中豪設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成犧牲結(jié)構(gòu)；在所述犧牲結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面和頂部表面形成隔離介質(zhì)層；在所述襯底上形成第一外延層，所述第一外延層暴露出部分所述隔離介質(zhì)層的頂部及側(cè)壁表面，且在暴露出的所述隔離介質(zhì)層表面形成第二外延層；對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理，在所述第一外延層的表面形成第一犧牲層，并將所述第二外延層轉(zhuǎn)化為第二犧牲層；在形成第一犧牲層以及第二犧牲層后，對所述第一外延層進行離子注入；對所述第一外延層進行離子注入后，去除所述第一犧牲層、第二犧牲層以及隔離介質(zhì)層。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法提升了器件的電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底上形成犧牲結(jié)構(gòu)； 在所述犧牲結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面和頂部表面形成隔離介質(zhì)層，所述隔離介質(zhì)層的材料包括氮化硅； 在所述襯底上形成第一外延層，所述第一外延層暴露出部分所述隔離介質(zhì)層的頂部及側(cè)壁表面，且在暴露出的所述隔離介質(zhì)層表面形成第二外延層； 對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理，在所述第一外延層的表面形成第一犧牲層，并將所述第二外延層轉(zhuǎn)化為第二犧牲層，對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理的方法包括氧化處理或氮化處理； 在形成第一犧牲層以及第二犧牲層后，對所述第一外延層進行離子注入； 對所述第一外延層進行離子注入后，去除所述第一犧牲層、第二犧牲層以及隔離介質(zhì)層。

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