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龍圖騰網獲悉日本礙子株式會社申請的專利電光元件用復合基板獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115516368B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202180005302.6，技術領域涉及：G02F1/03；該發(fā)明授權電光元件用復合基板是由服部良祐;多井知義;淺井圭一郎;近藤順悟設計研發(fā)完成，并于2021-05-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本電光元件用復合基板在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種復合基板，其剝離得到顯著抑制，并且，制成電光元件的情況下，光的傳播損失較小，能夠進行高速及低電壓驅動，此外，能夠實現(xiàn)即便在嚴酷的高溫環(huán)境下也能夠維持優(yōu)異的可靠性的非常薄型的電光元件。本發(fā)明的實施方式的電光元件用復合基板100按如下順序具備：具有電光效應的電光結晶基板10、第一高介電常數(shù)層21、第二高介電常數(shù)層22、以及支撐基板30。第一高介電常數(shù)層21和第二高介電常數(shù)層22直接鍵合，在第一高介電常數(shù)層21與第二高介電常數(shù)層22的接合界面形成有非晶質層40。

本發(fā)明授權電光元件用復合基板在權利要求書中公布了：1.一種電光元件用復合基板，其中， 按如下順序具備：具有電光效應的電光結晶基板、第一高介電常數(shù)層、第二高介電常數(shù)層、以及支撐基板， 該第一高介電常數(shù)層和該第二高介電常數(shù)層直接鍵合，在該第一高介電常數(shù)層與該第二高介電常數(shù)層的接合界面形成有非晶質層， 在所述電光結晶基板直接形成有所述第一高介電常數(shù)層，在所述支撐基板直接形成有低介電常數(shù)層，在該低介電常數(shù)層直接形成有所述第二高介電常數(shù)層， 該低介電常數(shù)層包含氧化硅作為主成分且還包含氬，該低介電常數(shù)層中的氬濃度為1.0原子％以下， 該第一高介電常數(shù)層及該第二高介電常數(shù)層的介電常數(shù)大于該低介電常數(shù)層的介電常數(shù)。

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