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龍圖騰網(wǎng)獲悉無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113851427B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202010595375.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/29；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由冒義祥;張?zhí)m;嚴(yán)曉芬;周俊芳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底以及形成于半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)，有源區(qū)包括溝道區(qū)、形成于溝道區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)以及形成于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)；層間介質(zhì)層，形成于有源區(qū)上；頂層金屬層，位于層間介質(zhì)層上并通過(guò)接觸孔與有源區(qū)電連接；鈍化層，位于頂層金屬上，鈍化層包括富氧硅層和疊設(shè)于富氧硅層上的富硅氮化硅層，其中，富氧硅層的厚度范圍為富氧硅層的折射率范圍為1.67～1.70。上述半導(dǎo)體器件，將富氧硅的厚度調(diào)整至范圍內(nèi)，并將其折射率調(diào)整至1.67～1.70范圍內(nèi)，可以在不增加額外操作便能提升半導(dǎo)體器件的HTRB穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為L(zhǎng)DMOS，包括： 半導(dǎo)體襯底以及形成于所述半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括溝道區(qū)、形成于溝道區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)，所述溝道區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，所述源區(qū)和漏區(qū)具有第二導(dǎo)電類(lèi)型； 層間介質(zhì)層，形成于所述有源區(qū)上； 頂層金屬層，位于所述層間介質(zhì)層上并通過(guò)接觸孔與所述有源區(qū)電連接； 鈍化層，位于所述頂層金屬層上，覆蓋所述頂層金屬層，所述鈍化層包括富氧硅層和疊設(shè)于所述富氧硅層上的富硅氮化硅，其中，所述富氧硅層的厚度范圍為所述富氧硅層的折射率范圍為1.67～1.70。

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