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龍圖騰網獲悉重慶聯晶通半導體科技有限公司申請的專利一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120448162B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510962197.5，技術領域涉及：G06F11/00；該發明授權一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統是由蔡明達設計研發完成，并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統在說明書摘要公布了：本發明涉及電子技術領域，具體是一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統。該方法包括：獲取GaN器件的實時監測數據；構建風險等級預測模型，并將所述實時監測數據輸入所述風險等級預測模型得到風險等級；構建參數補償預測模型，基于所述風險等級將所述實時監測數據輸入所述參數補償預測模型得到補償參數；基于所述補償參數對所述GaN器件下一個開關周期的柵壓斜率、柵壓階躍幅值和死區時間進行調整。本發明解決了現有技術中抑制氮化鎵器件電流崩潰的方式單一，器件負載過大的問題，通過風險等級預判，在非高風險情況下避免一刀切的調節方式，而是采用更為溫和的漸變式柵壓調節方式，可以減少電磁干擾、降低開關損耗、抑制電流尖峰，提高了GaN器件的可靠性。

本發明授權一種GaN器件電流崩潰抑制方法和系統在權利要求書中公布了：1.一種GaN器件電流崩潰抑制方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取GaN器件的實時監測數據； 構建風險等級預測模型，并將所述實時監測數據輸入所述風險等級預測模型得到風險等級； 構建參數補償預測模型，基于所述風險等級為中風險將所述實時監測數據輸入所述參數補償預測模型得到補償參數； 所述構建風險等級預測模型包括： 獲取隧穿激活電壓閾值，并利用所述隧穿激活電壓閾值設置高漏極電壓懲罰項； 獲取陷阱激活溫度閾值，并利用所述陷阱激活溫度閾值設置高溫懲罰項； 利用所述高漏極電壓懲罰項和所述高溫懲罰項設置綜合損失函數； 基于多項式邏輯回歸利用所述綜合損失函數構建風險等級預測模型； 基于所述補償參數對所述GaN器件下一個開關周期的柵壓斜率、柵壓階躍幅值和死區時間進行調整。

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