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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)的專利高壓半導(dǎo)體裝置以及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114695549B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011601728.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)高壓半導(dǎo)體裝置以及其制作方法是由楊宗祐;李信宏;李年中;熊昌鉑設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-30向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本高壓半導(dǎo)體裝置以及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種高壓半導(dǎo)體裝置以及其制作方法，其中該高壓半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基底、隔離結(jié)構(gòu)、柵極氧化物層與柵極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體基底包括通道區(qū)，隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分設(shè)置于半導(dǎo)體基底中且圍繞通道區(qū)。柵極氧化物層設(shè)置于半導(dǎo)體基底上，且柵極氧化物層包括第一部分與第二部分。第二部分設(shè)置于第一部分在水平方向上的兩相對(duì)側(cè)，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于柵極氧化物層以及隔離結(jié)構(gòu)上。

本發(fā)明授權(quán)高壓半導(dǎo)體裝置以及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包括通道區(qū)； 隔離結(jié)構(gòu)，其中該隔離結(jié)構(gòu)的至少一部分設(shè)置于該半導(dǎo)體基底中且圍繞該通道區(qū)； 柵極氧化物層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底上，其中該柵極氧化物層包括： 第一部分；以及 第二部分，設(shè)置于該第一部分在水平方向上的兩相對(duì)側(cè)，其中該第一部分的厚度大于該第二部分的厚度，該第二部分于該水平方向上位于該第一部分與該隔離結(jié)構(gòu)之間；以及 柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該柵極氧化物層以及該隔離結(jié)構(gòu)上。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。