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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120280339B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510764238.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由王士京;梁潔;王兆祥;李儉;張名瑜;胥沛雯設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，制備方法包括：使用刻蝕工藝對襯底進行刻蝕，以在襯底上形成高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)；在每完成預(yù)設(shè)次數(shù)的刻蝕工藝的周期性循環(huán)步驟后，都使用不同于刻蝕工藝的處理工藝，對在高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)形成前形成的中間結(jié)構(gòu)進行去除側(cè)壁上沉積的鈍化層的部分厚度，并去除側(cè)壁上存在且自剩余的鈍化層表面上露出的凸起部的至少部分的處理。本申請通過將刻蝕工藝與側(cè)壁處理技術(shù)進行有機結(jié)合，交替循環(huán)以平衡刻蝕速率與側(cè)壁質(zhì)量，能夠?qū)崿F(xiàn)更高深寬比和更小納米級尺寸的深硅刻蝕。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在所述襯底的表面上形成多個掩膜圖形，使用刻蝕工藝，并以所述掩膜圖形為掩膜，對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底上形成高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)； 其中，所述刻蝕工藝包括依次按沉積步驟、刻蝕步驟形成的多次周期性循環(huán)步驟，在使用所述刻蝕工藝對所述襯底進行刻蝕過程中，在每完成預(yù)設(shè)次數(shù)的所述周期性循環(huán)步驟后，都使用不同于所述刻蝕工藝的處理工藝，對在所述高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)形成前形成的中間結(jié)構(gòu)進行一次以下處理： 去除側(cè)壁上沉積的鈍化層的部分厚度，以調(diào)節(jié)所述鈍化層在所述側(cè)壁上的厚度均勻性，避免所述鈍化層反復(fù)沉積后，在所述側(cè)壁上形成厚度過厚的所述鈍化層，影響到刻蝕的均勻性和副產(chǎn)物的及時排除，并去除所述側(cè)壁上存在且自剩余的所述鈍化層表面上露出的凸起部的至少部分，使所述側(cè)壁平滑化，以起到減輕所述鈍化層堆積的作用，并提供向下刻蝕時的垂直導(dǎo)向作用； 所述處理工藝包括： 使用第一氣體的等離子體，在所述側(cè)壁上進行吸附和反應(yīng)，以去除部分厚度的所述鈍化層，并與露出的所述凸起部表面的襯底材料反應(yīng)，在露出的所述凸起部的表面上生成易揮發(fā)的反應(yīng)產(chǎn)物層； 使用第二氣體的等離子體進行轟擊，去除所述反應(yīng)產(chǎn)物層； 對在所述高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)形成前形成的最后一個中間結(jié)構(gòu)進行最后的一次所述處理后，得到所述高深寬比刻蝕結(jié)構(gòu)； 之后去除所述掩膜圖形； 其中，所述沉積步驟用于在所述側(cè)壁上形成所述鈍化層，以在刻蝕時對所述側(cè)壁進行保護，所述鈍化層為聚合物，所述襯底材料包括硅，所述第一氣體包括氯氣，所述反應(yīng)產(chǎn)物層包括四氯硅烷層，所述第二氣體包括稀有氣體。

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