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龍圖騰網獲悉西安理工大學申請的專利含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120180836B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510661960.0，技術領域涉及：G06F30/23；該發明授權含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法是由蘇宇龍;原園;何帥;鄭建明設計研發完成，并于2025-05-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法，所屬領域為新型磁電功能器件接觸應用領域，包括：通過接觸加載方式實現MEE復合材料功能屬性的通用模型。以力載荷對含壓磁顆粒壓電基體的MEE復合材料加載接觸模型為例，根據壓磁相與壓電相本構模型與多物理場耦合理論采用有限元數值模擬方法，系統地揭示了通過力載荷調控磁電耦合變量的機制。

本發明授權含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法在權利要求書中公布了：1.一種含壓磁顆粒的壓電基體接觸磁電耦合變量的計算方法，其特征在于，包括： 將復合材料的實際接觸情況簡化為剛性壓頭與半空間MEE復合材料接觸模型； 根據所述MEE復合材料接觸模型，建立力－磁耦合本構模型，并根據彈性場、磁場控制方程與磁學、力學邊界，完成壓磁相接觸過程中的磁學物理量與力學物理量的求解； 根據所述MEE復合材料接觸模型，建立力－電耦合本構模型，并根據彈性場、電場控制方程與電學、力學邊界，完成壓電相接觸過程中的電學物理量與力學物理量的求解； 基于所述磁學物理量與力學物理量的求解和所述電學物理量與力學物理量的求解，建立考慮微觀結構的壓磁顆粒-壓電基體復合材料接觸幾何模型； 對所述考慮微觀結構的壓磁顆粒-壓電基體復合材料接觸幾何模型進行離散化處理，然后將材料屬性賦予離散化后的壓磁顆粒-壓電基體復合材料幾何模型； 對賦予材料屬性后的模型施加載荷，完成有限元數值模型求解，進行后處理，獲取磁電耦合變量； 所述完成壓磁相接觸過程中的磁學物理量與力學物理量的求解的過程包括： 基于線性力磁耦合關系構建力－磁耦合本構模型； 將彈性場、磁場控制方程與磁學、力學邊界條件代入力－磁耦合本構模型完成壓磁相接觸過程中的磁學物理量與力學物理量的求解； 所述完成壓電相接觸過程中的電學物理量與力學物理量的求解的過程包括： 基于線性力電耦合關系構建力－電耦合本構模型； 將彈性場、磁場控制方程與電學、力學邊界條件代入力－電耦合本構模型完成壓電相接觸過程中的電學物理量與力學物理量的求解； 所述力－磁耦合本構模型的Voigt形式可表示為： 其中，、、、、、表示壓磁相應力，、、表示磁場強度，、、表示磁通量，、、、、、表示壓磁相應變，表示壓磁材料的彈性系數，表示壓磁耦 合系數，表示磁導率； 所述彈性場、磁場控制方程與磁學、力學邊界條件的表達式為： 式中、、、、、表示壓磁相應力， 表示磁通量密度，表示 網格節點上的磁勢，表示網格節點上的位移分量，“”表示偏微分符號； 所述力－電耦合本構模型的Voigt形式可表示為： 其中，、、、、、表示壓電相應力，、、表示電場強度，、、 表示電位移，、、、、表示壓電相應變，表示壓 磁材料的彈性系數，表示壓電耦合系數，表示電導率； 所述的彈性場、電場控制方程與電學、力學邊界條件的表達式為： 式中、、、、、表示壓電相應力，、、表示電場強度，表示 網格節點上的電勢，表示網格節點上的位移分量，“”表示偏微分符號； 所述獲取磁電耦合變量的表達式為： 其中，表示壓磁顆粒的體積分數，R為壓頭半徑，為磁電系數，ω為下壓 量，r為壓磁顆粒半徑。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安理工大學，其通訊地址為：710048 陜西省西安市碑林區金花南路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。