西安交通大學馬偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西安交通大學申請的專利一種非易失的多態電化學存儲器及其加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114582395B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210212715.8，技術領域涉及：G11C13/00；該發明授權一種非易失的多態電化學存儲器及其加工方法是由馬偉;王世杰設計研發完成，并于2022-03-04向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種非易失的多態電化學存儲器及其加工方法在說明書摘要公布了：一種非易失的多態電化學存儲器及其加工方法，存儲器包括設置在襯底上的源極、漏極、柵極與電解質層；源極作為底電極，漏極作為頂電極，在源極與漏極之間設置聚合物半導體溝道形成一個正立的三明治結構；柵極設置在三明治結構的側面，柵極與襯底的表面之間設置聚合物半導體溝道；電解質層由上至下將柵極、三明治結構及柵極與三明治結構之間的空隙覆蓋和填充；柵極連接寫入脈沖電路，漏極接讀取脈沖電路，通過獲得讀取電流，計算得到存儲電導值。加工方法包括使用溶液加工法沉積聚合物半導體溝道、增強溝道的溝道結晶，以及使用反應離子刻蝕法打開溝道。本發明能夠在單一器件上實現多模擬態非易失存儲，寫入準確，結構簡單，加工成本較低。
本發明授權一種非易失的多態電化學存儲器及其加工方法在權利要求書中公布了：1.一種非易失的多態電化學存儲器，其特征在于，包括襯底1以及設置在襯底1上的源極2、漏極4、柵極5與電解質層6；所述的源極2作為底電極，所述的漏極4作為頂電極，在源極2與漏極4之間設置聚合物半導體溝道3形成一個正立的三明治結構；所述的柵極5設置在三明治結構的側面，柵極5與襯底1的表面之間設置聚合物半導體溝道3；所述的電解質層6由上至下將柵極5、三明治結構及柵極5與三明治結構之間的空隙覆蓋和填充；所述的柵極5連接寫入脈沖電路，所述的漏極4連接讀取脈沖電路，通過獲得讀取電流，以歐姆定律計算得到存儲電導值。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學，其通訊地址為：710049 陜西省西安市咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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