深圳市尚鼎芯科技有限公司劉道國(guó)獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市尚鼎芯科技有限公司申請(qǐng)的專利一種提高晶圓散熱性能的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN115172301B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202210898900.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L23/373;該發(fā)明授權(quán)一種提高晶圓散熱性能的方法是由劉道國(guó)設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-07-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種提高晶圓散熱性能的方法在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明實(shí)施例提供一種提高晶圓散熱性能的方法,包括:對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行襯底清洗;在碳化硅襯底的背面依次進(jìn)行等離子體刻蝕處理工序、納米金剛石播種工序、金剛石形核工序、以及金剛石外延生長(zhǎng)工序,得到金剛石基碳化硅晶圓:對(duì)金剛石基碳化硅晶圓進(jìn)行高溫退火處理。本技術(shù)方案中,將具有更好導(dǎo)熱性、解理性和半導(dǎo)體性的Ⅱa型金剛石與碳化硅襯底相結(jié)合,形成金剛石基SiC晶圓,利用金剛石極佳的導(dǎo)熱性來(lái)提高晶圓散熱,并在鍵合晶圓上設(shè)置了導(dǎo)熱線,通過(guò)導(dǎo)熱線將鍵合部分的局部積熱導(dǎo)出,從而延長(zhǎng)了半導(dǎo)體器件的使用壽命。
本發(fā)明授權(quán)一種提高晶圓散熱性能的方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種提高晶圓散熱性能的方法,其特征在于,包括: 對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行襯底清洗; 在所述碳化硅襯底的背面依次進(jìn)行等離子體刻蝕處理工序、納米金剛石播種工序、金剛石形核工序、以及金剛石外延生長(zhǎng)工序,得到金剛石基碳化硅晶圓: 對(duì)所述金剛石基碳化硅晶圓進(jìn)行高溫退火處理; 以鍵合方式在所述金剛石基碳化硅晶圓上設(shè)置導(dǎo)熱線; 所述導(dǎo)熱線為多根; 所述導(dǎo)熱線的內(nèi)側(cè)端與所述金剛石基碳化硅晶圓固定連接,所述導(dǎo)熱線的外側(cè)端向遠(yuǎn)離所述金剛石基碳化硅晶圓的方向伸出; 設(shè)置螺旋導(dǎo)熱線;其中, 所述螺旋導(dǎo)熱線以螺旋方式布置于所述金剛石基碳化硅晶圓的外側(cè)的平面內(nèi); 所述螺旋導(dǎo)熱線的最內(nèi)側(cè)一圈與每根所述導(dǎo)熱線的外側(cè)端固定連接; 所述對(duì)所述金剛石基碳化硅晶圓進(jìn)行高溫退火處理,具體包括: 當(dāng)所述金剛石基碳化硅晶圓溫度冷卻到400℃時(shí),通入氫氣、或氮?dú)狻⒒虻谌旌蠚怏w,所述第三混合氣體包括氫氣和氮?dú)猓?加熱所述金剛石基碳化硅晶圓; 當(dāng)所述金剛石基碳化硅晶圓升溫到預(yù)設(shè)退火溫度時(shí),停止加熱并保溫; 通入氬氣5~10min。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人深圳市尚鼎芯科技有限公司,其通訊地址為:518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道西麗社區(qū)留新四街萬(wàn)科云城三期C區(qū)八棟A座3301房3302房;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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