意法半導體股份有限公司N·博尼獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利具有改善的應力分布的MEMS器件以及其制造工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114368724B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111198768.0，技術領域涉及：B81B3/00；該發明授權具有改善的應力分布的MEMS器件以及其制造工藝是由N·博尼;L·文奇蓋拉;R·卡爾米納蒂;M·默利設計研發完成，并于2021-10-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有改善的應力分布的MEMS器件以及其制造工藝在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及具有改善的應力分布的MEMS器件以及其制造工藝。MEMS器件由半導體材料主體形成，所述半導體材料主體限定支撐結構。所述半導體材料主體中的貫通式腔體由所述支撐結構包圍。可移動結構被懸置在所述貫通式腔體中。彈性結構在所述支撐結構與所述可移動結構之間的所述貫通式腔體中延伸。所述彈性結構具有第一部分和第二部分并且在使用中經受機械應力。所述MEMS器件還由金屬區域形成，所述金屬區域在所述彈性結構的所述第一部分上延伸，并且由所述彈性結構中的掩埋腔體形成。所述掩埋腔體在所述彈性結構的所述第一部分與所述第二部分之間延伸。
本發明授權具有改善的應力分布的MEMS器件以及其制造工藝在權利要求書中公布了：1.一種MEMS器件，包括： 半導體材料主體，限定支撐結構； 其中貫通式腔體被限定在所述半導體材料主體中，并且由所述支撐結構包圍； 可移動結構，被懸置在所述貫通式腔體中； 彈性結構，在所述支撐結構與所述可移動結構之間在所述貫通式腔體中延伸，所述彈性結構包括第一部分和第二部分，并且經受機械應力；以及 金屬區域，在所述彈性結構的所述第一部分上延伸； 其中所述彈性結構具有被限定在其中的掩埋腔體；以及 其中所述掩埋腔體在所述彈性結構的所述第一部分與所述第二部分之間延伸； 其中所述彈性結構的所述第一部分和所述第二部分彼此重疊。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體股份有限公司，其通訊地址為：意大利阿格拉布里安扎；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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