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龍圖騰網(wǎng)獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種半導體器件的制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN114582797B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011376784.X，技術領域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權一種半導體器件的制造方法是由張文文;黃仁瑞設計研發(fā)完成，并于2020-11-30向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種半導體器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體器件的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的制造方法，通過在半導體襯底上形成第一刻蝕停止層、第一目標介質層、第二刻蝕停止層和第二目標介質層；以及在第二目標介質層上具有不同開口尺寸的層疊的第一硬掩膜層和第二掩膜層，就可以實現(xiàn)大馬士革結構。根據(jù)本發(fā)明的方法，只需要采用一次光刻工藝，即能實現(xiàn)雙大馬士革工藝中的雙大馬士革結構，不需高昂的光刻設備支持，設備的成本更低；形成的大馬士革結構易于填充，可以實現(xiàn)無縫隙的填充；同時根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的制造方法，具有廣泛的適用性，還可以用于常規(guī)通孔的刻蝕，具有更加廣泛的應用前景。

本發(fā)明授權一種半導體器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底上依次形成第一刻蝕停止層、第一目標介質層、第二刻蝕停止層和第二目標介質層； 在所述第二目標介質層上依次形成第一硬掩膜層和圖案化的第二掩膜層，所述第二掩膜層中具有第一開口，所述第一開口露出部分所述第一硬掩膜層； 以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕所述第一硬掩膜層，以在所述第一硬掩膜層中形成第二開口，所述第二開口露出部分所述第二目標介質層，并且所述第二開口的尺寸大于所述第一開口； 以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕所述第二目標介質層以在所述第二目標介質層中形成第三開口，所述第三開口露出部分所述第二刻蝕停止層； 以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕所述第二刻蝕停止層以在所述第二刻蝕停止層中形成第四開口，所述第四開口露出部分所述第一目標介質層； 去除所述第二掩膜層； 以所述第一硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述第一目標介質層和所述第二目標介質層，以在所述第一目標介質層中形成第五開口，并且使所述第三開口擴展成第六開口； 以所述第一硬掩膜層為掩膜，刻蝕所述第二刻蝕停止層和所述第一刻蝕停止層，以在所述第一刻蝕停止層中形成第七開口，并且使所述第四開口擴展成第八開口，其中所述第八開口的尺寸等于所述第六開口的尺寸。

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