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龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學(xué)申請的專利一種大功率低雜散SiC MOSFET模塊獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120356885B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510838137.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權(quán)一種大功率低雜散SiC MOSFET模塊是由楊鑫;劉巖超設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-06-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種大功率低雜散SiC MOSFET模塊在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種大功率低雜散SiCMOSFET模塊，所述模塊包括底層陶瓷基板、頂層陶瓷基板、以及多條橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片；編號為奇數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片對稱設(shè)于底層陶瓷基板上，且對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)設(shè)于底層陶瓷基板上；編號為偶數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片對稱設(shè)于頂層陶瓷基板上，且對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)設(shè)于頂層陶瓷基板上。本發(fā)明利用支路間電感的相互耦合關(guān)系，降低了各個支路的寄生電感。

本發(fā)明授權(quán)一種大功率低雜散SiC MOSFET模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種大功率低雜散SiCMOSFET模塊，其特征在于：所述模塊包括底層陶瓷基板、頂層陶瓷基板、以及多條橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片；每條橋臂的第一SiCMOSFET芯片為其上橋臂的功率芯片，每條橋臂的第二SiCMOSFET芯片為其下橋臂的功率芯片； 每個第一SiCMOSFET芯片對應(yīng)一組DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)、DC+接線端子、柵極接線端子和源極接線端子，所述第一SiCMOSFET芯片的漏極與對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)連接，其柵極與對應(yīng)的柵極覆銅區(qū)連接，其源極與對應(yīng)的源極覆銅區(qū)連接，所述DC+接線端子、柵極接線端子和源極接線端子分別設(shè)于對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)和源極覆銅區(qū)上； 每個第二SiCMOSFET芯片對應(yīng)一組DC-覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)、DC-接線端子、柵極接線端子和源極接線端子，所述第二SiCMOSFET芯片的柵極與對應(yīng)的柵極覆銅區(qū)連接，其源極與對應(yīng)的源極覆銅區(qū)、DC-覆銅區(qū)連接，所述DC-接線端子、柵極接線端子和源極接線端子分別設(shè)于對應(yīng)的DC-覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)和源極覆銅區(qū)上； 對于依次編號的每條橋臂，編號為奇數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片對稱設(shè)于底層陶瓷基板上，且與該第一SiCMOSFET芯片對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)以及與該第二SiCMOSFET芯片對應(yīng)的柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)設(shè)于底層陶瓷基板上；編號為偶數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片和第二SiCMOSFET芯片對稱設(shè)于頂層陶瓷基板上，且與該第一SiCMOSFET芯片對應(yīng)的DC+覆銅區(qū)、柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)以及與該第二SiCMOSFET芯片對應(yīng)的柵極覆銅區(qū)、源極覆銅區(qū)設(shè)于頂層陶瓷基板上；第i+1條橋臂位于第i條橋臂與第i+2條橋臂之間； 在所述底層陶瓷基板上設(shè)有第一AC覆銅區(qū)，在所述第一AC覆銅區(qū)設(shè)有第一AC接線端子；在所述頂層陶瓷基板上設(shè)有第二AC覆銅區(qū)，在所述第二AC覆銅區(qū)設(shè)有第二AC接線端子；編號為奇數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片的源極還與第二AC覆銅區(qū)連接，編號為奇數(shù)的橋臂的第二SiCMOSFET芯片的漏極還與第一AC覆銅區(qū)連接，編號為偶數(shù)的橋臂的第一SiCMOSFET芯片的源極還與第一AC覆銅區(qū)連接，編號為偶數(shù)的橋臂的第二SiCMOSFET芯片的漏極還與第二AC覆銅區(qū)連接；與編號為奇數(shù)的橋臂的第二SiCMOSFET芯片對應(yīng)的DC-覆銅區(qū)設(shè)于頂層陶瓷基板上，與編號為偶數(shù)的橋臂的第二SiCMOSFET芯片對應(yīng)的DC-覆銅區(qū)設(shè)于底層陶瓷基板上； 所有的DC+覆銅區(qū)連接在一起，所有的DC-覆銅區(qū)連接在一起，所述第一AC覆銅區(qū)與所述第二AC覆銅區(qū)連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖南大學(xué)，其通訊地址為：410083 湖南省長沙市岳麓區(qū)麓山南路28號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。