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龍圖騰網獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利多閾值邏輯功率器件、制備方法及同時讀取多閾值的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695533B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011627542.3，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權多閾值邏輯功率器件、制備方法及同時讀取多閾值的方法是由季明華;邱金朋;周東楊;李鵬;劉聰慧設計研發完成，并于2020-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本多閾值邏輯功率器件、制備方法及同時讀取多閾值的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種多閾值邏輯功率器件、制備方法及同時讀取多閾值的方法，通過接觸掩膜版可形成具有同一公共的溝槽柵極結構的接觸結構陣列，且同組的第二導電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有相同的橫向間距，不同組的第二導電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有不同的橫向間距，可實現多閥值邏輯狀態以存儲信息；沒有添加額外的工藝步驟即可制備具有不同閾值電壓且具有存儲信息能力的多閾值邏輯功率器件；閾值電壓的數目可靈活設計，以存儲多位元的數字信息或模擬信息；內置多閾值電壓的MOSFET和IGBT可用于大電流場合，且具有存儲信息能力；掃描公共柵極的電壓，構建跨導，可便捷的同時讀取存儲于邏輯功率器件中的多位元信息。

本發明授權多閾值邏輯功率器件、制備方法及同時讀取多閾值的方法在權利要求書中公布了：1.一種多閾值邏輯功率器件，其特征在于，所述多閾值邏輯功率器件包括： 第一導電類型外延層； 第二導電類型阱區，所述第二導電類型阱區位于所述第一導電類型外延層內； 第一導電類型源區，所述第一導電類型源區位于所述第二導電類型阱區內； 溝槽柵極結構，所述溝槽柵極結構包括柵極介電層及柵極導電層，所述溝槽柵極結構位于所述第一導電類型外延層內，且貫穿所述第一導電類型源區及第二導電類型阱區； 接觸結構，所述接觸結構貫穿所述第一導電類型源區以與所述第二導電類型阱區相接觸，且所述接觸結構包括第二導電類型接觸部；其中，所述接觸結構構成接觸結構陣列，所述接觸結構陣列具有同一公共的所述溝槽柵極結構，且所述接觸結構陣列由多個接觸結構組構成，每個所述接觸結構組包括至少兩個接觸結構，以及在所述接觸結構陣列中同組的所述第二導電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有相同的橫向間距，不同組的所述第二導電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有不同的橫向間距，位于同組中的所述第二導電類型接觸部具有相同的摻雜濃度，位于不同組中的所述第二導電類型接觸部具有不同的摻雜濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯恩(青島)集成電路有限公司，其通訊地址為：266000 山東省青島市黃島區太白山路19號德國企業南區401；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。