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龍圖騰網獲悉三星顯示有限公司申請的專利顯示裝置和制造顯示裝置的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112447856B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010836192.5，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權顯示裝置和制造顯示裝置的方法是由韓在范;樸英吉;樸精花;安娜利;鄭洙任設計研發完成，并于2020-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本顯示裝置和制造顯示裝置的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種顯示裝置和制造顯示裝置的方法。顯示裝置包括：基板；第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在基板上并且包括無機絕緣材料；氧化物半導體層，所述氧化物半導體層設置在第一絕緣層上；第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在氧化物半導體層上并且包括無機絕緣材料；和第三絕緣層，所述第三絕緣層設置在柵電極上并且包括無機絕緣材料，所述柵電極設置在第二絕緣層上。氧化物半導體層包括第一導電區、第二導電區以及位于第一導電區和第二導電區之間的溝道區，并且根據方程式1，氧化物半導體層的溝道區中的HC的值小于30％。

本發明授權顯示裝置和制造顯示裝置的方法在權利要求書中公布了：1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括： 基板； 第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述基板上并且包括無機絕緣材料； 氧化物半導體層，所述氧化物半導體層設置在所述第一絕緣層上； 第二絕緣層，所述第二絕緣層設置在所述氧化物半導體層上并且包括無機絕緣材料； 柵電極，所述柵電極設置在所述第二絕緣層上；以及 第三絕緣層，所述第三絕緣層設置在所述柵電極上并且包括無機絕緣材料， 其中所述氧化物半導體層包括第一導電區、第二導電區以及位于所述第一導電區和所述第二導電區之間的溝道區，并且 所述氧化物半導體層的氫濃度在5×1020個原子cm3至2×1021個原子cm3的范圍內，并且根據方程式1，所述氧化物半導體層的所述溝道區中的HC的值小于30％： HC＝Max-MinAvg×100％------方程式1， 其中Max表示從所述溝道區內的多個點檢測的最大氫濃度值，Min表示從所述溝道區內的多個點檢測的最小氫濃度值，并且Avg表示從所述溝道區內的多個點檢測的平均氫濃度值，并且 其中在與所述溝道區的邊緣分開0.15％的所述溝道區的長度和0.15％的所述溝道區的寬度的有效區中測量所述氫濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星顯示有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。