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龍圖騰網(wǎng)獲悉聯(lián)華電子股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體元件及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113903763B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010645397.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N59/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法是由劉家瑋;方嘉鋒;林俊賢設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體元件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體元件及其制作方法，其中該制作半導(dǎo)體元件的方法包括，主要先形成一磁性隧道結(jié)magnetictunnelingjunction,MTJ堆疊結(jié)構(gòu)于一基底上，然后先進(jìn)行一蝕刻制作工藝去除部分該MTJ堆疊結(jié)構(gòu)以形成一MTJ，進(jìn)行一沉積制作工藝以形成聚合物于MTJ側(cè)壁，再去除聚合物以于MTJ側(cè)壁形成粗糙表面。此外MTJ包含一固定層設(shè)于基底上、一阻障層設(shè)于固定層上以及一自由層設(shè)于阻障層上，其中粗糙表面可設(shè)于固定層、阻障層以及或自由層側(cè)壁。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體元件及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于，包含： 形成磁性隧道結(jié)magnetictunnelingjunction,MTJ堆疊結(jié)構(gòu)于基底上； 形成下電極于該磁性隧道結(jié)下方； 形成上電極于該磁性隧道結(jié)上方; a進(jìn)行蝕刻制作工藝去除部分該上電極、部分該磁性隧道結(jié)堆疊結(jié)構(gòu)以及部分該下電極以形成磁性隧道結(jié)；以及 b進(jìn)行沉積制作工藝以形成聚合物于該磁性隧道結(jié)側(cè)壁，其中該聚合物暴露該上電極的側(cè)壁及該下電極的側(cè)壁。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人聯(lián)華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。