買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉劍橋氮化鎵器件有限公司申請的專利具有集成功率晶體管和啟動電路的III-V族半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114072908B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080048419.8，技術領域涉及：H10D84/82；該發明授權具有集成功率晶體管和啟動電路的III-V族半導體器件是由弗洛林·烏德雷亞;洛伊佐斯·埃夫蒂米烏;焦爾賈·隆戈巴爾迪;馬丁·阿諾德設計研發完成，并于2020-05-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有集成功率晶體管和啟動電路的III-V族半導體器件在說明書摘要公布了：公開了一種基于III族氮化物半導體的異質結功率器件，包括：形成在襯底4上的第一異質結晶體管和形成在襯底上的第二異質結晶體管。第一異質結晶體管包括：第一III族氮化物半導體區，形成在襯底之上，其中，該第一III族氮化物半導體區包括第一異質結，該第一異質結包括至少一個二維載流子氣；第一端子8，操作性地連接到第一III族氮化物半導體區；第二端子9，與第一端子橫向間隔開并且操作性地連接到第一III族氮化物半導體區；以及第一柵極區10，在第一端子與第二端子之間的第一III族氮化物半導體區之上。第二異質結晶體管包括：第二III族氮化物半導體區，形成在襯底之上，其中，該第二III族氮化物半導體區包括第二異質結，該第二異質結包括至少一個二維載流子氣；第三端子19，操作性地連接到第二III族氮化物半導體區；第四端子16，在第一維度上與第三端子橫向間隔開并且操作性地連接到第二III族氮化物半導體區；第一導電類型的第一多個高摻雜半導體區18，形成在第二III族氮化物半導體區之上，該第一多個高摻雜半導體區形成在第三端子與第四端子之間；以及第二柵極區17，操作性地連接到第一多個高摻雜半導體區。第一異質結晶體管和第二異質結晶體管中的一個是增強型場效應晶體管，而第一異質結晶體管和第二異質結晶體管中的另一個是耗盡型場效應晶體管。

本發明授權具有集成功率晶體管和啟動電路的III-V族半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種基于III族氮化物半導體的異質結功率器件，包括： 第一異質結晶體管，形成在襯底上，所述第一異質結晶體管包括： 第一III族氮化物半導體區，形成在所述襯底之上，其中，所述第一III族氮化物半導體區包括第一異質結，所述第一異質結包括第二導電類型的至少一個二維載流子氣； 第一端子，操作性地連接到所述第一III族氮化物半導體區； 第二端子，與所述第一端子橫向間隔開并操作性地連接到所述第一III族氮化物半導體區； 第一柵極區，形成在所述第一端子與所述第二端子之間的所述第一III族氮化物半導體區之上；以及 第二異質結晶體管，形成在所述襯底上，所述第二異質結晶體管包括： 第二III族氮化物半導體區，形成在襯底之上，其中，該第二III族氮化物半導體區包括第二異質結，該第二異質結包括第二導電類型的至少一個二維載流子氣； 第三端子，操作性地連接到第二III族氮化物半導體區； 第四端子，在第一維度上與所述第三端子橫向間隔開并且操作性地連接到所述第二III族氮化物半導體區； 第一導電類型的第一多個高摻雜半導體區，形成在所述第二III族氮化物半導體區之上，所述第一多個高摻雜半導體區形成在所述第三端子與所述第四端子之間；以及 第二柵極區，操作性地連接到所述第一多個高摻雜半導體區， 其中，所述第一異質結晶體管和所述第二異質結晶體管中的一個是增強型場效應晶體管，而所述第一異質結晶體管和所述第二異質結晶體管中的另一個是耗盡型場效應晶體管；并且 其中所述異質結功率器件還包括電連接到所述第三端子的電容器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人劍橋氮化鎵器件有限公司，其通訊地址為：英國劍橋；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。