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龍圖騰網(wǎng)獲悉歐司朗OLED股份有限公司申請的專利光電子半導(dǎo)體芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111868942B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980019438.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/841；該發(fā)明授權(quán)光電子半導(dǎo)體芯片是由安娜·斯特羅澤茨卡-阿西格;約翰尼斯·薩里奇設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-03-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本光電子半導(dǎo)體芯片在說明書摘要公布了：在一個實施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片1包括：半導(dǎo)體層序列2，所述半導(dǎo)體層序列具有用于產(chǎn)生具有最大強度的波長L的輻射的有源區(qū)23。鏡3包括覆蓋層31。覆蓋層31由對于輻射可穿透的材料構(gòu)成并且具有0.5L和3L之間的光學(xué)厚度，其中包含邊界值。沿背離半導(dǎo)體層序列2的方向在覆蓋層31后跟隨有鏡3的兩個和十個之間的中間層32，33，34，35，其中包含邊界值。中間層32，33，34，35交替地具有高折射率和低折射率。至少一個中間層32，33，34，35的光學(xué)厚度不等于L4。沿背離半導(dǎo)體層序列2的方向在中間層32，33，34，35后跟隨有鏡3的至少一個金屬層39作為反射層。

本發(fā)明授權(quán)光電子半導(dǎo)體芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光電子半導(dǎo)體芯片（1），所述光電子半導(dǎo)體芯片具有： -半導(dǎo)體層序列（2），所述半導(dǎo)體層序列具有有源區(qū)（23），所述有源區(qū)用于產(chǎn)生具有最大強度的波長L的輻射；和 -用于在背側(cè)（12）上的輻射的鏡（3），所述背側(cè)與光耦合輸出側(cè)（10）相對置， 其中 -所述鏡（3）包括覆蓋層（31），所述覆蓋層距所述半導(dǎo)體層序列（2）最近， -所述覆蓋層（31）由對于所述輻射可穿透的材料構(gòu)成并且具有在0.5L和3L之間的光學(xué)厚度，其中包含邊界值， -沿背離所述半導(dǎo)體層序列（2）的方向在所述覆蓋層（31）后直接跟隨有在2個和7個之間的中間層（32，33，34，35），其中包含邊界值， -所述中間層（32，33，34，35）交替地具有對于所述輻射的高折射率和低折射率并且各自由所述輻射可穿透的材料構(gòu)成， -所述中間層（32，33，34，35）中的至少一個的厚度不等于L4， -沿背離所述半導(dǎo)體層序列（2）的方向在所述中間層（32，33，34，35）后直接跟隨有至少一個金屬層（39）作為反射層，或者增附層（8）直接位于所述中間層（32，33，34，35）和所述金屬層（39）之間，并且 -所述金屬層（39）配置用于對所述半導(dǎo)體層序列（2）通電。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人歐司朗OLED股份有限公司，其通訊地址為：德國雷根斯堡；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。