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龍圖騰網(wǎng)獲悉三菱電機株式會社申請的專利肖特基勢壘二極管獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114930546B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080092316.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)肖特基勢壘二極管是由中野誠也;友松佳史;阿多保夫設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-01-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本肖特基勢壘二極管在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及的肖特基勢壘二極管具有：n型的半導(dǎo)體基板；至少1個p型的保護環(huán)，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)龋魂枠O電極，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的上表面；陰極電極，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板的背面；以及絕緣膜，其設(shè)置于至少1個保護環(huán)中的最內(nèi)側(cè)的內(nèi)側(cè)保護環(huán)之上，陽極電極搭至絕緣膜之上，陽極電極的端部設(shè)置于內(nèi)側(cè)保護環(huán)的正上方，陽極電極與內(nèi)側(cè)保護環(huán)分離地設(shè)置，絕緣膜的厚度大于或等于1.0μm。

本發(fā)明授權(quán)肖特基勢壘二極管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，具有： n型的半導(dǎo)體基板； 至少1個p型的保護環(huán)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)龋?絕緣膜，其設(shè)置于所述至少1個保護環(huán)中的最內(nèi)側(cè)的內(nèi)側(cè)保護環(huán)之上； 陽極電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面，搭至所述絕緣膜之上； 陰極電極，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的背面；以及 高電阻層，其電阻高于所述內(nèi)側(cè)保護環(huán)，將所述內(nèi)側(cè)保護環(huán)與所述陽極電極隔開， 所述高電阻層具有在所述半導(dǎo)體基板的上表面中的比所述絕緣膜更靠內(nèi)側(cè)處設(shè)置的電阻體， 所述內(nèi)側(cè)保護環(huán)在端部中的設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)側(cè)的那一側(cè)具有從所述絕緣膜露出的露出部， 所述電阻體將所述露出部整體覆蓋。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。