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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120282555B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510775371.5，技術領域涉及：H10F30/24；該發明授權一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構及其制作方法是由徐少東;李明哲;彭若詩;朱厲陽;袁俊;魏強民;劉興林;盧堯;嚴鈺婕;周弘;張進成;郝躍設計研發完成，并于2025-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構及其制作方法，器件結構包括：襯底層、外延層；溝道層設于外延層上，內部鑲嵌有P型半導體層，形成PN結；N型半導體層，設于P型半導體層內；柵介質層，生長于溝道層上；柵電極，沉積于柵介質層上；層間介質層，生長于溝道層上；形成有凹槽，凹槽內填充有透明絕緣體介質，構建形成有電流增益窗口，在光照作用下，光線通過電流增益窗口到達襯底層，襯底層因光照產生大量的光生載流子而在電場作用下導電；第一電極和第二電極，分別設于柵介質層和層間介質層疊加結構的兩側。該結構通過額外增加的光控單元實現氧化鎵器件工作狀態的轉變，解決了氧化鎵器件因缺乏P型摻雜而帶來的導通電阻大的難題。

本發明授權一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種寬禁帶超高壓大電流半導體器件結構，其特征在于，包括： 襯底層； 外延層，設于所述襯底層上； 溝道層，為N型Ga2O3層或GaN層，設于所述外延層上，且內部鑲嵌有P型半導體層，所述P型半導體層與所述溝道層形成PN結； N型半導體層，包裹設于所述P型半導體層內； 柵介質層，生長于所述溝道層上，且完全覆蓋所述N型半導體層與所述P型半導體層之間的間隙； 柵電極，沉積于所述柵介質層上； 層間介質層，生長于所述溝道層上；自所述層間介質層的上表面向下刻蝕至所述襯底層的上表面形成有凹槽，所述凹槽內填充有透明絕緣體介質，構建形成有電流增益窗口，在光照作用下，光線通過所述電流增益窗口到達所述襯底層，所述襯底層因光照產生大量的光生載流子而在電場作用下導電； 第一電極和第二電極，分別設于所述柵介質層和所述層間介質層疊加結構的兩側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區九龍湖街9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。