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龍圖騰網(wǎng)獲悉佛山市國星半導體技術有限公司申請的專利一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法、芯片獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN112436075B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202011431835.4，技術領域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法、芯片是由崔永進設計研發(fā)完成，并于2020-12-09向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法、芯片，所述制備方法包括：S1、在襯底上形成外延層；S2、對外延層進行測試，獲得外延層的波長分布圖，并根據(jù)波長分布圖將外延層劃分成n個波長區(qū)域，每個波長區(qū)域的外延層的波長不同；S3、制作光刻板，所述光刻板對應設有n個光刻區(qū)域，每個光刻區(qū)域設有多個通孔；S4、采用所述光刻板來刻蝕外延層，形成不同尺寸的發(fā)光結構和切割道；S5、在發(fā)光結構上形成電極；S6、沿著切割道切割所述襯底，制得不同尺寸的芯片。本發(fā)明根據(jù)外延層的波長分布將同一區(qū)段波長的外延層制成同一尺寸的芯片，其余不同波長段的外延層制成不同尺寸的芯片，以提高芯片成品良率，出貨效率，以及減少不同波段芯片的庫存。

本發(fā)明授權一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種具有復合尺寸的LED芯片的制備方法，其特征在于，包括： S1、在襯底上形成外延層； S2、對外延層進行測試，獲得外延層的波長分布圖，并根據(jù)波長分布圖將外延層劃分成n個波長區(qū)域，n≥2，每個波長區(qū)域的外延層的波長不同； S3、制作光刻板，所述光刻板對應設有n個光刻區(qū)域，每個光刻區(qū)域設有多個通孔，同一個光刻區(qū)域的通孔尺寸相同，不同光刻區(qū)域的通孔尺寸不同；所述光刻板還設有至少兩種尺寸的隔離條，所述隔離條設于通孔之間，其中，所述隔離條的尺寸數(shù)量與光刻區(qū)域的數(shù)量相對應； S4、采用所述光刻板來刻蝕外延層，形成不同尺寸的發(fā)光結構和切割道，其中，所述通孔對應形成發(fā)光結構，所述隔離條對應形成切割道； S5、在發(fā)光結構上形成電極； S6、沿著切割道切割所述襯底，制得不同尺寸的芯片。

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