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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      半導體裝置以及制造半導體裝置的方法。在一個實例中，一種半導體封裝包括：具有頂部表面和底部表面的襯底、安裝在所述襯底的所述頂部表面上且聯(lián)接到所述襯底的所述底部表面上的一個或多個互連件的電子裝置、在所述電子裝置上方的封蓋、圍繞所述封蓋的外圍的殼...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及瓜爾豆(瓜爾)膠用于微生物生長的用途。具體地講，本申請涉及瓜爾豆(瓜爾)膠用于維持或增加微生物的生長速率的體外用途。
								
        
							
        
							
						
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								      公開了一種晶閘管及其制造方法，該晶閘管包括N型襯底，所述N型襯底具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面；P型摻雜層，所述P型摻雜層形成于所述N型襯底的所述第一表面和/或第二表面上；溝槽，所述溝槽從所述P型摻雜層的遠離所述N型襯底的表面貫...
								
        
							
        
							
						
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								      提供了一種燃料電池單體，其包括構(gòu)造成能接收陽極工藝氣體并允許陽極工藝氣體通過的陽極、構(gòu)造成能接收陰極工藝氣體并允許陰極工藝氣體通過的陰極、以及將陽極和陰極分隔開的電解質(zhì)基質(zhì)層。陽極和陰極中的一者具有伸出的邊緣密封室，并且所述燃料電池單體構(gòu)造...
								
        
							
        
							
						
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								      一種減少在存儲器單元中的字線撓曲的方法包含：a)提供襯底，所述襯底包括多個字線，所述多個字線被配置成彼此相鄰并且在多個晶體管上方；b)使用沉積工藝在所述多個字線上沉積膜層；c)在沉積所述膜層之后，測量字線撓曲；d)將所述字線撓曲與預定范圍相...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及高壓連接器及其組裝方法。該高壓連接器，連接到裝置，其經(jīng)受減少的電磁干擾，避免在流體環(huán)境內(nèi)或非流體環(huán)境內(nèi)的異種金屬的電化學腐蝕，并提供有效的電接地系統(tǒng)。該連接器包括：外部殼體組件；安裝在外部殼體內(nèi)的內(nèi)部殼體；固定在內(nèi)部殼體內(nèi)的一組電...
								
        
							
        
							
						
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								      公開了一種脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡，包括脈沖神經(jīng)元和連接到脈沖神經(jīng)元的突觸元件，其中，突觸元件包括適于接收突觸輸入信號的第一受體和第二受體，其中，第一受體和第二受體基于突觸輸入信號分別生成第一受體信號和第二受體信號，其中，突觸元件向第一受體信號施加權(quán)重...
								
        
							
        
							
						
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								      一種包括擴增的細胞群的組合物可用于療法，其中所述細胞已經(jīng)通過包括以下的方法擴增：i)獲得分離的HSPC群；ii)在存在組蛋白脫乙酰酶抑制劑(HDAC抑制劑)的情況下培養(yǎng)所述分離的HSPC群，以形成經(jīng)過培養(yǎng)的群；iii)將以下添加到所述經(jīng)過培...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開的一個方面涉及用于處理圖像的方法和系統(tǒng)。一種系統(tǒng)執(zhí)行用于處理機器可讀代碼的圖像的方法。該方法包括接收包括編碼信息的機器可讀代碼的圖像，其中該機器可讀代碼至少部分地被具有主導顏色的物質(zhì)遮擋；通過基于主導顏色調(diào)整圖像的顏色空間，來生成經(jīng)調(diào)...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及三維數(shù)據(jù)處理方法和三維數(shù)據(jù)處理裝置。本公開的一種三維數(shù)據(jù)處理方法，其中，包括：生成多個三維點的N叉樹結(jié)構(gòu)，其中N為2以上的整數(shù)，并且生成信息，所述信息表示與所述N叉樹結(jié)構(gòu)中包含的節(jié)點對應的8比特是否包含分別與固定值對應的4個以上的...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及無線通信系統(tǒng)中的方法和裝置，該方法包括：向基站發(fā)送第一消息，第一消息包括目的地標識、傳輸類型信息、無線電鏈路控制RLC模式信息和服務質(zhì)量QoS信息；基于第一消息從基站接收第二消息，第二消息包括與RLC模式相關(guān)聯(lián)的第一側(cè)鏈路RLC配...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N通信方法和通信裝置，能夠保證終端設備的側(cè)鏈配置被兩個終端設備的能力支持，提高側(cè)鏈配置的效率，有助于提高側(cè)鏈通信質(zhì)量。該通信方法包括：第一終端設備接收來自第一網(wǎng)絡設備的第一指示信息，該第一指示信息用于指示為該第一終端設備選擇的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于手表(6)或珠寶的由合成材料制成的帶(5)的制造方法，該帶包括至少一個分段(5a)，該方法包括通過模制或擠出制造用于形成所述至少一個分段(5a)的由合成材料制成的帶狀件(1)的步驟，該方法的特征在于，該方法包括隨后進行的對...
								
        
							
        
							
						
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								      描述了用于在第一通信設備和第二通信設備之間的無線局域網(wǎng)(WLAN)通信信道中操作第一通信設備的方法，無線局域網(wǎng)(WLAN)通信信道具有多個分量信道。第一物理層(PHY)協(xié)議數(shù)據(jù)單元(PPDU)、以及不同于第一PPDU的第二PPDU被生成。第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及用于沉積鎢薄膜或鉬薄膜的方法。本文描述用于沉積金屬薄膜或?qū)拥揭r底上的氣相沉積方法，其中所述金屬是鉬或鎢；所述方法涉及含有所述金屬及一或多種含碳配體的有機金屬前驅(qū)物化合物，并包含沉積由所述前驅(qū)物的所述金屬形成的金屬層到襯底上，隨后將...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種制備ω?硝基氧基?C3?10烷烴?1?醇的方法。
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠簡單地生成可播放聲音的印刷品的數(shù)碼相機以及數(shù)據(jù)播放系統(tǒng)。若打印關(guān)聯(lián)對應有聲音數(shù)據(jù)的圖像數(shù)據(jù)，則帶打印機數(shù)碼相機（10）附加固有的識別信息后將該圖像數(shù)據(jù)及聲音數(shù)據(jù)經(jīng)由上傳終端（300）上傳到數(shù)據(jù)保存服務器（200）。并且，附...
								
        
							
        
							
						
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								      一種系統(tǒng)，其包括CPU核心（102）、第一存儲器高速緩存（130）和第二存儲器高速緩存（155）以及存儲控制器子系統(tǒng)（101）。存儲控制器子系統(tǒng)（101）推測地確定第一存儲器高速緩存（130）中的虛擬地址的命中或未命中狀況，并且推測地將虛擬...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于在襯底處理系統(tǒng)中的襯底支撐件的隔熱結(jié)構(gòu)包含外罩，其被構(gòu)造成環(huán)繞所述襯底支撐件的桿。所述外罩還被構(gòu)造成限定所述外罩與所述桿的上部和所述襯底支撐件的下表面之間的內(nèi)部容積以及所述外罩與所述襯底支撐件的所述桿的下部之間的豎直通道。所述外罩包...
								
        
							
        
							
						
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								      芯部材料的圖案形成在晶片上，以包含具有關(guān)鍵尺寸的芯部特征。修整量指示待從芯部特征的豎直定向表面移除的平均厚度量。修整輪廓指示，從芯部特征的豎直定向表面的厚度移除的變化的多少被應用作為晶片上的徑向位置的函數(shù)。第一組數(shù)據(jù)將修整量與一或多個等離子...
								
        
							
        
							
						
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