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								      本發明公開了一種用于發動機進排氣門的低應力抗結焦交替層疊薄膜及制備方法， 包括從下到上依次設置在基底上的CrN薄膜、CrAlN薄膜、TiO2薄膜、CrN薄膜、CrAlN薄膜與TiO2薄膜。該結構通過CrN、CrAlN和TiO2層的多次交替沉...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種Ta?C復合涂層及制備方法， 所述復合涂層形成于高速鋼基體、不銹鋼基體或鑄鐵基體上， 所述復合涂層包括依次層疊設置的過渡層和耐磨層；所述過渡層包括Me層、MeN層、Me(W)N層以及MeWN層；所述耐磨層包括WC層、WC/T...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種含V形垂直裂紋熱障涂層、制備方法與制備裝置， 包括：大氣等離子噴涂單元、預熱單元、冷卻單元和固定單元；大氣等離子噴涂單元設有噴槍， 預熱單元設有激光發射頭， 冷卻單元設有液態二氧化碳噴射管；固定單元設有可移動的夾具， 沿夾具移...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種封嚴涂層及其制備方法， 封嚴涂層包括：高溫合金基體， 和在高溫合金基體上依次層疊設置的金屬粘結層和陶瓷層， 其中， 金屬粘結層在相對靠近所述陶瓷層一側的表面上包括至少一個刻蝕區， 刻蝕區內包含陶瓷顆粒。本申請提供的封嚴涂層具備...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種高溫紅外隱身涂層材料及其制備方法和應用， 涉及紅外隱身涂層技術領域。本發明提供了具有粘結層、陶瓷層、鋁膜層和鉑金屬層的紅外隱身涂層材料， 在制備過程鋁和氧化鋯反應使得在陶瓷層表面原位生成致密的氧化鋁， 從而提高金屬鋁層與陶瓷...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于軟磁高熵合金材料與磁控濺射技術領域， 具體是涉及一種高電阻率與截止頻率的高熵軟磁薄膜制備方法及薄膜， 包括制備高熵合金靶材和氧化鋅靶材；選擇高電阻率的非磁性材料作為基底；對靶材與基底進行清洗后采用高熵合金靶材和氧化鋅靶材進行雙靶位...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種模切刀鈍化液及其使用方法， 鈍化液由5%?10%鉬酸鹽、0.5%?2%苯并三氮唑、8%?15%氨基?環氧雙官能團改性硅油、3%?8%聚醚分散劑及溶劑組成。通過鉬酸鹽鈍化與唑類吸附的雙重緩蝕機制， 在模切刀表面形成致密防護層， ...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種加熱盤升降底座及薄膜沉積設備， 加熱盤升降底座包括基座；調節塊， 設于基座上， 調節塊上側的四周設有多個第一調節孔；安裝座， 設于調節塊上以用于安裝加熱盤；第一調節件， 多個第一調節件分別設于安裝座的四周且與第一調節孔配...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供了一種MOCVD鍍膜設備， 屬于半導體加工技術領域， 解決了現有技術MOCVD鍍膜設備鍍膜質量欠佳的問題。本實用新型包括殼體， 殼體內形成一反應腔， 反應腔連通有進氣管， 進氣管用于輸送前驅體；基臺， 基臺設置于反應腔內， 基...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請屬于半導體制造設備技術領域， 具體涉及一種進氣裝置及基板處理設備， 進氣裝置包括一個混合腔、多個輸氣管道和多個脈沖閥， 混合腔與反應腔連接， 混合腔包括多個進氣孔， 輸氣管道的第一端連接一個進氣孔以使輸氣管道與混合腔連通， 至少部分輸...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種改善Poly非晶硅膜邊緣毛邊的工藝結構及方法， 針對N型TOPCON電池背面POLY層制備中LPCVD工藝因進氣管硅烷顆粒堵塞導致硅片邊緣毛邊的問題， 提供了無需硬件改造的解決方案。通過將沉積溫度從622℃降至615℃、沉積...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及鍍膜設備技術領域， 具體公開了一種氧化物高阻隔鍍膜設備及其真空卷繞系統， 包括真空鍍膜箱， 所述真空鍍膜箱的頂端一側固定連接有抽氣管， 通過在真空鍍膜箱上固定抽氣管， 抽氣管上安裝第一泵體、第二泵體、第三泵體， 依次為初級旋片泵、...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請涉及高硬度自修復寶藍色離子鍍層及其制備方法和應用， 涉及材料表面處理技術領域， 其包括所述鍍層包含金屬粘結底層、中間層、硬度層、自修復層、光學層和封閉層六部分， 各層功能互補， 底層至表層的硬度梯度遞增(底層<中間層<硬度層)， 避免...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及一種鍍膜裝置及鍍膜方法， 其中， 鍍膜裝置包括：真空室(1)， 其腔體內為真空環境；偏壓負載體(2)， 設在所述真空室(1)內， 所述偏壓負載體(2)與所述真空室(1)相互絕緣；位置保持部件(3)， 被配置為將工件的位置保持在所述...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及涂層刀具技術領域， 提供了一種高溫耐磨涂層刀具及其制備方法， 刀具包括基體和涂覆于所述基體上的高溫耐磨涂層；基體為WC基硬質合金；涂層由內向外包括WaAlbSicB2粘結層和TixAlySizB2功能層；其中TixAlySizB2...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及壓力傳感器領域， 具體涉及一種應用于振膜式石英壓力芯體的圖案化側電極沉積治具， 包括：由兩形狀相同的金屬外殼、四定位銷和一金屬蓋板組成的治具本體， 以及用于實現治具本體支撐限位的治具傾斜基座；所述的兩形狀相同的金屬外殼通過四個定位...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種不銹鋼表面復合滲層及其制備方法和應用， 該不銹鋼表面復合滲層包括表面CrN+Cr2N層以及氮化奧氏體擴散層。本發明以梯度離子滲氮處理結合滲鉻處理， 獲得了一種新的不銹鋼表面復合滲層， 與傳統的滲氮后滲鉻方法相比， 本發明的復...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種低氣壓射流等離子體增強化學氣相沉淀設備及其生產方法， 涉及化學氣相沉積領域， 包括：依次連接的等離子體發生器、裂解腔體、生長腔體和回收裝置， 所述等離子體發生器、裂解腔體、生長腔體和回收裝置內部形成依次連通的通道；所述生長腔...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種硅摻雜的二氧化鉿薄膜及其制備方法， 屬于薄膜材料制備領域。其制備：將稱取的粉末前驅體放于前驅體罐中；將單晶硅基板放于化學氣相沉積裝置中， 抽真空并加熱；其中：原料罐的目標溫度為200?250℃， 基板的目標溫度為810?11...
								
        
							
        
							
						
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								      一種適用于柔性膜連續鍍膜的防指紋藥水連續蒸鍍方法：真空鍍膜室內， 成卷的防指紋藥水帶(30)安在放卷輥(21)和收卷輥(22)上、并與驅動機構的轉筒(10)嚙合， 藥水帶上第一塊藥水存儲塊(32)位于阻蒸模塊(40)的鉬舟上；抽真空后， 阻...
								
        
							
        
							
						
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