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          電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 公開了功率放大器電路中的自適應(yīng)偏置。所述功率放大器電路被配置成基于調(diào)制電壓放大射頻(RF)信號(hào)。通常,基于預(yù)先建立的查找表(LUT)生成所述調(diào)制電壓,所述預(yù)先建立的查找表將所述調(diào)制電壓的振幅和相位與所述RF信號(hào)的時(shí)變功率包絡(luò)相關(guān)。在本文公開...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種放大器、射頻芯片及電子裝置。所述放大器包括:場(chǎng)效應(yīng)管,所述場(chǎng)效應(yīng)管包括漏極、柵極和源極,所述場(chǎng)效應(yīng)管用于信號(hào)放大;漏極匹配電路,所述漏極匹配電路的第一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極相連,所述漏極匹配電路的第二端與射頻信號(hào)輸出端...
          • 本申請(qǐng)涉及一種異質(zhì)薄膜襯底的制備方法和濾波器。包括:提供薄膜轉(zhuǎn)移襯底,所述薄膜轉(zhuǎn)移襯底具有相對(duì)的第一表面和第二表面;對(duì)所述薄膜轉(zhuǎn)移襯底進(jìn)行離子注入,以在所述薄膜轉(zhuǎn)移襯底內(nèi)形成注入損傷層;所述離子注入的方向?yàn)樽运龅谝槐砻嬷了龅诙砻妫惶峁?..
          • 本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)用于表面聲波(surface acoustic wave,SAW)諧振器的結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)能夠抑制橫向模式。所公開的質(zhì)量加載條或凹槽(106)的反射陣列創(chuàng)建具有凸形平面內(nèi)分散的SAW模式,這有助于實(shí)現(xiàn)活塞操作模式。所述活塞操作模...
          • 公開了一種壓電驅(qū)動(dòng)硅基MEMS諧振器,包括:襯底,所述襯底包括具有從所述襯底的第一表面向其內(nèi)部延伸的第一腔體以及圍繞所述第一腔體的第一支撐部;疊層結(jié)構(gòu),位于所述襯底上,所述疊層結(jié)構(gòu)被刻蝕形成位于所述第一支撐部上的第二支撐部、懸于所述第一腔體...
          • 本發(fā)明涉及用于讀出10nA或更小的電流的讀出電路(100),其中讀出電路裝備(100)包括電容電流放大器(10)和電流模式下的連續(xù)時(shí)間增量∑?Δ調(diào)制器(20)。此外,本發(fā)明涉及讀出電路的使用和用于讀出讀出電路的方法。
          • 本發(fā)明公開了一種電源動(dòng)態(tài)調(diào)整的短波功率放大裝置,包括電源調(diào)整模塊、射頻功率放大模塊和監(jiān)控模塊,工作于:方式1將直流電源直接供給射頻功放模塊,適合雷達(dá)和通信對(duì)抗領(lǐng)域中恒包絡(luò)信號(hào)的放大,令射頻功放工作在接近飽和狀態(tài)獲得較高效率;方式2跟蹤控制信...
          • 本發(fā)明公開了一種基于分立器件的多通道同步脈沖發(fā)生器,包括同步觸發(fā)控制模塊和M個(gè)同步脈沖發(fā)生電路,同步觸發(fā)控制模塊用于生成觸發(fā)信號(hào),M個(gè)同步脈沖發(fā)生電路用于根據(jù)接收的觸發(fā)信號(hào)分別生成M個(gè)通道脈寬相同的同步脈沖并輸出,同步脈沖發(fā)生電路包括脈沖產(chǎn)...
          • 本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器的分頻同步電路,由分頻重建電路、同步信號(hào)生成電路、時(shí)鐘分發(fā)電路三大主要模塊組成。多通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器需要合理設(shè)計(jì)的時(shí)鐘系統(tǒng)為各模塊的協(xié)同工作提供時(shí)序基礎(chǔ),但現(xiàn)有時(shí)鐘系統(tǒng)存在抖動(dòng)大、狀態(tài)模糊、效率低等問(wèn)題,以...
          • 本發(fā)明涉及智能高邊開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種4路智能高邊開關(guān)電路及其控制方法,電路包括控制器以及分別連接至所述控制器的4路高邊開關(guān)單模塊,每個(gè)所述高邊開關(guān)單模塊的輸入端連接至電壓輸入端,輸出端連接至負(fù)載,每個(gè)所述高邊開關(guān)單模塊包括驅(qū)動(dòng)供電單...
          • 本發(fā)明公開了一種寬帶信號(hào)源系統(tǒng)及控制方法,屬于射頻測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該系統(tǒng)包括基準(zhǔn)源和微波模塊,微波模塊設(shè)有控制板,控制板包含通信接口、DCDC電源和FPGA;基準(zhǔn)源采用雙環(huán)電路結(jié)構(gòu),低噪聲整數(shù)環(huán)生成L波段的三基準(zhǔn)點(diǎn)基準(zhǔn)信號(hào),作為分?jǐn)?shù)鎖相環(huán)的基...
          • 一種釋放延時(shí)時(shí)間可調(diào)的時(shí)間繼電器電路,屬于時(shí)間繼電器技術(shù)領(lǐng)域,包括IO電路、觸發(fā)電路和延時(shí)電路,所述IO電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容、第五電容等,所述觸發(fā)電路包括第六電阻、...
          • 本發(fā)明公開了一種可驅(qū)動(dòng)大電容負(fù)載的高壓理想二極管電路及方法,包含功率管NPW1、功率管NPW2、鉗位環(huán)路和誤差放大器EA,功率管NPW1的漏極與鉗位環(huán)路的第一輸入端連接并連接輸入信號(hào)VIN,功率管NPW1的源極與功率管NPW2的源極和鉗位環(huán)...
          • 本發(fā)明涉及射頻集成電路的技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種結(jié)合匹配網(wǎng)絡(luò)與饋電網(wǎng)絡(luò)的諧波抑制功率放大器,包括晶體管、輸入匹配模塊、輸出匹配模塊、穩(wěn)定模塊和偏置模塊,所述輸入匹配模塊與穩(wěn)定模塊串聯(lián)后耦接于晶體管的柵極,所述輸入匹配模塊包括第一并聯(lián)諧振單元...
          • 一種參考時(shí)鐘信號(hào)生成系統(tǒng),包括第一耦合器、選擇開關(guān)控制模塊、選擇開關(guān)、晶振、第二耦合器、鎖相模塊和可調(diào)電阻;所述晶振的輸入端與選擇開關(guān)的輸出端相連,所述晶振的輸出端與第二耦合器的輸入端相連;所述可調(diào)電阻的輸入端與晶振的輸出端相連,所述可調(diào)電...
          • 本發(fā)明公開了一種基于通感傳改進(jìn)型蘭格耦合器的負(fù)載調(diào)制平衡功率放大器。該功率放大器包括驅(qū)動(dòng)級(jí)功放模塊、功率分配模塊、控制路模塊、平衡路模塊和相位偏移模塊。通過(guò)分析蘭格耦合器參數(shù)對(duì)負(fù)載調(diào)制平衡功放的功率合成效率和實(shí)際傳輸系數(shù)的影響,實(shí)現(xiàn)回退效率...
          • 提供一種功率放大電路,抑制線性度的下降。包括:在第一模式及第二模式的情況下向第一放大器賦予偏置的第一偏置電路;以及在第二模式的情況下向第二放大器賦予偏置的第二偏置電路。第一偏置電路包括:集電極與電源電位連接、發(fā)射極與第一放大器連接、基極與電...
          • 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種低回踢噪聲的可綜合動(dòng)態(tài)電壓比較器。本發(fā)明的可綜合動(dòng)態(tài)電壓比較器包括時(shí)鐘延遲模塊、輸入比較級(jí)和輸出鎖存級(jí)電路。動(dòng)態(tài)電壓比較器工作于兩個(gè)相位:復(fù)位相位和比較相位。其中,復(fù)位相位同時(shí)采樣輸入電壓和鎖存比較結(jié)果,...
          • 本發(fā)明涉及一種抗輻射加固的真單相時(shí)鐘觸發(fā)器,所述觸發(fā)器包括:雙模冗余的數(shù)據(jù)傳輸模塊,通過(guò)對(duì)稱的TSPC路徑獨(dú)立生成信號(hào)QN1/QN2,屏蔽單粒子瞬態(tài)(SET)錯(cuò)誤;互鎖型的數(shù)據(jù)鎖存模塊,由交叉耦合節(jié)點(diǎn)Q1/QN1/Q2/QN2構(gòu)成雙向恢復(fù)電...
          • 本申請(qǐng)屬于射頻電路領(lǐng)域,尤其涉及一種控制過(guò)沖電壓存在時(shí)長(zhǎng)的工藝角自調(diào)電路及方法,包括:判決電壓生成電路,用于生成判決電壓并輸出至上限比較器和下限比較器的正輸入端;窗口電壓生成電路,用于生成包括上限窗口電壓和下限窗口電壓的窗口電壓,將上限窗口...
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