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								      本發(fā)明增加了場效應晶體管的互導。半導體裝置包括：半導體部分，其具有上表面和側(cè)面；場效應晶體管，其具有設置在半導體部分的上表面和側(cè)面上柵電極；以及應力部分，其設置在半導體部分的上表面和柵電極之間，并且應力部分在半導體部分中產(chǎn)生在流過半導體部分...
								
        
							
        
							
						
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								      氧化物半導體膜是具有結(jié)晶性的氧化物半導體膜，氧化物半導體膜包含銦(In)和選自由鋁(Al)、鎵(Ga)、釔(Y)、鈧(Sc)及鑭系元素組成的組中的第1金屬元素(M1)，氧化物半導體膜的晶體結(jié)構(gòu)為方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)，在通過使用Cu?Kα射線的面外...
								
        
							
        
							
						
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								      提供了一種氣溶膠形成基質(zhì)。氣溶膠形成基質(zhì)是基本上平面的氣溶膠形成基質(zhì)，其包括上層和下層。上層和下層布置為由位于上層與下層之間的中間或分離層間隔開的基本上平行的平面。分離層包括由具有三角形波紋輪廓的波紋片材形成的波紋元件或由所述波紋元件組成。
								
        
							
        
							
						
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								      一種氣溶膠形成基質(zhì)包括用于產(chǎn)生氣溶膠的氣溶膠形成材料。氣溶膠形成基質(zhì)具有由x尺寸和y尺寸限定的基部，以及由z尺寸限定的高度，其中氣流路徑限定為在x/y平面中從氣溶膠形成基質(zhì)的一側(cè)到氣溶膠形成基質(zhì)的另一側(cè)穿過氣溶膠形成基質(zhì)，并且其中沿著氣流路...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于外科手術(shù)的裝置(1)，該裝置包括基座(2)，用于經(jīng)由手術(shù)器械的可釋放系繩(4)可釋放地固定手術(shù)器械(3)，該基座包括一個或多個端口(5)，該端口或每個端口被適配為使得：當系繩被固定時，由該端口或該系繩提供附接或分離的可見指示。
								
        
							
        
							
						
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								      本文提供了化合物，其總體而言用于抑制NLRP3炎癥小體，或更具體而言用于治療NLRP3炎癥小體依賴性病癥，分別通過使NLRP3炎癥小體與具有結(jié)構(gòu)(A′)的化合物或其藥學上可接受的鹽、異構(gòu)體、水合物、溶劑化物或同位素接觸、或向有需要的個體施用...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)聚酯的方法，所述方法包括：(a)提供一種含乙二醇的生物質(zhì)基組合物，根據(jù)ASTM方法E2193?16測定，該組合物在275nm處的UV透光率低于40％；以及(b)使所述生物質(zhì)基組合物與至少一種試劑接觸以形成聚酯。
								
        
							
        
							
						
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								      披露了一種監(jiān)測粘合層的電子設備和方法，該方法包括：獲得傳感器數(shù)據(jù)，該傳感器數(shù)據(jù)包括來自與粘合層相關(guān)聯(lián)的第一電極對的第一傳感器數(shù)據(jù)；基于傳感器數(shù)據(jù)確定指示粘合層的第一電性質(zhì)的第一參數(shù)；基于傳感器數(shù)據(jù)確定指示粘合層的第二電性質(zhì)的第二參數(shù)；基于第...
								
        
							
        
							
						
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								      無注釋情況下非剛性可變形對象的無監(jiān)督體積3D動畫(UVA)僅從單視圖紅/綠/藍(RGB)視頻中學習對象的3D結(jié)構(gòu)和動態(tài)，并將單視圖RGB視頻分解為可以被跟蹤和被制作動畫的語義有意義的部分。使用3D自動解碼器框架，經(jīng)由可微透視n點(PnP)算...
								
        
							
        
							
						
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								      提供一種聚合物電解質(zhì)，其即使在高溫范圍內(nèi)強度也不易發(fā)生任何降低，并且即使不依賴于液體電解質(zhì)，在室溫和較低溫度下也具有高的離子導電率。該聚合物電解質(zhì)包含具有特定的具有自由末端的聚醚結(jié)構(gòu)、使用特定聚醚生成的交聯(lián)結(jié)構(gòu)和特定的銨陽離子性基團的聚合物...
								
        
							
        
							
						
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								      本文公開了一種用于基板支撐組件的電連接器。所述電連接器包括第一界面主體、耦接到所述第一界面主體的第二界面主體和在所述第二界面主體內(nèi)的凹陷。所述第一界面主體和所述第二界面主體中的每一者包含在相應的第一和第二界面主體內(nèi)形成的插座中設置的多個電氣...
								
        
							
        
							
						
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								      本燃料電池裝置包括重整器、燃料電池和控制裝置。控制裝置獲取通過檢測每個原材料的供應量而獲得的第一值。控制裝置基于相應第一值來計算第一比率和第二比率。當?shù)谝槐嚷屎偷诙嚷手械闹辽僖粋€超出針對每個比率確定的可接受范圍時，如果第二值和第一值之間的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種電池組(B)，包括：至少一個儲能模塊(1)；殼體(3)，用于接收至少一個儲能模塊(1)；側(cè)蓋(2)，適于封閉所述殼體(3)；電子蓋(6)，適于在所述側(cè)蓋(2)的相對側(cè)封閉所述殼體(3)；連接器(7)，位于所述電子蓋(6)上；以...
								
        
							
        
							
						
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								      描述用于存儲器裝置的單個塞流的方法、系統(tǒng)和裝置。在一些實例中，所述存儲器裝置可包含形成于相應位線板上方的一或多個插塞。所述插塞可包含內(nèi)襯和在后續(xù)蝕刻操作期間去除的一或多種犧牲材料。因此，支柱可形成于所述插塞上方，并且可大體上與所述相應位線板...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種即便在高溫、高濕度環(huán)境以及腐蝕性氣體環(huán)境等嚴酷的環(huán)境下也具有高可靠性的半導體發(fā)光元件及半導體發(fā)光裝置。其具有：設置在透光性基板上并具有發(fā)光功能部的發(fā)光功能半導體層，該發(fā)光功能部由依次層疊了第一半導體層、發(fā)光層及第二半導體層的層...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種經(jīng)皮牙科裝置，其包括具有至少兩個不同表面區(qū)域的軟組織區(qū)域，該至少兩個表面區(qū)域具有不同的各向同性表面形貌，在它們的界面處形成原位CEJ(iCEJ)，用于改善裝置放置位點的牙槽嵴上皮和牙槽嵴上結(jié)締組織的軟組織愈合和/或軟組織再生。...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開涉及一種式(I)所示的強心苷和/或強心苷元化合物的抗體藥物偶聯(lián)物、其制備方法以及其在預防和/或治療與細胞活動異常相關(guān)的疾病，包括但不限于在預防和/或治療腫瘤疾病中的用途。
							  2025-09-07
							
        
						
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								      本發(fā)明提供了一種霧化器（100），包括一個或多個輸入部（110）以及與該一個或多個輸入部（110）流體連通的多個液滴噴射器（126）。每個液滴噴射器包括噴嘴部分和壓電致動器。一個或多個輸入部用于接收一種或多種液體。每個噴嘴部分限定與一個或多...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于在具有磷光涂層的書寫板上繪圖和/或?qū)W習書寫的模板(1)，該書寫板可通過尖端(3)帶有光源的筆(2)進行書寫，以及由各部件組成的套件，包括模板(1)、書寫板和筆(2)。模板(1)至少有一個用于引導筆(2)尖端(3)的槽(4)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種由甲醇或氨獲得氫氣的方法。本發(fā)明的特征在于，在第一步驟中，蒸發(fā)甲醇或氨；在第二步驟中，將甲醇或氨重整以形成含氫氣的氣體混合物；在第三步驟中，將氣態(tài)重整產(chǎn)物冷卻到25℃至100℃；在第四步驟中，在1巴至60巴的壓力和25℃至10...
								
        
							
        
							
						
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