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								      本申請涉及一種超滑類金剛石碳基涂層、復合涂層及其制備方法，所述類金剛石碳基涂層包括碳、氫和摻雜元素，所述摻雜元素包括弱碳化物形成金屬元素、強碳化物形成金屬元素和非金屬元素；其中，所述類金剛石碳基涂層中，以碳和摻雜元素的原子總量計，碳的原子百...
								
        
							
        
							
						
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								      一種具有自修復性能的銅基氧化釔涂層的制備方法，包括以下步驟：將采用脈沖直流磁控濺射方式在無氧銅基體表面濺射沉積形成氧化釔涂層；將含有氧化釔涂層的無氧銅基體傳輸至冷卻室內，進行靜置冷形成涂層基體；將涂層基體送入管式爐內，并向管式爐內通入氬氫混...
								
        
							
        
							
						
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								      [課題]提供：可以抑制蝕刻后的金屬膜的表面粗糙的基板處理裝置、基板處理方法和化學溶液。[解決方案]基板處理裝置具備：基板旋轉部，其保持在表面形成有金屬的膜的基板并使其旋轉；第1供給部，其向前述基板供給包含螯合劑和溶劑的第1處理液；第2供給部...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于材料熱噴涂技術領域，公開了一種聚丙烯腈基碳纖維輥熱噴涂Cr2O3層的方法和應用。該方法是先在聚丙烯腈基輥件基體表面進行噴砂預處理；采用火焰噴涂法以乙炔為主氣，氧氣為輔氣，在輥基體的表面噴...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種耐高溫ITO導電玻璃及其制備方法，涉及透明導電材料領域，該ITO導電玻璃的制備方法為：先清洗玻璃基板，將干凈的玻璃基板放入磁控濺射的制備臺上，同時將ITO陶瓷靶材、SnO2陶瓷靶材和Si3
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種高溫耐磨自潤滑摻硼類金剛石涂層及其制備方法與應用，屬于涂層材料技術領域。該摻硼類金剛石涂層包括在基底表面沉積的Cr打底層、CrxByCz梯度過渡層和B?DLC...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種具有高遷移率的透明導電薄膜及其制備方法，涉及透明導電薄膜的技術領域，透明導電薄膜以高純度ITO陶瓷材料作為靶材，以氬氣作為工作氣體，采用磁控濺射的方法在MgO基底上進行薄膜沉積得到，其中高純度ITO陶瓷材料由質量比為9:1的I...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于復合涂層制備技術領域，具體涉及一種用于涂層石墨坩堝復用的涂層修復方法。本發明將等離子體噴涂后的片層結構進行激光重熔，降低涂層表面的孔隙率，激光熔覆后的涂層面再經過真空熱壓，熱壓后的涂層內部的孔隙大大減少，同時涂層與基體、涂層與涂層...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及空間原子層沉積技術領域，公開了一種傳送系統及空間原子層沉積設備，其中傳送系統包括驅動單元和載臺，驅動單元的驅動端設置有齒輪，載臺上設置有與齒輪嚙合的齒條，載臺用于在空間原子層沉積設備的反應腔室內運載待鍍工件，驅動單元用于驅使載...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種介電常數穩定型高導熱金剛石基微波衰減材料及其制備方法，涉及微波衰減材料制備技術領域。該制備方法包括：在精拋處理的石墨基片表面鍍覆合金襯底，用化學氣相沉積法在所述合金襯底上沉積摻硼金剛石膜，得到復合片；采用慢速伺服磨削技術去除所...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明為一種兼顧硬度與韌性的鉻?氧納米復合涂層及其制備方法，具體涉及防護涂層技術領域。所述復合涂層為單層納米復合結構或Cr層與氧化物層交替堆疊形成的多層結構。復合涂層結構有以下三種形式：①Cr相與Cr2O3<...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種在高長徑比小孔徑管道內批量鍍制非蒸散型吸氣劑薄膜的方法及裝置，包括上腔體及下腔體，所述的上腔體及下腔體之間設有連通兩者的管組件，所述的管組件沿周向至少均勻設置四組，每組所述的管組件均分別包括從上至下依次連通的上過渡波紋管、電極...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種微型比例閥梯度復合涂層及其制備方法，屬于微型比例閥表面強化制造技術領域。本發明針對微型比例閥在強腐蝕、多雜質、高壓差工況下的耐蝕耐磨需求，結合金屬基體與功能涂層的界面強化及耐腐耐磨性能優化，涵蓋金屬/陶瓷/高分子梯度材料設計...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種具有多樣化色彩效果的顯示面板的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：(1)圖案設計：設計顯示面板的色彩圖案；(2)仿真模擬：在麥克勞德軟件中輸入顯示面板所使用的基材及靶材的折射率數據，然后進行仿真，仿真出靶材所形成的膜層在不同...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種金屬電極制備方法，可用于半導體制造領域，該方法中，首先，提供基底；而后，利用離子束刻蝕技術將氬離子嵌入基底表面；繼而，通過電子束蒸鍍工藝，在基底表面依次生長金屬過渡層和金屬種子層；最后，利用磁控濺射技術，采用與金屬種子層相同...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開基于硼靶材磁控濺射的等離子刻蝕方法和鍍膜方法，屬于薄膜材料制備技術領域。等離子刻蝕方法包括：在磁控濺射設備真空室中，樣品架上安裝基片，陰極上安裝硼靶材；對磁控濺射設備真空室抽真空，通入氬氣，對所述基片施加雙極脈沖偏壓，對所述硼靶材...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于Mn?Co?Ni?O薄膜的橋式結構微測輻射熱計及其制備方法。本發明考慮了Mn?Co?Ni?O后高溫退火工藝，在釋放完犧牲層的懸浮結構上進行退火，兼容有機犧牲層材料釋放工藝，對懸浮結構進行退火將最小化由于襯底各層材料在高溫...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及掩模的制造方法和掩模。掩?？梢跃邆洌涸诘?方向上相向的第1端部和第2端部；和位于第1端部與第2端部之間并包含貫通孔組的中間部。掩模的制造方法可以具備：中間部形成步驟，在基材形成中間部的外緣和貫通孔組；第1端部形成步驟，在基材形成第...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供了一種OLED顯示面板制作中使用的高精密度金屬掩膜版的制備方法，包括：在鎳鐵合金樣品的表面形成氧化膜的步驟。通過超聲清洗后對鎳鐵合金樣品進行堿處理，可以在鎳鐵合金的表面形成以四氧化三鐵和氧化鎳為主的氧化膜。該氧化膜中四氧化三鐵比例...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種改善Ti(C,N)基金屬陶瓷刀具斷續切削性能的方法及刀具，本發明通過物理氣相沉積在Ti(C,N)基金屬陶瓷基體上依次沉積AlTiN過渡層和AlTiN/AlCrN耐磨層，調控AlTiN過渡層與金屬陶瓷基體形成共格/半共格界面，...
								
        
							
        
							
						
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