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五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)

一種金銀線用真空鍍錫裝置

本實用新型公開了一種金銀線用真空鍍錫裝置，包括設(shè)置于真空鍍錫爐內(nèi)部的蓄液筒、線材和一上一下平行設(shè)置的固定板，所述固定板均設(shè)置于蓄液筒的內(nèi)部，固定板之間安裝有豎板，固定板上均設(shè)有多個凹槽，凹槽的一側(cè)面上均設(shè)有多個定位槽，線材的兩端均延伸至定位...

2025-08-21
一種可以實現(xiàn)有機物線性蒸發(fā)的裝置及方法

本發(fā)明公開了一種可以實現(xiàn)有機物線性蒸發(fā)的裝置，包括金屬圍罩，所述金屬圍罩內(nèi)部設(shè)有油浴加熱區(qū)，所述油浴加熱區(qū)內(nèi)部設(shè)有多對進油口和出油口以及兩個隔絕層，每對所述進油口和出油口端部均連接有輸油泵口，所述油浴加熱區(qū)內(nèi)部設(shè)有蒸發(fā)區(qū)，所述蒸發(fā)區(qū)內(nèi)部通過...

2025-08-21
濺射方法

一種濺射方法，包括：提供基板；提供目標靶材；按照目標比例通入多種惰性氣體的混合氣體作為工作氣體，其中，目標比例下混合氣體的平均分子量與目標靶材的分子量之差小于預(yù)設(shè)值；采用工作氣體轟擊目標靶材進行濺射，在基板上形成目標膜層。本發(fā)明有利于提高目...

2025-08-21
等離子體處理方法和等離子體處理裝置

等離子體處理方法包括以下工序：工序(a)，使用在腔室內(nèi)從包含含碳氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體，來在腔室的內(nèi)壁以及在腔室內(nèi)用于支承第一基板的基板支承面形成第一膜；工序(b)，在形成有第一膜的基板支承面上載置第一基板；以及工序(c)，在...

2025-08-21
一種高溫耐磨涂層刀具及其制備方法

一種高溫耐磨涂層刀具及其制備方法，包括：基體和涂覆于基體上的高溫耐磨涂層，其由內(nèi)向外依次包含：Nb粘結(jié)層；ε?NbN過渡層；Nb₂N/NbN_x功能層，其包含交替沉積的Nb₂N...

2025-08-21
一種具備廢料收集結(jié)構(gòu)的自動化鋼絲鍍鋅設(shè)備

本發(fā)明公開了一種具備廢料收集結(jié)構(gòu)的自動化鋼絲鍍鋅設(shè)備，涉及鋼絲鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域，該設(shè)備包括鍍鋅池，所述鍍鋅池的內(nèi)部對稱轉(zhuǎn)動連接有兩組限位輥，所述鍍鋅池的一端安裝有支撐箱，所述支撐箱的一側(cè)固定連接有排料箱，所述排料箱與鍍鋅池固定連接，所述鍍鋅池上...

2025-08-21
基于MPCVD工藝的氧化鎵薄膜及其制備方法

本申請?zhí)峁┝艘环N基于MPCVD工藝的氧化鎵薄膜及其制備方法，屬于半導體領(lǐng)域。該方法包括采用MPCVD工藝，往反應(yīng)腔內(nèi)通入鎵源、氧源、生長氣體，在反應(yīng)腔內(nèi)外延得到氧化鎵薄膜。通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)得到工藝參數(shù)配方，從而使MPCVD工藝可以應(yīng)用于氧化...

2025-08-21
一種形成組分漸變薄膜的釕鈷合金靶材濺射方法

本發(fā)明提供了一種形成組分漸變薄膜的釕鈷合金靶材濺射方法，包括以下步驟：將釕鈷成分比例不同的兩種長條狀靶材依次交替拼接形成釕鈷合金平面濺射靶材；沿所述釕鈷合金平面濺射靶材的寬度方向布置移動磁鐵組，且所述移動磁鐵組至少允許沿所述寬度方向移動；控...

2025-08-21
氟化釔膜和制備和使用氟化釔膜的方法

本發(fā)明描述氟化釔組合物，包括含有氟化釔的沉積膜，例如涂層；制備氟化釔組合物和含有氟化釔的沉積膜涂層的方法；以及具有在表面處含有氟化釔的沉積膜涂層的襯底和包括所述襯底的方法和設(shè)備。

2025-08-21
一種低應(yīng)力高反射率的光學復合薄膜及其制備方法和應(yīng)用

本發(fā)明屬于光學元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種低應(yīng)力高反射率的光學復合薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明包括如下步驟：S1、分別稱取SiO蒸發(fā)料和Ge蒸發(fā)料放入蒸發(fā)臺內(nèi)，并抽真空；S2、依次在硅片上沉積

2025-08-21
一種基于PLC的氣相沉積爐控制方法、系統(tǒng)及可讀存儲介質(zhì)

本發(fā)明提供了一種基于PLC的氣相沉積爐控制方法、系統(tǒng)及可讀存儲介質(zhì)，屬于氣相沉積領(lǐng)域；解決了現(xiàn)有氣相沉積技術(shù)存在多變量控制精度不足、故障診斷滯后、工藝運行繁瑣等技術(shù)問題；為解決該技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種基于PLC的氣相沉積爐控制系統(tǒng)，...

2025-08-21
一種柔性鋯酸鋇光電薄膜及其制備方法和應(yīng)用

本發(fā)明公開了一種柔性鋯酸鋇光電薄膜及其制備方法和應(yīng)用。該柔性鋯酸鋇光電薄膜的制備方法，包括以下步驟：在襯底上制備水溶性鋁酸鍶犧牲層；采用溶膠凝膠法或射頻磁控濺射法在所述水溶性鋁酸鍶犧牲層上沉積鋯酸鋇，得到生長在犧牲層上的鋯酸鋇薄膜；將生長在...

2025-08-21
一種梯度氮化層輔助的工程鋼表面超低摩擦碳薄膜制備方法

本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種梯度氮化層輔助的工程鋼表面超低摩擦碳薄膜制備方法。該方法通過多步驟協(xié)同工藝實現(xiàn)：首先將工程鋼置于真空室內(nèi)，抽真空至預(yù)定值；依次利用電弧技術(shù)沉積金屬過渡層與氮化物承載層；隨后通過磁控濺射制備氮化硅粘結(jié)層；...

2025-08-21
一種平面靶濺射鍍膜機制備銀灰色工藝方法

本發(fā)明涉及PVD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種平面靶濺射鍍膜機制備銀灰色工藝方法，包括如下步驟：將基材放置于真空室，通入氬氣，利用離子束對基材表面進行轟擊；開啟Cr靶，調(diào)整Cr靶電流與偏壓，在基材表面形成打底層；通入氮氣，開啟Si靶，在打底層表面...

2025-08-21
用于光陽極的石墨相氮化碳膜及其形成方法

一種用于通過熱蒸氣冷凝形成石墨相氮化碳(g?CN)膜的方法，所述方法包括以下步驟：a)在容器中提供固相硫脲前體和固相三聚氰胺前體；b)用第一基底覆蓋所述容器；以及c)在空氣環(huán)境中從所述固相硫脲前體和所述固相三聚氰胺前體熱產(chǎn)生氣相硫脲源和氣相...

2025-08-21
一種復合硬質(zhì)合金涂層及其制備方法和應(yīng)用

本發(fā)明提供了一種復合硬質(zhì)合金涂層及其制備方法和應(yīng)用，屬于硬質(zhì)合金涂層技術(shù)領(lǐng)域，其中，該復合硬質(zhì)合金涂層，包括依次沉積于硬質(zhì)合金基材表面的TiAlSiN打底層、梯度過渡層和功能層；功能層包括元素Me或元素Me的氮化物；梯度過渡層包括TiAlS...

2025-08-21
一種耐熱沖擊氧化鋁涂層的制備方法

一種耐熱沖擊氧化鋁涂層的制備方法，包括以下步驟：將經(jīng)過氣體離子源轟擊清洗后的無氧銅基體送入第一鍍膜工藝腔室內(nèi)，采用雙靶材通過脈沖直流磁控濺射方式進行同步濺射，以在無氧銅基體表面形成從純鎳層過渡到純鉻層的鎳、鉻復合梯度過渡層；將表面沉積鎳、鉻...

2025-08-21
一種雙屏障自潤滑防結(jié)焦復合涂層及其制備方法

本公開提出一種雙屏障自潤滑防結(jié)焦復合涂層及其制備方法，屬于鍋爐防結(jié)焦涂層技術(shù)領(lǐng)域。復合涂層包括：底層和面層，所述底層為多孔結(jié)構(gòu)，且所述底層采用合金材料形成；所述面層包括位于所述底層上的包覆層和嵌設(shè)于所述底層多孔結(jié)構(gòu)中的內(nèi)嵌層，所述面層采用微...

2025-08-21
一種緩沖層輔助的超平二維碲烯相的制備方法

本發(fā)明公開了一種緩沖層輔助的超平二維碲烯相的制備方法，包括以下步驟：以金(100)單晶為基底；通過調(diào)節(jié)克努森擴散爐的設(shè)定溫度，研究在對應(yīng)溫度下碲在室溫的基底上的沉積量，從而確定克努森擴散爐的設(shè)定溫度和碲的蒸發(fā)量的關(guān)系；研究在特定克努森擴散爐...

2025-08-21
用于高碳鉻不銹鋼鈍化膜的鈍化液及鈍化方法

本發(fā)明公開了一種用于高碳鉻不銹鋼鈍化膜的鈍化液及鈍化方法，鈍化液包含第一、二鈍化液，第一鈍化液由5?30％檸檬酸、11?32％羥基乙叉二磷酸、5?9％水解聚馬來酸酐和去離子水組成；第二鈍化液含0.5?2.5％咪唑啉、2?4％聚乙二醇等成分及...

2025-08-21

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