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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明公開(kāi)一種鈣鈦礦氣態(tài)分子真空噴繪沉積成膜設(shè)備,包括真空腔,配合門板形成密閉空間,真空腔內(nèi)設(shè)置三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置和基底承載臺(tái),三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置置于真空腔底部,三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置上設(shè)置至少一噴繪裝置,底承載臺(tái)置于噴繪裝置上方,噴繪裝置通過(guò)...
      • 本發(fā)明提供一種基于模板印刷的預(yù)圖案化材料激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移方法,將模板印刷和激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移相結(jié)合,包括:步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料;步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶,與受體板形成可調(diào)節(jié)間隙;步驟3、調(diào)整Z軸位移平臺(tái)...
      • 本發(fā)明提供一種MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法及裝置,屬于半導(dǎo)體氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明的MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法,通過(guò)實(shí)時(shí)采集對(duì)MOCVD反應(yīng)時(shí)反應(yīng)腔室外的運(yùn)行參數(shù),并與更新后的對(duì)照表進(jìn)行對(duì)比,可以避免這些間接參數(shù)存在的延時(shí)性影響,可...
      • 本發(fā)明屬于電子元器件的技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用、含鉿薄膜及其形成方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供了含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用,該所述含鉿前驅(qū)體包括式(1)所示的化合物,通過(guò)環(huán)戊烯基以及二烷基膦基在結(jié)構(gòu)中的引入,賦予其...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高親水性的DLC膜的制備方法,包括:制備原始DLC膜;在真空環(huán)境下,將氮?dú)饣蛘哐鯕庾⑷胨鲈糄LC膜的表面,并維持第一預(yù)設(shè)時(shí)間,獲得第一DLC膜;在水蒸氣環(huán)境下,保持預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)相對(duì)濕度,將所述第一DLC膜放置第二預(yù)設(shè)時(shí)...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了控制生產(chǎn)熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設(shè)備及方法,移動(dòng)載具通過(guò)第一導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在主支架上,框架固定在移動(dòng)載具上,在框架上設(shè)有第二導(dǎo)軌;風(fēng)箱結(jié)構(gòu)分為的左側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu)和右側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu),風(fēng)箱結(jié)構(gòu)通過(guò)第二導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在框架上,在左、右風(fēng)箱結(jié)構(gòu)之間...
      • 本公開(kāi)提供了一種刮刀裝置及真空鍍膜系統(tǒng);刮刀裝置用于真空鍍膜,包括:操作平臺(tái),操作平臺(tái)配置為裝配集流體薄膜;刮輪,刮輪設(shè)于操作平臺(tái),刮輪配置為刮除集流體薄膜超出預(yù)設(shè)高度的部分;其中,刮輪朝向操作平臺(tái)的一面為第一面,第一面為曲面,所述第一面為...
      • 本發(fā)明涉及鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了連通式管狀件熱鍍鋅裝置及其工作方法,包括鍋體、精置箱、活動(dòng)軌道、活動(dòng)夾持裝置、母鋅鍋、子鋅鍋、伸縮氣缸裝置和連接槽,母鋅鍋的兩側(cè)內(nèi)壁交錯(cuò)開(kāi)設(shè)有安裝槽,在母鋅鍋的內(nèi)部對(duì)應(yīng)安裝槽位置設(shè)置有約束板,在約束板的兩側(cè)交...
      • 本發(fā)明提供一種用于多MOCVD反應(yīng)室的同步控制方法及裝置,在串聯(lián)式MOCVD反應(yīng)室中,通過(guò)在當(dāng)前反應(yīng)室已完成其對(duì)應(yīng)的外延層生長(zhǎng)的工序,但負(fù)責(zé)下一工序的反應(yīng)室尚未結(jié)束時(shí),基于當(dāng)前反應(yīng)室的生長(zhǎng)溫度及下一反應(yīng)室的生長(zhǎng)溫度,利用托盤徑向上的溫度差異...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁控濺射的異型腔體內(nèi)壁鍍膜裝置,包括工作臺(tái)、真空腔體、第一磁體線圈、第二磁體線圈、第一支架、第二支架和濺射靶體,通過(guò)真空腔體提供鍍膜所需的高真空環(huán)境,真空腔體內(nèi)部設(shè)有異型腔體支撐結(jié)構(gòu),確保異型腔體在鍍膜過(guò)程中保持穩(wěn)定,通...
      • 本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)外復(fù)合陶瓷環(huán)及石墨舟,屬于石墨舟技術(shù)領(lǐng)域,包括內(nèi)陶瓷環(huán)、外陶瓷環(huán)以及連接環(huán),同軸套裝于內(nèi)陶瓷環(huán)的外面,外陶瓷環(huán)與內(nèi)陶瓷環(huán)之間形成環(huán)形空腔;內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向長(zhǎng)度大于外陶瓷環(huán)的軸向長(zhǎng)度,且內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向兩端均凸伸于外陶瓷環(huán)的...
      • 本發(fā)明涉及一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層,屬于銑刀涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層,具體制備方法為,將銑刀超聲波清洗,吹干,干燥,離子刻蝕,得到處理后的刀具,進(jìn)行第一HiPIMS沉積得到第一涂層后,...
      • 本發(fā)明涉及一種環(huán)境自適應(yīng)潤(rùn)滑同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜的可控制備方法,包括以下步驟:⑴將硅片基底用不同類型的溶劑超聲清洗、烘干后即得干燥硅片;⑵采用由MoS2靶材、WS2靶材和Ti靶材三個(gè)磁控濺射源組成的多...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種PGTVD真空鍍膜用供氣裝置,涉及供氣裝置技術(shù)領(lǐng)域,其技術(shù)方案是:包括殼體,殼體上設(shè)有圓槽和方槽,殼體內(nèi)部設(shè)有過(guò)濾機(jī)構(gòu)和吸附機(jī)構(gòu),殼體一側(cè)設(shè)有控制組件;過(guò)濾機(jī)構(gòu)包括圓板,圓板設(shè)于殼體一側(cè),圓板兩側(cè)均固定設(shè)有滑板,圓板頂部和底...
      • 本發(fā)明涉及硬質(zhì)合金刀具技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了高性能高精度涂層硬質(zhì)合金數(shù)控刀具,包括P類硬質(zhì)合金基體和沉積在硬質(zhì)合金基體表面的涂層,硬質(zhì)合金基體上脫β層厚度為20~25μm,涂層包括內(nèi)層、中層和外層,內(nèi)層材料為MT?TiCN,中層材料為TiAl...
      • 本發(fā)明的類金剛石碳膜的表面加工方法包括:在類金剛石碳膜上形成微孔結(jié)構(gòu);在所述類金剛石碳膜上涂覆有機(jī)硅聚合物從而形成附著層;以及利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在所述有機(jī)硅聚合物上形成無(wú)機(jī)化合物層。該方法簡(jiǎn)單高效,能夠有效改變類金剛石碳膜的表面延...
      • 本實(shí)用新型提供了一種絕緣陶瓷套及石墨舟,屬于石墨舟技術(shù)領(lǐng)域,包括第一絕緣件以及第二絕緣件,第一絕緣件具有外絕緣套以及一體成型于的第一絕緣端蓋;第二絕緣件具有內(nèi)絕緣套以及一體成型的第二絕緣端蓋;內(nèi)絕緣套的外徑小于外絕緣套的內(nèi)徑,內(nèi)絕緣套同軸套...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于光學(xué)鍍膜的夾具,包括鍍膜盤,鍍膜盤內(nèi)開(kāi)設(shè)有安裝腔,鍍膜盤上安裝有多個(gè)夾持組件,夾持組件包括滑動(dòng)安裝在鍍膜盤頂部的夾塊,夾塊上斜向插設(shè)有斜頂塊,斜頂塊貫穿伸入安裝腔內(nèi),安裝腔內(nèi)設(shè)有安裝座,安裝座上安裝有與斜頂塊數(shù)量相對(duì)...
      • 提供了一種用于熱蒸鍍的方法和設(shè)備。所述熱蒸鍍器包括蒸鍍器主體,所述蒸鍍器主體可操作用于存放和蒸鍍待沉積的涂覆材料兩者。所述蒸鍍器主體包括:圓柱形壁,所述圓柱形壁具有第一端部和與所述第一端部相反的第二端部;第一側(cè)壁,所述第一側(cè)壁與所述圓柱形壁...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種降低塑料夾具表面應(yīng)力的真空處理方法,首先對(duì)塑料夾具基材進(jìn)行清潔處理,再對(duì)所述塑料夾具基材進(jìn)行等離子刻蝕,并以石墨作為靶材,采用物理氣相沉積法在所述塑料夾具基材沉積DLC薄膜,其中,石墨靶材的電流為1.5?3.0A,控制所述塑...
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