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      首頁(yè) 專利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服務(wù) 國(guó)際服務(wù) 商標(biāo)交易 會(huì)員權(quán)益 需求市場(chǎng) 關(guān)于龍圖騰
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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明涉及一種高熱擴(kuò)散系數(shù)導(dǎo)熱涂層及其制備方法,屬于表面工程技術(shù)領(lǐng)域,解決現(xiàn)有解決飛行器結(jié)構(gòu)熱應(yīng)力分布不均勻的方法成本高導(dǎo)熱率低的問(wèn)題。包括按照質(zhì)量配比稱取Cu粉、Ag粉和NiCoCrAlY粉,得到第一原料粉;稱取NiCoCrAlY粉為第二...
      • 本發(fā)明涉及一種高結(jié)合強(qiáng)度耐磨涂層及其制備方法,包括以下步驟:對(duì)基材表面進(jìn)行拋光處理,再進(jìn)行超聲清洗和干燥,得到預(yù)處理基材;利用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在預(yù)處理基材表面沉積TiAlSiN過(guò)渡層;利用高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在TiAlSiN過(guò)渡層上...
      • 本實(shí)用新型涉及一種型鋼熱鍍鋅設(shè)備,屬于熱鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)方案是:磁力輥架的前端低點(diǎn)位于鋅鍋出料側(cè),磁力輥架的后端高點(diǎn)與斜輥道相匹配,斜輥道向上傾斜,與一排磁力輥傾斜的角度相匹配;所述磁力輥架的前端低點(diǎn)設(shè)置風(fēng)刀,風(fēng)刀噴吹的風(fēng)向朝向鋅鍋;提料...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鍍鋅管用熱鍍鋅冷卻水槽水蒸氣回收裝置,包括設(shè)置在冷卻池口外兩側(cè)的立板,立板的頂部連接有橫板,橫板遠(yuǎn)離立板的一端鉸接有遮擋板,橫板上安裝有控制遮擋板角度的調(diào)整組件;立板上開(kāi)設(shè)有若干個(gè)安裝孔,安裝孔內(nèi)插入有L形的吸氣管,吸氣...
      • 本發(fā)明涉及鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種電容薄膜鍍膜機(jī),包括鍍膜箱,還包括:靶材,靶材安裝于鍍膜箱內(nèi)部,靶材上方設(shè)置有安裝于鍍膜箱內(nèi)壁的離子源;卷繞組件,卷繞組件設(shè)置于鍍膜箱內(nèi)部,且卷繞組件用于對(duì)電容薄膜進(jìn)行卷繞;變速組件,變速組件設(shè)置于鍍膜箱...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種抗CMAS腐蝕的熱障涂層及其制備方法,屬于熱障涂層技術(shù)領(lǐng)域,制備方法包括:制備粘結(jié)層;在粘結(jié)層上制備YSZ涂層;在YSZ涂層上采用Gd2O3陶瓷漿料微流擠出成型制備Gd2...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種多腔體氧化鎵外延薄膜生長(zhǎng)自動(dòng)化量產(chǎn)裝置及其使用方法,生長(zhǎng)裝置包括滑軌、襯底安裝結(jié)構(gòu)、待沉積襯底、若干個(gè)HVPE半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)裝置、轉(zhuǎn)運(yùn)結(jié)構(gòu)和MOCVD外延生長(zhǎng)裝置,襯底安裝結(jié)構(gòu)滑動(dòng)安裝在滑軌上,襯底安裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有若干個(gè)陶瓷...
      • 本發(fā)明涉及鋼管鈍化處理技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種無(wú)縫鋼管表面處理用鈍化裝置,包括鈍化槽、設(shè)于鈍化槽上方的承載組件以及提升組件,承載組件包括呈上下設(shè)置的第一框架和第二框架,提升組件包括支架、液壓桿、銜接架、支撐架以及承載板,承載板上設(shè)有用于對(duì)第一框...
      • 本發(fā)明提供了一種薄膜沉積設(shè)備、一種薄膜沉積方法及一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。所述薄膜沉積設(shè)備包括工藝腔室、真空泵、反應(yīng)氣源、吹掃氣源及控制器。所述工藝腔室中包括晶圓托盤。所述真空泵經(jīng)由第一閥門及晶圓吸附管路連接所述晶圓托盤。所述反應(yīng)氣源經(jīng)由第二...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種傳感器芯片金屬電極熱防護(hù)結(jié)構(gòu)及其制備方法,屬于金屬電極熱防護(hù)結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的熱防護(hù)結(jié)構(gòu)包括:傳感器基底,其上依次設(shè)置有電極緩沖層和連續(xù)多層Pt?W電極。在這種結(jié)構(gòu)中,Pt電極是在W電極上沉積的,這種沉積方式使得Pt晶體...
      • 本發(fā)明提供了一種W?S?Ti?O潤(rùn)滑薄膜及其制備方法和應(yīng)用,屬于空間潤(rùn)滑技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種W?S?Ti?O潤(rùn)滑薄膜,所述W?S?Ti?O潤(rùn)滑薄膜具有致密非晶結(jié)構(gòu),由WS2相、WSxO
      • 本發(fā)明涉及高溫防護(hù)涂層技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種納米多孔滲鋁?碳化硅梯度涂層及其制備方法,其包括對(duì)鎳基高溫合金進(jìn)行預(yù)處理、化學(xué)氣相沉積滲鋁、脫合金腐蝕形成納米多孔層及CVD生長(zhǎng)碳化硅納米線的步驟。該涂層通過(guò)納米多孔滲鋁層提供高比表面積和催化活...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種提升玻璃通孔基板與銅層間附著力和穩(wěn)定性的方法,通過(guò)在玻璃通孔基板與銅層之間磁控濺射沉積聚四氟乙烯薄膜,以緩解銅與玻璃通孔基板之間的熱應(yīng)力差異,提升銅層與基板間的界面黏附力。所述聚四氟乙烯薄膜質(zhì)地柔軟,具備優(yōu)異的力學(xué)緩沖能力,...
      • 本發(fā)明提供了一種光子晶體薄膜、其制備方法和器件。通過(guò)在襯底的薄膜表面生長(zhǎng)掩模層作為刻蝕掩模板,進(jìn)行光子晶體薄膜的制備,并且在刻蝕結(jié)束后仍然保留掩模層。這種方法有效避免了常規(guī)工藝中的濕法腐蝕液對(duì)光子晶體薄膜的破壞,同時(shí)在不改變光子晶體光學(xué)能帶...
      • 本發(fā)明涉及一種切削鈦合金TC4用AlCrTiXN涂層及生產(chǎn)工藝,屬于鈦合金涂層的技術(shù)領(lǐng)域。所述生產(chǎn)工藝的制備包括以下步驟:對(duì)刀具除油、脫脂、清洗后進(jìn)行噴軟砂處理,在惰性氛圍下浸泡于混合溶液中超聲處理后,取出清洗后進(jìn)行真空干燥,得到預(yù)處理硬質(zhì)...
      • 本發(fā)明涉及起重機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種船舶起重機(jī)穩(wěn)定組件,包括:底座,底座的頂部設(shè)置有立桿;擺動(dòng)桿,擺動(dòng)桿的端部設(shè)置有伸縮桿,伸縮桿的端部設(shè)置有頂持桿,擺動(dòng)桿的表面開(kāi)設(shè)有第一開(kāi)槽,擺動(dòng)桿的表面設(shè)置有限位板,限位板中設(shè)置有滑動(dòng)塊,滑動(dòng)塊的端部設(shè)...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種銅銀金超疏水納米涂層轉(zhuǎn)化液,包括下述重量份的組分:水73.0?80.6份,有機(jī)硫助劑15.0?17.0份,氨基磺酸1.0?1.3份,苯丙三氮唑0.2?0.3份,二丙二醇甲醚5?10.0份,十六烷基羥乙基咪唑啉0.2?0.5份...
      • 本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜制造技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)一種金剛石增透保護(hù)薄膜結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明提供的制備方法包括:采用化學(xué)氣相沉積法在基底上沉積金剛石薄膜;將所述基底的鍍膜面和硫系玻璃貼合,于190℃~210℃、800N~1200N條件下進(jìn)行壓制,...
      • 本發(fā)明涉及鋼管表面處理領(lǐng)域,公開(kāi)了一種智能精準(zhǔn)控量的鋼管表面在線鈍化劑添加裝置,包括:鈍化劑存放箱,所述鈍化劑存放箱上設(shè)置有控量添加機(jī)構(gòu);所述控量添加機(jī)構(gòu)包括支架、伺服電機(jī)、轉(zhuǎn)盤、底框、橫板、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、絲桿、L型孔、密封板一、密封板二、立板...
      • 本申請(qǐng)涉及蒸鍍過(guò)程監(jiān)控技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種基于數(shù)據(jù)分析的蒸鍍過(guò)程監(jiān)控方法、系統(tǒng)及介質(zhì)。該方法包括:對(duì)蒸鍍腔體內(nèi)傳感器采集數(shù)據(jù),經(jīng)濾波標(biāo)準(zhǔn)化處理獲得工藝參數(shù)數(shù)據(jù);對(duì)工藝參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)頻分析和相關(guān)性計(jì)算,提取關(guān)鍵參數(shù)特征;基于關(guān)鍵參數(shù)特征設(shè)定動(dòng)...
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