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								      本發明涉及一種WTe2電極單分子測試芯片及其制備方法，包括以下步驟：對所述電極圖案進行磁控濺射鍍金屬鎢，使金屬鎢覆蓋所述電極圖案形成金屬鎢薄膜，洗去光刻膠，得到與所述電極圖案相對應的金屬鎢電極；將所述金屬鎢電極進行高溫...
								
        
							
        
							
						
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								      一種金屬陶瓷高溫抗氧化復合涂層，包括面涂層和底涂層；所述面涂層為二氧化硅溶膠型涂層或二氧化硅溶膠與金屬氧化物結合的涂層；所述底涂層為二氧化硅溶膠和金屬?鉻鋁釔合金粉末結合涂層。制備方法，包括制備硅烷水解液、制備二氧化硅溶膠型涂料、將二氧化硅...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種不銹鋼黑化劑及其制備與應用方法，屬于化工材料技術領域。以1*103份不銹鋼黑化劑計，包括以下重量份原料：強堿350～450份、硫氰酸鈉75～85份、硫代硫酸鈉35～45份、穩定劑3～6份及緩蝕劑0.1～...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于等離子噴涂技術領域，具體涉及一種用于在復材基體上制備碳化鉭涂層的制備方法及噴涂保護裝置，通過將復材基體置于具有焰流保護組件、氣氛填充組件以及切向焰流加速組件的反應罩體中，使得通過焰流保護組件通入保護氣體以在等離子起弧后對反應腔內的...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種銅包覆鉬結構涂層的鋁基體表面改性方法，包括依次對鋁基體試樣表面進行打磨、拋光、清洗的步驟、分別以銅靶材和鉬靶材的濺射磁控驅動靶對鋁基體試樣表面進行濺射，實現在鋁基體試樣表面形成銅包覆鉬涂層的步驟及取出步驟。同時，本發明還提供了...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了鍍膜設備技術領域內的一種用于高真空鍍膜設備的擋片同步升降結構，包括：基片臺升降組件，安裝在真空腔上，用以驅動基片臺升降，包括伸入真空腔設置的基片臺以及控制基片臺升降的基片臺驅動組件；擋片升降組件，安裝在真空腔上，用于驅動擋片...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及一種超高純碳化硅化學氣相沉積設備，屬于碳化硅加工技術領域，包括支撐板，所述支撐板的頂部可拆卸連接有反應室，所述支撐板上設置有放置結構；所述放置結構包括反應室外壁設置的連接板，所述連接板的底部固定連接有電動伸縮桿，所述電動伸縮桿...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及真空鍍膜領域技術領域，具體為一種擋板開口調節裝置，包括擋板上開設有鍍膜口，移動擋條上通過設置滑動組件與擋板連接，使驅動組件可帶動移動擋條沿滑動組件移動，遮擋或打開鍍膜口，可根據生產產品的寬幅需求，在真空狀態下直接調節擋板開口，...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種切削刀片轉移工裝，包括：桿體，其一端設有掛環，桿體的側面沿軸向陣列設有多個與桿體垂直的第一支撐片；轉筒，其側面沿軸向陣列開設有多個與第一支撐片厚度匹配的第一弧形槽，轉筒套設與桿體外，多個第一支撐片分別處于多個第一弧形槽內，轉筒...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及一種電弧離子鍍膜裝置，屬于電弧離子鍍膜領域，包括底座以及固定連接于底座上表面的鍍膜室，所述底座的上表面設有用于輔助鍍膜的輔助結構，所述輔助結構包括開設于底座上表面的安裝槽、固定連接于安裝槽內底壁的伺服電機、固定連接于伺服電機輸...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及化工生產設備技術領域，涉及一種高磷化學鎳制備裝置，包括：混合桶以及攪拌機構，所述混合桶上端設置有進料口且下端設置有下料管，所述攪拌機構包括攪拌電機以及攪拌軸組件，所述攪拌軸組件包括攪拌軸以及攪拌葉片和清潔刮板，所述清潔刮板遠離...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種鎢硅合金靶材的鍍鎳方法，所述鍍鎳方法包括以下步驟：(1)將鎢硅合金靶材依次進行第一清洗處理、活化處理、第一浸泡熱處理和第二浸泡熱處理，得到預處理后的靶材；(2)將步驟(1)得到的所述預處理后的靶材浸泡在鍍鎳液中進行鍍鎳處理，然...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種酸性水性組合物，其不含或基本上不含氟陰離子和鎳陽離子兩者，并且至少包含彼此不同的組分a1)至a5)，即作為a1)的磷酸根陰離子、作為a2)的硝酸根陰離子、作為a3)的鋅陽離子、作為a4)的銅陽離子以及作為a5)的鎂陽離子；一種...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種在將鎢膜作為微細結晶膜的同時，還能根據膜厚調整膜應力的硬掩模的制造方法。其包括：以鎢材質的靶材作為靶，在真空氣氛的處理室內導入稀有氣體和氮氣，通過反應性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序；以及，以鎢材質的靶...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種用于熱鍍鋅機組沉沒輥的位置調整裝置，本裝置的支撐底座跨設于熱鍍鋅機組的氣刀底座上，升降驅動機構包括由電機驅動的升降機，升降驅動機構設于支撐底座，升降導柱設于升降機，橫移底座設于升降導柱，橫移底座內設有套筒，橫移導柱設于套...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種外置磁場調節機構及磁控濺射設備，外置磁場調節機構包括固定組件、轉動組件和磁性件，固定組件用于連接磁控濺射設備的陰極，并設置在陰極的外部，轉動組件與固定組件連接，可相對于固定組件轉動，磁性件設置在轉動組件上，與轉動組件共同相對...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及真空鍍膜機技術領域，且公開了一種可對活塞環均勻鍍膜的真空鍍膜機，底板的底部設置有固定塊，底板的頂部設置有真空鍍膜機構，真空鍍膜機構的內部設置有均勻轉動固定機構，固定塊的底部設置有支撐底板，均勻轉動固定機構包括均勻轉動組件與固定...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供一種用于優化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，涉及超導量子計算技術領域。一種用于優化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，包括真空腔室、控制電腦、遙控手柄和樣品臺，所述真空腔室的內部固定連接有電子束蒸發設備、速率晶振和膜厚晶振，所述樣品臺和真...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種新型離子注入功能的鍍膜機，涉及鍍膜機技術領域。本實用新型包括鍍膜機主體，所述鍍膜機主體左側和右側均固定連接有噴射座，所述噴射座遠離鍍膜機主體的一側固定連接有進料管，所述噴射座上方設置有固定塊，所述固定塊頂部固定連接有電動...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供了一種氣相沉積設備及半導體加工系統，屬于半導體制造技術領域，氣相沉積設備包括基座、中心遮擋部、至少一遮蔽環和驅動結構，基座用于承載襯底，中心遮擋部設置于基座的上方，用于遮擋襯底的中部，遮蔽環用于嵌套于中心遮擋部的邊緣，與中心遮...
								
        
							
        
							
						
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