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								      本實用新型涉及一種超高純碳化硅化學氣相沉積設備，屬于碳化硅加工技術領域，包括支撐板，所述支撐板的頂部可拆卸連接有反應室，所述支撐板上設置有放置結構；所述放置結構包括反應室外壁設置的連接板，所述連接板的底部固定連接有電動伸縮桿，所述電動伸縮桿...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及真空鍍膜領域技術領域，具體為一種擋板開口調節裝置，包括擋板上開設有鍍膜口，移動擋條上通過設置滑動組件與擋板連接，使驅動組件可帶動移動擋條沿滑動組件移動，遮擋或打開鍍膜口，可根據生產產品的寬幅需求，在真空狀態下直接調節擋板開口，...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供一種切削刀片轉移工裝，包括：桿體，其一端設有掛環，桿體的側面沿軸向陣列設有多個與桿體垂直的第一支撐片；轉筒，其側面沿軸向陣列開設有多個與第一支撐片厚度匹配的第一弧形槽，轉筒套設與桿體外，多個第一支撐片分別處于多個第一弧形槽內，轉筒...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及一種電弧離子鍍膜裝置，屬于電弧離子鍍膜領域，包括底座以及固定連接于底座上表面的鍍膜室，所述底座的上表面設有用于輔助鍍膜的輔助結構，所述輔助結構包括開設于底座上表面的安裝槽、固定連接于安裝槽內底壁的伺服電機、固定連接于伺服電機輸...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種鎢硅合金靶材的鍍鎳方法，所述鍍鎳方法包括以下步驟：(1)將鎢硅合金靶材依次進行第一清洗處理、活化處理、第一浸泡熱處理和第二浸泡熱處理，得到預處理后的靶材；(2)將步驟(1)得到的所述預處理后的靶材浸泡在鍍鎳液中進行鍍鎳處理，然...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種酸性水性組合物，其不含或基本上不含氟陰離子和鎳陽離子兩者，并且至少包含彼此不同的組分a1)至a5)，即作為a1)的磷酸根陰離子、作為a2)的硝酸根陰離子、作為a3)的鋅陽離子、作為a4)的銅陽離子以及作為a5)的鎂陽離子；一種...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及化工生產設備技術領域，涉及一種高磷化學鎳制備裝置，包括：混合桶以及攪拌機構，所述混合桶上端設置有進料口且下端設置有下料管，所述攪拌機構包括攪拌電機以及攪拌軸組件，所述攪拌軸組件包括攪拌軸以及攪拌葉片和清潔刮板，所述清潔刮板遠離...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種在將鎢膜作為微細結晶膜的同時，還能根據膜厚調整膜應力的硬掩模的制造方法。其包括：以鎢材質的靶材作為靶，在真空氣氛的處理室內導入稀有氣體和氮氣，通過反應性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序；以及，以鎢材質的靶...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種用于熱鍍鋅機組沉沒輥的位置調整裝置，本裝置的支撐底座跨設于熱鍍鋅機組的氣刀底座上，升降驅動機構包括由電機驅動的升降機，升降驅動機構設于支撐底座，升降導柱設于升降機，橫移底座設于升降導柱，橫移底座內設有套筒，橫移導柱設于套...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請公開了一種外置磁場調節機構及磁控濺射設備，外置磁場調節機構包括固定組件、轉動組件和磁性件，固定組件用于連接磁控濺射設備的陰極，并設置在陰極的外部，轉動組件與固定組件連接，可相對于固定組件轉動，磁性件設置在轉動組件上，與轉動組件共同相對...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及真空鍍膜機技術領域，且公開了一種可對活塞環均勻鍍膜的真空鍍膜機，底板的底部設置有固定塊，底板的頂部設置有真空鍍膜機構，真空鍍膜機構的內部設置有均勻轉動固定機構，固定塊的底部設置有支撐底板，均勻轉動固定機構包括均勻轉動組件與固定...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供一種用于優化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，涉及超導量子計算技術領域。一種用于優化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置，包括真空腔室、控制電腦、遙控手柄和樣品臺，所述真空腔室的內部固定連接有電子束蒸發設備、速率晶振和膜厚晶振，所述樣品臺和真...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種新型離子注入功能的鍍膜機，涉及鍍膜機技術領域。本實用新型包括鍍膜機主體，所述鍍膜機主體左側和右側均固定連接有噴射座，所述噴射座遠離鍍膜機主體的一側固定連接有進料管，所述噴射座上方設置有固定塊，所述固定塊頂部固定連接有電動...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供了一種氣相沉積設備及半導體加工系統，屬于半導體制造技術領域，氣相沉積設備包括基座、中心遮擋部、至少一遮蔽環和驅動結構，基座用于承載襯底，中心遮擋部設置于基座的上方，用于遮擋襯底的中部，遮蔽環用于嵌套于中心遮擋部的邊緣，與中心遮...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種基于真空鍍膜在線檢測電機控厚裝置包括位于外殼內部的驅動板和多個并排設置的控厚組件，所述控厚組件包括依次連接的直線電機、連桿、連接塊和補正板，所述驅動板通過直線電機控制補正板接近或者遠離離子膜發射柱，所述連桿穿過外殼的前面板，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種噴淋板、一種半導體器件的加工設備以及一種半導體器件的加工方法。所述噴淋板包括：頂板，設于所述噴淋板的頂部，其中心區域設有第一進氣口，用于獲取反應氣體；噴淋頭，設于所述噴淋板的底部，配合所述頂板形成混氣腔，并經由設于所述噴淋頭...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種兼容于集成電路后道工藝的石墨烯薄膜的制備方法，其包括如下步驟：S1，提供厚度為10nm?50nm的金屬薄膜襯底，該金屬薄膜襯底選自銅，鈷，釕或鎳薄膜襯底中的一種；S2，在活性碳原子濃度增強場中，350℃?400℃下，通入碳源氣...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種碳化硅基板定位裝置，包括底座，所述底座的一側設置有定位結構,底座的上端面安裝有至少一個支撐座，支撐座上安裝有定位座，定位座向底座上設置有定位結構的一側伸出，定位座上設置有定位缺口。使用時，通過底座上的定位結構對碳化硅基板...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供了一種可調控氣流的鍍膜裝置，所述鍍膜裝置包括若干個泵組件、鍍膜室和連接所述泵組件與鍍膜室的連接件；所述連接件上設置有氣流比例閥，所述氣流比例閥用于控制氣路的流量；所述氣流比例閥包括閥體、閥芯和磁流體；所述閥體的上方設置有磁流體...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種軟硬相間耐磨強化層的制備方法，涉及表面處理領域，包括：步驟一、基體預處理；步驟二、稀土鹽浴氮化處理：首先制備三氧化二鉍納米晶須、稀土β?二酮配合物與雙（三氟甲烷磺酰）亞胺三丁基甲基季鏻鹽的分散膠體，依次加入氮源、碳酸鈉、硫代硫...
								
        
							
        
							
						
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