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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明涉及一種氧化硅表面生長石墨烯薄膜的方法,其包括如下步驟:S1,提供氧化硅片襯底,其中,該氧化硅片襯底包括硅片和位于硅片表面的氧化硅薄膜,該氧化硅薄膜的厚度為90nm?300nm;S2,在功率為20瓦?50瓦的等離子輔助和380℃?60...
      • 本實(shí)用新型公開了一種用于不耐高溫基材在真空室鍍膜中的溫控系統(tǒng),包括設(shè)置于真空室內(nèi)且與基材相貼合進(jìn)行換熱的熱交換組件,所述熱交換組件與設(shè)置于真空室外且并行設(shè)置的冷卻模塊以及升溫模塊相連通;設(shè)置冷卻模塊,對鍍膜過程中的基材進(jìn)行冷卻,從而帶走基材...
      • 本實(shí)用新型提供了一種便于換粉的送粉裝置及設(shè)備,包括:快拆粉筒組件;出粉組件,所述出粉組件包括殼體和轉(zhuǎn)盤,所述快拆粉筒組件的出口與所述殼體可拆卸連接,所述轉(zhuǎn)盤設(shè)置在殼體內(nèi),所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)有用于容納從所述快拆粉筒組件流下的粉末的環(huán)形容納槽;驅(qū)動電...
      • 本發(fā)明公開了一種微通道式Mist?CVD薄膜外延系統(tǒng),包括供氣模塊,供氣模塊連通有霧化模塊和反應(yīng)模塊,霧化模塊連通反應(yīng)模塊,反應(yīng)模塊連通有尾氣處理模塊;反應(yīng)模塊與霧化模塊之間連通有積液回流裝置;反應(yīng)模塊中設(shè)置有水平的微通道,用于提供沉積反應(yīng)...
      • 本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積爐及化學(xué)氣相沉積裝置,屬于化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域;所述化學(xué)氣相沉積爐包括:沉積爐本體,在沉積爐本體內(nèi)部形成沉積室,沉積室內(nèi)部安裝有攪拌機(jī)構(gòu);整個化學(xué)氣相沉積裝置采用熱風(fēng)作為動力源,既可以推動沉積室內(nèi)部設(shè)置的攪拌機(jī)構(gòu)運(yùn)...
      • 本實(shí)用新型公開了一種帶有快換式升降錫爐裝置的涂錫機(jī),涉及涂錫機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,解決了錫爐內(nèi)的錫液更換不便,容易存在殘留的問題,其包括涂錫機(jī)本體和錫爐,還包括:用于放置錫爐的車架,所述車架的底部安裝有滾輪以便錫爐移動;抬升組件,所述抬升組件包括安裝...
      • 本實(shí)用新型屬于顯示裝置制造技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種化學(xué)氣相沉積裝置,包括腔體、安裝架、上電極、下電極和絕緣墊,腔體通過安裝架設(shè)置于地面上,腔體內(nèi)設(shè)置有沉積腔,上電極和下電極沿豎直方向間隔設(shè)置于沉積腔,上電極連接射頻電源,下電極接地并用于承托待鍍...
      • 本發(fā)明提供了一種用于連續(xù)進(jìn)行原子層及分子層沉積的方法及裝置,通過反應(yīng)器結(jié)構(gòu)以及伸縮機(jī)構(gòu)使得本裝置在不同工位時進(jìn)行不同的沉積反應(yīng),依次進(jìn)行原子層沉積技術(shù)包覆導(dǎo)電陶瓷層,再進(jìn)行分子沉積包覆碳材料以及和高溫碳化過程,中途不需要取出中間產(chǎn)物,實(shí)現(xiàn)連...
      • 本發(fā)明的一種TM022模式微波等離子體金剛石膜沉積裝置,屬于微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣孔(1)、腔體(2)、觀察窗口(3)、測溫窗口(4)、等離子體半球(5)、樣品臺(6)、銅臺(7)、環(huán)形石英玻璃(8)、倒圓臺底柱(9...
      • 本實(shí)用新型公開了一種蒸發(fā)臺片架,包括蒸發(fā)臺體,所述蒸發(fā)臺體內(nèi)上部設(shè)有多個容置槽,容置槽內(nèi)底部通過立桿插設(shè)有深度調(diào)節(jié)板,第一空腔內(nèi)部通過絲杠設(shè)有升降板,立桿下端與升降板上部固定連接,容置槽內(nèi)壁設(shè)有鎖定槽,且鎖定槽內(nèi)通過連桿設(shè)有定位壓片,且第二...
      • 本實(shí)用新型涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種薄膜制備用氣相沉積設(shè)備,包括真空腔室,所述真空腔室頂端設(shè)置有沉積腔室,所述沉積腔室內(nèi)部設(shè)置有沉積機(jī)構(gòu),所述真空腔室內(nèi)部設(shè)置有水冷機(jī)構(gòu),在氣相沉積作業(yè)進(jìn)行中時,可以透過頂部密閉蓋中部設(shè)置的硼玻璃觀察窗...
      • 一種可快速調(diào)節(jié)齒條的鍍膜修正板結(jié)構(gòu),包括支撐板、蓋板、齒條組件及調(diào)節(jié)組件;支撐板上間隔設(shè)有若干限位塊,相鄰限位塊之間形成限位槽,限位塊位于限位槽內(nèi)的側(cè)面設(shè)有多個凸圓弧部及位于凸圓弧部下方的缺口,支撐板具有第一側(cè)及第二側(cè);蓋板罩設(shè)各限位塊并與...
      • 本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種鍍膜用布?xì)夤艿馈K鲋行墓艿赖亩瞬亢屯夤艿赖亩瞬亢附用芊猓行墓艿酪欢送鈧?cè)套設(shè)外管道,位于外管道內(nèi)的中心管道表面均勻設(shè)有出氣孔,所述外管道均勻布有外管道孔,通過外管道孔和補(bǔ)心嚙合連接。所述補(bǔ)心外...
      • 本發(fā)明公開了一種用于復(fù)合銅箔膜的水電鍍方法及設(shè)備,所述水電鍍設(shè)備包括銅電鍍槽和保護(hù)電鍍槽,形成有金屬銅濺射層的聚酯薄膜輸入銅電鍍槽并形成金屬銅電鍍層;形成金屬銅電鍍層的聚脂薄膜從銅電鍍槽輸入保護(hù)電鍍槽并形成保護(hù)層。本申請通過將形成有金屬銅濺...
      • 本申請涉及一種真空鍍膜設(shè)備及其鍍膜控制方法,所述設(shè)備包括:真空腔室,內(nèi)置有連接控制系統(tǒng)的產(chǎn)品轉(zhuǎn)盤、濺射系統(tǒng)以及離子源;光譜檢測裝置,連接至控制系統(tǒng),用于在鍍膜過程中檢測鍍膜產(chǎn)品的光譜能量數(shù)據(jù)并上報至控制系統(tǒng);控制系統(tǒng),用于控制產(chǎn)品轉(zhuǎn)盤、濺射...
      • 本發(fā)明及一種螺栓螺桿混合生產(chǎn)線,屬于螺栓螺桿鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域,包括用于對螺桿工件進(jìn)行鍍鋅的螺桿生產(chǎn)線和用于對螺栓工件進(jìn)行鍍鋅的螺栓生產(chǎn)線;所述螺栓生產(chǎn)線和螺桿生產(chǎn)線公有用于對螺栓螺桿工件進(jìn)行預(yù)處理的前處理設(shè)備和對螺栓螺桿工件進(jìn)行鍍鋅的鍍鋅設(shè)備;...
      • 本發(fā)明公開了一種用于金銀合金或純銀凸塊上化鍍鎳金的防腐工藝,其特征在于,包括如下步驟:在基板表面形成金屬凸塊結(jié)構(gòu);對所述金屬凸塊結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形化處理,以形成目標(biāo)圖形的金屬凸塊;對所述金屬凸塊進(jìn)行預(yù)處理,所述預(yù)處理包括酸洗、微刻蝕、稀硝酸清洗和...
      • 本實(shí)用新型涉及一種帶鋼鍍鋅槽,屬于帶鋼加工技術(shù)領(lǐng)域,包括鍍鋅槽主體,所述鍍鋅槽主體一側(cè)頂部設(shè)有放卷輥,所述鍍鋅槽主體另一側(cè)固定安裝有托架,所述托架上放置有收卷輥,所述鍍鋅槽主體頂部靠近收卷輥的一端設(shè)有輔助輪,所述鍍鋅槽內(nèi)部頂端設(shè)有安裝架,所...
      • 本申請涉及合金表面處理技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種鎂合金表面處理劑及其制備方法。一種鎂合金表面處理劑,包含以下重量份的組分:鉬鹽20?30份、釩鹽8?12份、無機(jī)酸0.4?2份、絡(luò)合劑4.5?6份、氧化硅3?5份、十二烷基硫酸鈉0.3?0.5份...
      • 本申請?zhí)峁┝艘环N輔助手動上下片治具,屬于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括:第一治具部分,所述第一治具部分包括握持部、第一定位部和夾持部;第二治具部分,所述第二治具部分設(shè)置于磁控濺射設(shè)備的進(jìn)出片腔體,所述第二治具部分包括支撐部和第二定位部;在所述...
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