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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明涉及一種鎢硅合金靶材的鍍鎳方法,所述鍍鎳方法包括以下步驟:(1)將鎢硅合金靶材依次進(jìn)行第一清洗處理、活化處理、第一浸泡熱處理和第二浸泡熱處理,得到預(yù)處理后的靶材;(2)將步驟(1)得到的所述預(yù)處理后的靶材浸泡在鍍鎳液中進(jìn)行鍍鎳處理,然...
      • 本發(fā)明涉及一種酸性水性組合物,其不含或基本上不含氟陰離子和鎳陽離子兩者,并且至少包含彼此不同的組分a1)至a5),即作為a1)的磷酸根陰離子、作為a2)的硝酸根陰離子、作為a3)的鋅陽離子、作為a4)的銅陽離子以及作為a5)的鎂陽離子;一種...
      • 本實(shí)用新型涉及化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種高磷化學(xué)鎳制備裝置,包括:混合桶以及攪拌機(jī)構(gòu),所述混合桶上端設(shè)置有進(jìn)料口且下端設(shè)置有下料管,所述攪拌機(jī)構(gòu)包括攪拌電機(jī)以及攪拌軸組件,所述攪拌軸組件包括攪拌軸以及攪拌葉片和清潔刮板,所述清潔刮板遠(yuǎn)離...
      • 本發(fā)明提供一種在將鎢膜作為微細(xì)結(jié)晶膜的同時(shí),還能根據(jù)膜厚調(diào)整膜應(yīng)力的硬掩模的制造方法。其包括:以鎢材質(zhì)的靶材作為靶,在真空氣氛的處理室內(nèi)導(dǎo)入稀有氣體和氮?dú)?,通過反應(yīng)性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序;以及,以鎢材質(zhì)的靶...
      • 本實(shí)用新型公開了一種用于熱鍍鋅機(jī)組沉沒輥的位置調(diào)整裝置,本裝置的支撐底座跨設(shè)于熱鍍鋅機(jī)組的氣刀底座上,升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括由電機(jī)驅(qū)動(dòng)的升降機(jī),升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)于支撐底座,升降導(dǎo)柱設(shè)于升降機(jī),橫移底座設(shè)于升降導(dǎo)柱,橫移底座內(nèi)設(shè)有套筒,橫移導(dǎo)柱設(shè)于套...
      • 本申請公開了一種外置磁場調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)及磁控濺射設(shè)備,外置磁場調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括固定組件、轉(zhuǎn)動(dòng)組件和磁性件,固定組件用于連接磁控濺射設(shè)備的陰極,并設(shè)置在陰極的外部,轉(zhuǎn)動(dòng)組件與固定組件連接,可相對于固定組件轉(zhuǎn)動(dòng),磁性件設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)組件上,與轉(zhuǎn)動(dòng)組件共同相對...
      • 本實(shí)用新型涉及真空鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種可對活塞環(huán)均勻鍍膜的真空鍍膜機(jī),底板的底部設(shè)置有固定塊,底板的頂部設(shè)置有真空鍍膜機(jī)構(gòu),真空鍍膜機(jī)構(gòu)的內(nèi)部設(shè)置有均勻轉(zhuǎn)動(dòng)固定機(jī)構(gòu),固定塊的底部設(shè)置有支撐底板,均勻轉(zhuǎn)動(dòng)固定機(jī)構(gòu)包括均勻轉(zhuǎn)動(dòng)組件與固定...
      • 本實(shí)用新型提供一種用于優(yōu)化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置,涉及超導(dǎo)量子計(jì)算技術(shù)領(lǐng)域。一種用于優(yōu)化大尺寸晶圓薄膜均勻性的裝置,包括真空腔室、控制電腦、遙控手柄和樣品臺,所述真空腔室的內(nèi)部固定連接有電子束蒸發(fā)設(shè)備、速率晶振和膜厚晶振,所述樣品臺和真...
      • 本實(shí)用新型公開了一種新型離子注入功能的鍍膜機(jī),涉及鍍膜機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括鍍膜機(jī)主體,所述鍍膜機(jī)主體左側(cè)和右側(cè)均固定連接有噴射座,所述噴射座遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)主體的一側(cè)固定連接有進(jìn)料管,所述噴射座上方設(shè)置有固定塊,所述固定塊頂部固定連接有電動(dòng)...
      • 本實(shí)用新型提供了一種氣相沉積設(shè)備及半導(dǎo)體加工系統(tǒng),屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,氣相沉積設(shè)備包括基座、中心遮擋部、至少一遮蔽環(huán)和驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu),基座用于承載襯底,中心遮擋部設(shè)置于基座的上方,用于遮擋襯底的中部,遮蔽環(huán)用于嵌套于中心遮擋部的邊緣,與中心遮...
      • 本發(fā)明提供了一種基于真空鍍膜在線檢測電機(jī)控厚裝置包括位于外殼內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)板和多個(gè)并排設(shè)置的控厚組件,所述控厚組件包括依次連接的直線電機(jī)、連桿、連接塊和補(bǔ)正板,所述驅(qū)動(dòng)板通過直線電機(jī)控制補(bǔ)正板接近或者遠(yuǎn)離離子膜發(fā)射柱,所述連桿穿過外殼的前面板,...
      • 本發(fā)明提供了一種噴淋板、一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備以及一種半導(dǎo)體器件的加工方法。所述噴淋板包括:頂板,設(shè)于所述噴淋板的頂部,其中心區(qū)域設(shè)有第一進(jìn)氣口,用于獲取反應(yīng)氣體;噴淋頭,設(shè)于所述噴淋板的底部,配合所述頂板形成混氣腔,并經(jīng)由設(shè)于所述噴淋頭...
      • 本發(fā)明涉及一種兼容于集成電路后道工藝的石墨烯薄膜的制備方法,其包括如下步驟:S1,提供厚度為10nm?50nm的金屬薄膜襯底,該金屬薄膜襯底選自銅,鈷,釕或鎳薄膜襯底中的一種;S2,在活性碳原子濃度增強(qiáng)場中,350℃?400℃下,通入碳源氣...
      • 本實(shí)用新型公開了一種碳化硅基板定位裝置,包括底座,所述底座的一側(cè)設(shè)置有定位結(jié)構(gòu),底座的上端面安裝有至少一個(gè)支撐座,支撐座上安裝有定位座,定位座向底座上設(shè)置有定位結(jié)構(gòu)的一側(cè)伸出,定位座上設(shè)置有定位缺口。使用時(shí),通過底座上的定位結(jié)構(gòu)對碳化硅基板...
      • 本實(shí)用新型提供了一種可調(diào)控氣流的鍍膜裝置,所述鍍膜裝置包括若干個(gè)泵組件、鍍膜室和連接所述泵組件與鍍膜室的連接件;所述連接件上設(shè)置有氣流比例閥,所述氣流比例閥用于控制氣路的流量;所述氣流比例閥包括閥體、閥芯和磁流體;所述閥體的上方設(shè)置有磁流體...
      • 本發(fā)明提供一種軟硬相間耐磨強(qiáng)化層的制備方法,涉及表面處理領(lǐng)域,包括:步驟一、基體預(yù)處理;步驟二、稀土鹽浴氮化處理:首先制備三氧化二鉍納米晶須、稀土β?二酮配合物與雙(三氟甲烷磺酰)亞胺三丁基甲基季鏻鹽的分散膠體,依次加入氮源、碳酸鈉、硫代硫...
      • 本發(fā)明公開了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中公開了多弧及磁控復(fù)合濺射陰極,包括安裝架、升降裝置、陰極磁板和靶面板;所述升降裝置包括安裝板、聯(lián)軸器、升降軸和升降頭;所述安裝板設(shè)置在所述安裝架的底部;所述聯(lián)軸器設(shè)置在所述安裝板的底部;所述升降軸與所述聯(lián)軸器傳...
      • 本申請公開軋輥,所述軋輥包括形成于所述軋輥表面的鋼鐵材料表面氧化膜,其中所述鋼鐵材料表面氧化膜通過以下方法制成:在需要形成Fe3O4氧化膜的鋼鐵材料的表面涂覆活化液,以在鋼鐵材料的表面形成一層活化...
      • 本發(fā)明公開一種ALD鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法,涉及ALD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔體、至少一個(gè)檢測腔體、至少兩個(gè)第一進(jìn)料源、切換裝置、第二進(jìn)料源;將一個(gè)第一進(jìn)料源僅與反應(yīng)腔體導(dǎo)通,并與第二進(jìn)料源交替進(jìn)料,剩余的第一進(jìn)料源僅與檢測腔體導(dǎo)通,同...
      • 本發(fā)明提出一種Loadlock型超高真空蒸鍍機(jī),包括:真空度一致且隔離設(shè)置的過渡腔室10與工作腔室20;所述過渡腔室10內(nèi)設(shè)置有水平伸縮機(jī)構(gòu)30,所述水平伸縮機(jī)構(gòu)30的輸出端開拆卸連接承載晶圓的承載板60;所述工作腔室20的上部設(shè)置有升降裝...
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