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      首頁(yè) 專(zhuān)利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 科技服務(wù) 國(guó)際服務(wù) 商標(biāo)交易 會(huì)員權(quán)益 需求市場(chǎng) 關(guān)于龍圖騰
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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本實(shí)用新型提供了一種氣相沉積設(shè)備及半導(dǎo)體加工系統(tǒng),屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,氣相沉積設(shè)備包括基座、中心遮擋部、至少一遮蔽環(huán)和驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu),基座用于承載襯底,中心遮擋部設(shè)置于基座的上方,用于遮擋襯底的中部,遮蔽環(huán)用于嵌套于中心遮擋部的邊緣,與中心遮...
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種外置磁場(chǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)及磁控濺射設(shè)備,外置磁場(chǎng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)包括固定組件、轉(zhuǎn)動(dòng)組件和磁性件,固定組件用于連接磁控濺射設(shè)備的陰極,并設(shè)置在陰極的外部,轉(zhuǎn)動(dòng)組件與固定組件連接,可相對(duì)于固定組件轉(zhuǎn)動(dòng),磁性件設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)組件上,與轉(zhuǎn)動(dòng)組件共同相對(duì)...
      • 本發(fā)明提供一種在將鎢膜作為微細(xì)結(jié)晶膜的同時(shí),還能根據(jù)膜厚調(diào)整膜應(yīng)力的硬掩模的制造方法。其包括:以鎢材質(zhì)的靶材作為靶,在真空氣氛的處理室內(nèi)導(dǎo)入稀有氣體和氮?dú)猓ㄟ^(guò)反應(yīng)性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序;以及,以鎢材質(zhì)的靶...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于熱鍍鋅機(jī)組沉沒(méi)輥的位置調(diào)整裝置,本裝置的支撐底座跨設(shè)于熱鍍鋅機(jī)組的氣刀底座上,升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括由電機(jī)驅(qū)動(dòng)的升降機(jī),升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)于支撐底座,升降導(dǎo)柱設(shè)于升降機(jī),橫移底座設(shè)于升降導(dǎo)柱,橫移底座內(nèi)設(shè)有套筒,橫移導(dǎo)柱設(shè)于套...
      • 本實(shí)用新型涉及化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種高磷化學(xué)鎳制備裝置,包括:混合桶以及攪拌機(jī)構(gòu),所述混合桶上端設(shè)置有進(jìn)料口且下端設(shè)置有下料管,所述攪拌機(jī)構(gòu)包括攪拌電機(jī)以及攪拌軸組件,所述攪拌軸組件包括攪拌軸以及攪拌葉片和清潔刮板,所述清潔刮板遠(yuǎn)離...
      • 本發(fā)明涉及一種鎢硅合金靶材的鍍鎳方法,所述鍍鎳方法包括以下步驟:(1)將鎢硅合金靶材依次進(jìn)行第一清洗處理、活化處理、第一浸泡熱處理和第二浸泡熱處理,得到預(yù)處理后的靶材;(2)將步驟(1)得到的所述預(yù)處理后的靶材浸泡在鍍鎳液中進(jìn)行鍍鎳處理,然...
      • 本發(fā)明涉及一種酸性水性組合物,其不含或基本上不含氟陰離子和鎳陽(yáng)離子兩者,并且至少包含彼此不同的組分a1)至a5),即作為a1)的磷酸根陰離子、作為a2)的硝酸根陰離子、作為a3)的鋅陽(yáng)離子、作為a4)的銅陽(yáng)離子以及作為a5)的鎂陽(yáng)離子;一種...
      • 本發(fā)明提供了一種噴淋板、一種半導(dǎo)體器件的加工設(shè)備以及一種半導(dǎo)體器件的加工方法。所述噴淋板包括:頂板,設(shè)于所述噴淋板的頂部,其中心區(qū)域設(shè)有第一進(jìn)氣口,用于獲取反應(yīng)氣體;噴淋頭,設(shè)于所述噴淋板的底部,配合所述頂板形成混氣腔,并經(jīng)由設(shè)于所述噴淋頭...
      • 本發(fā)明提供了一種基于真空鍍膜在線檢測(cè)電機(jī)控厚裝置包括位于外殼內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)板和多個(gè)并排設(shè)置的控厚組件,所述控厚組件包括依次連接的直線電機(jī)、連桿、連接塊和補(bǔ)正板,所述驅(qū)動(dòng)板通過(guò)直線電機(jī)控制補(bǔ)正板接近或者遠(yuǎn)離離子膜發(fā)射柱,所述連桿穿過(guò)外殼的前面板,...
      • 本發(fā)明涉及一種兼容于集成電路后道工藝的石墨烯薄膜的制備方法,其包括如下步驟:S1,提供厚度為10nm?50nm的金屬薄膜襯底,該金屬薄膜襯底選自銅,鈷,釕或鎳薄膜襯底中的一種;S2,在活性碳原子濃度增強(qiáng)場(chǎng)中,350℃?400℃下,通入碳源氣...
      • 本發(fā)明提供一種軟硬相間耐磨強(qiáng)化層的制備方法,涉及表面處理領(lǐng)域,包括:步驟一、基體預(yù)處理;步驟二、稀土鹽浴氮化處理:首先制備三氧化二鉍納米晶須、稀土β?二酮配合物與雙(三氟甲烷磺酰)亞胺三丁基甲基季鏻鹽的分散膠體,依次加入氮源、碳酸鈉、硫代硫...
      • 本實(shí)用新型提供了一種可調(diào)控氣流的鍍膜裝置,所述鍍膜裝置包括若干個(gè)泵組件、鍍膜室和連接所述泵組件與鍍膜室的連接件;所述連接件上設(shè)置有氣流比例閥,所述氣流比例閥用于控制氣路的流量;所述氣流比例閥包括閥體、閥芯和磁流體;所述閥體的上方設(shè)置有磁流體...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種碳化硅基板定位裝置,包括底座,所述底座的一側(cè)設(shè)置有定位結(jié)構(gòu),底座的上端面安裝有至少一個(gè)支撐座,支撐座上安裝有定位座,定位座向底座上設(shè)置有定位結(jié)構(gòu)的一側(cè)伸出,定位座上設(shè)置有定位缺口。使用時(shí),通過(guò)底座上的定位結(jié)構(gòu)對(duì)碳化硅基板...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中公開(kāi)了多弧及磁控復(fù)合濺射陰極,包括安裝架、升降裝置、陰極磁板和靶面板;所述升降裝置包括安裝板、聯(lián)軸器、升降軸和升降頭;所述安裝板設(shè)置在所述安裝架的底部;所述聯(lián)軸器設(shè)置在所述安裝板的底部;所述升降軸與所述聯(lián)軸器傳...
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)軋輥,所述軋輥包括形成于所述軋輥表面的鋼鐵材料表面氧化膜,其中所述鋼鐵材料表面氧化膜通過(guò)以下方法制成:在需要形成Fe3O4氧化膜的鋼鐵材料的表面涂覆活化液,以在鋼鐵材料的表面形成一層活化...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種提升爐鼻子加濕氮?dú)饩鶆蛐匝b置及方法,包括設(shè)置于爐鼻子氮?dú)馊肟谔幍膶?dǎo)流罩,導(dǎo)流罩連接有多級(jí)進(jìn)氣管道。本發(fā)明通過(guò)在氮?dú)馊肟谏厦婕友b導(dǎo)流罩來(lái)改變濕氮的運(yùn)動(dòng)軌跡,同時(shí)通過(guò)在導(dǎo)流罩上加裝的多級(jí)濕氮進(jìn)氣管道可以改變濕氮?dú)饬鬟\(yùn)動(dòng)軌跡,讓鋅...
      • 本發(fā)明公開(kāi)一種ALD鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法,涉及ALD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。鍍膜系統(tǒng)包括反應(yīng)腔體、至少一個(gè)檢測(cè)腔體、至少兩個(gè)第一進(jìn)料源、切換裝置、第二進(jìn)料源;將一個(gè)第一進(jìn)料源僅與反應(yīng)腔體導(dǎo)通,并與第二進(jìn)料源交替進(jìn)料,剩余的第一進(jìn)料源僅與檢測(cè)腔體導(dǎo)通,同...
      • 本發(fā)明提出一種Loadlock型超高真空蒸鍍機(jī),包括:真空度一致且隔離設(shè)置的過(guò)渡腔室10與工作腔室20;所述過(guò)渡腔室10內(nèi)設(shè)置有水平伸縮機(jī)構(gòu)30,所述水平伸縮機(jī)構(gòu)30的輸出端開(kāi)拆卸連接承載晶圓的承載板60;所述工作腔室20的上部設(shè)置有升降裝...
      • 本發(fā)明涉及汽車(chē)飾件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了一種汽車(chē)飾件的真空鍍膜裝置,包括箱體,所述箱體的內(nèi)部安裝有驅(qū)動(dòng)組件,且驅(qū)動(dòng)組件的一側(cè)安裝有翻轉(zhuǎn)組件、間歇轉(zhuǎn)動(dòng)組件和擋板組件;所述驅(qū)動(dòng)組件包括第一不完全齒輪,且第一不完全齒輪的上端設(shè)置有相嚙合的第一齒輪...
      • 本發(fā)明創(chuàng)造提供了一種基于多弧離子鍍的柱塞偶件加工處理方法,包括:對(duì)柱塞偶件進(jìn)行前置熱處理;對(duì)前置熱處理后的柱塞偶件進(jìn)行預(yù)處理;對(duì)預(yù)處理后的柱塞偶件進(jìn)行第一階段多弧離子鍍處理,以使得柱塞偶件的表面沉積Mo底層;對(duì)柱塞偶件進(jìn)行第二階段多弧離子鍍...
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