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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種焊帶的反向鍍錫裝置及反向鍍錫方法,該裝置包括異形錫爐、助焊劑筒和冷卻組件,異形錫爐的縱截面為“凹”字形,異形錫爐包含右腔體和左腔體,右腔體底部和左腔體底部連通,右腔體上有進(jìn)出氣口,右腔體上表面有進(jìn)線口,右腔體下表面有與進(jìn)線口...
      • 本發(fā)明涉及一種用于網(wǎng)布光學(xué)鍍膜制備方法,包括如下步驟:準(zhǔn)備待加工的網(wǎng)布基材;依據(jù)鞋材實(shí)際生產(chǎn)所需將準(zhǔn)好的網(wǎng)布基材裁剪出所需的形狀;將裁剪好的網(wǎng)布基材放置于鍍膜設(shè)備的真空腔室內(nèi),再將特定的鍍膜原材料放置在蒸發(fā)源中,進(jìn)行光學(xué)鍍膜,在網(wǎng)布基材的表...
      • 本發(fā)明提供一種用于改善硅電容深槽底部介質(zhì)層尖角的深槽刻蝕方法,包括如下步驟:采用近室溫高密度等離子體刻蝕法對(duì)硅襯底進(jìn)行錐形深槽刻蝕,具體工藝參數(shù)如下:源功率為400?800W,偏置功率為20?40W,蝕刻期間的SF6/...
      • 本發(fā)明涉及濺射靶材技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高純鈷濺射靶材的制備方法、高純鈷濺射靶材及應(yīng)用。所述方法包括以下步驟:(1)基體預(yù)處理:選擇靶材基體,對(duì)基體表面進(jìn)行加工處理,控制基體表面粗糙度在0.1μm以下;(2)高純鈷沉積:采用化學(xué)氣相沉積法將...
      • 本發(fā)明提供了一種薄壁方管的熱鍍鋅裝置,鋅鍋內(nèi)分別設(shè)置入料組件和旋轉(zhuǎn)輪,入料組件用于限定鋼管的位移軌跡,旋轉(zhuǎn)輪用于帶動(dòng)鋼管運(yùn)動(dòng),且鋅鍋內(nèi)填設(shè)鍍料,撥出組件用于將鋼管由鋅鍋導(dǎo)出,入料組件包括第一入料框,第一入料框上設(shè)有用于鋼管導(dǎo)向的第一導(dǎo)向槽,...
      • 本發(fā)明提供了一種寬溫域耐磨自潤(rùn)滑復(fù)合涂層制備工藝,采用雙陶瓷層結(jié)構(gòu)體系,整體提升涂層與基體、涂層間的匹配性并提升涂層抗氧化及熱循環(huán)性能,減少了涂層使用過(guò)程中的剝落;即在金屬基體表面采用超音速噴涂鎳鉻/碳化鉻作為耐磨涂層底層,采用超音速火焰噴...
      • 本實(shí)用新型涉及一種實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品溫度的壓環(huán)裝置,包括承載臺(tái),承載臺(tái)上端設(shè)有用于夾持基片的環(huán)向夾持結(jié)構(gòu),所述承載臺(tái)為中空柱狀結(jié)構(gòu),內(nèi)部具有上下貫通的空腔,承載臺(tái)的內(nèi)部設(shè)有用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)基片溫度的熱成像攝像頭,所述熱成像攝像頭配置有外接主機(jī),所述熱...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種爐鼻子裙邊內(nèi)部吹渣裝置及其使用方法,包括外接進(jìn)氣口、裙邊外部的吹渣管、裙邊本體,鋁鍋本體和鋁鍋工作液面;鋁鍋本體為基礎(chǔ)容器,盛裝高溫鋁液,是帶鋼熱浸鍍鋁的核心區(qū)域,呈池狀開(kāi)口向上;裙邊本體屬于爐鼻子設(shè)備的組成部分,位于在鋁鍋...
      • 本發(fā)明涉及不銹鋼氣動(dòng)缸技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種耐磨損腐蝕的氣動(dòng)缸用不銹鋼及其制備方法,首先對(duì)不銹鋼基體預(yù)處理,提升不銹鋼基體表面與涂層間的結(jié)合性能,接著在基體表面沉積防止基體中的鐵擴(kuò)散的過(guò)渡層后,依次沉積增韌的鎳鈷合金層、高硬度的超晶格涂層...
      • 本申請(qǐng)涉及一種鍍膜設(shè)備及鍍膜方法。鍍膜設(shè)備包括真空鍍膜室、工件架、靶組機(jī)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),真空鍍膜室;工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi);多個(gè)靶組機(jī)構(gòu)環(huán)繞工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi),靶組機(jī)構(gòu)用于向待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒;驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)設(shè)置于靶...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管,包括電磁產(chǎn)生裝置、端部冷卻組合管,外周冷卻組合管;外周冷卻組合管整體呈圓環(huán)形的中空管狀結(jié)構(gòu);其包含有螺旋纏繞的多個(gè)獨(dú)立的冷卻分管;冷卻分管改變制冷劑的流動(dòng)軌跡,產(chǎn)生二次流增加制冷劑的湍流程度,使...
      • 本發(fā)明涉及粉體鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多級(jí)孿生靶粉體外循環(huán)連續(xù)輸送鍍膜設(shè)備,包括支撐架、鍍膜裝置、進(jìn)料裝置、循環(huán)裝置和收集裝置,所述支撐架上安裝有鍍膜裝置,所述鍍膜裝置用于通過(guò)孿生等離子對(duì)靶實(shí)現(xiàn)粉體的薄膜沉積實(shí)現(xiàn)對(duì)粉體的鍍膜;所述進(jìn)料裝置...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機(jī),應(yīng)用于金屬薄膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板,殼體一的內(nèi)部設(shè)置有蒸發(fā)車,殼體二的內(nèi)部設(shè)置有卷繞車,蒸發(fā)車和卷繞車均與滑移板為滑動(dòng)連接,蒸發(fā)車上設(shè)置有蒸發(fā)組件;蒸發(fā)組件...
      • 一種通過(guò)原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟:a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度,并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下;b)將形成含硅...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種應(yīng)用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝,包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內(nèi)設(shè)置有安裝腔,堝體設(shè)置于安裝腔內(nèi),堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設(shè)置于安裝腔內(nèi),加熱組件包括發(fā)熱元件,發(fā)熱元件環(huán)繞在堝體的外部,發(fā)熱元件沿堝體的軸線方向往復(fù)彎...
      • 一種襯底處理室包括井、設(shè)置在井中的基座以及設(shè)置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側(cè)壁限定。井包括靠近井的底部的多個(gè)排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側(cè)壁和在側(cè)壁上的多組開(kāi)孔。擋板被配置為引導(dǎo)供應(yīng)到襯底處理室的氣體的...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于二維量子隧穿力敏機(jī)制的柔性壓力傳感器,由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成;所述頂部電極為共形碳納米薄膜,所述中間介電層為六方氮化硼(HBN),所述底部電極為單層石墨烯;所述共形碳納米薄膜由具有微結(jié)構(gòu)的石墨烯...
      • 一種用于基板處理的方法,包括:使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中;使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中;測(cè)量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度;以及基于測(cè)量的溫度來(lái)調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
      • 本申請(qǐng)公開(kāi)了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術(shù)制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜,在沉積過(guò)程中,所述襯底連接電壓源,通過(guò)所述電壓源施加偏壓△E,以調(diào)控氧化物薄膜中的有效氧分壓,△E不為0。由此,在采用PL...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種形變驅(qū)動(dòng)梯度冶金沉積的復(fù)合涂層及其制備方法和應(yīng)用,屬于材料加工與表面處理技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合涂層包括從內(nèi)到外依次附著于鋼板基體表面的表面強(qiáng)化層、過(guò)渡層和材料涂層;所述材料涂層采用鋁合金棒料或鋁基復(fù)合材料棒料,解決了現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)...
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