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      五金工具產品及配附件制造技術
      • 本申請涉及模板加工領域,公開了一種耐刮擦金屬膜防護的模板離型處理方法,包括以下步驟:S1.模板表面預處理:準備好待處理的模板,將其放入射頻等離子體清洗機內;S2.涂覆襯底層:通過磁控濺射技術在活化后的模板表面涂覆一層襯底層;S3.使用化學氣...
      • 本發明涉及一種濺射沉積絕緣涂層及其制備方法,屬于絕緣涂層技術領域。本發明通過對金屬基體進行電化學拋光,獲得光滑平整且具有一定粗糙度的預處理金屬基體,然后通過在預處理金屬基體表面濺射沉積Cr?Ce合金涂層,并控制Cr?Ce合金涂層中Ce元素的...
      • 本發明公開了一種鐵基鑄件的熱鍍鋅裝置及工藝,涉及鐵基鑄件技術領域;而本發明包括安裝外架,安裝外架的內側底端固定安裝有盛料底箱,且盛料底箱上連通設有對稱設置的側接框體,盛料底箱的內腔中設有配合使用的分隔機構,且安裝外架的頂端設有與盛料底箱配合...
      • 本申請公開了一種用于常壓爐管系統的制備薄膜的方法以及常壓爐管系統,所述方法包括:獲得常壓爐管內部的工作氣壓,以作為第一氣壓;獲得常壓爐管的尾管的氣壓,以作為第二氣壓;基于所述第一氣壓和所述第二氣壓,調整所述第一氣壓和所述第二氣壓的壓力差,使...
      • 本發明涉及一種高平整度滲鋁涂層,其原料包括:10~15wt%的無機纖維素,1~3wt%的有機聯結劑,15~25wt%的分散劑,17~25wt%的鋁粉,0.5~0.8wt%的氯化銨,0.2~0.4wt%的氟化鈉,25~44wt%的氧化鋁粉。本...
      • 本實用新型公開了PECVD工藝腔室多晶圓沉積用的加熱基座,涉及PECVD設備技術領域;包括:熱盤頂殼,其上面與晶圓直接接觸,底部開有容置槽;電阻加熱結構,所述電阻加熱結構包括一根加熱管體盤繞而成的加熱盤和引線管,在加熱盤中內置有電阻絲,在引...
      • 本實用新型提供了一種濺射鍍膜生產用定位裝置,包括:樣品盤,所述樣品盤上表面的開設置物槽,置物槽底部開設移動槽,移動槽內通過軸承活動連接主絲桿,且置物槽底部固定連接底板,底部表面相對移動槽的位置對應開設主滑槽,而移動板通過螺接的主絲桿滑動連接...
      • 本發明公開了鋁材鈍化技術領域的一種鋁蜂窩芯鈍化裝置及鈍化方法,包括液劑出入通道、上鈍化部、下鈍化部和純水進入通道,所述液劑出入通道作為拋光劑或者鈍化劑的輸送通道;上鈍化部的內壁活動貫穿卡接有活動板,所述活動板將上鈍化部內部分隔為第一腔室和第...
      • 本發明提供一種能夠通過簡易的機構使大量電子零件的一部分為了成膜而統一露出的供給裝置、成膜裝置及保持構件。實施方式的供給裝置向對電子零件進行成膜的成膜裝置的成膜處理部供給電子零件,其包括:掩模,具有覆蓋電子零件的一部分的掩模孔,以使電子零件貫...
      • 本公開提供了薄膜制備工藝,屬于薄膜材料技術領域。該薄膜制備工藝包括:提供第一結構體,其包括目標材料層、分別結合至目標材料層的相對兩個表面的兩組金屬層,金屬層的熱膨脹系數大于目標材料層的熱膨脹系數。對第一結構體進行升溫處理,使得目標材料層的內...
      • 本實用新型涉及一種真空鍍膜用跨腔室送料裝置,包括A腔室、B腔室、載具、轉運裝置和轉運調節機構,A腔室和B腔室之間設置用于工件轉送的轉送通道,轉送通道處設置有對轉送通道的連通狀態進行調整的啟閉組件,A腔室內設置有用于支撐轉運裝置的A導送組件,...
      • 本發明涉及高溫金屬防護技術領域,具體涉及一種增強錸條及其制備方法與應用。本發明提供了一種增強錸條,所述增強錸條包括錸條及負載在所述錸條表面的氧化鋯摻雜三氧化二鈰涂層;以所述氧化鋯摻雜三氧化二鈰涂層重量計,所述三氧化二鈰的含量為1~5 wt%...
      • 本發明公開了一種真空鍍膜機用工件載架及真空鍍膜機,工件載架包括公轉軸和轉動安裝在公轉軸上的公轉架,公轉架上安裝有多根用于連接安裝工件的自轉軸,自轉軸通過擺動機構以能擺動的方式安裝在公轉架上,各自轉軸與公轉軸之間設有在公轉架轉動時驅使自轉軸同...
      • 本實用新型涉及一種雙腔室濺射鍍膜設備,包括機架,機架上設置有裝載腔室、鍍膜腔室,裝載腔室和鍍膜腔室之間設置有轉運裝置,鍍膜腔室上設置有A加熱裝置、載臺、清洗單元、鍍膜單元,鍍膜腔室還與A冷卻單元、A抽真空單元、A氣體單元相連接;裝載腔室內設...
      • 本申請公開一種門窗玻璃鍍膜裝置,屬于門窗玻璃加工技術領域,其包括傳送箱,傳送箱的頂部固定安裝有磁控鍍膜箱,傳送箱的頂部位于磁控鍍膜箱的一側固定安裝有真空鍍膜箱,傳送箱內部位于磁控鍍膜箱的下方固定安裝有電動滑軌,電動滑軌的滑動端滑動連接有電動...
      • 本發明公開了一種非晶硅膜的制備方法,包括:將基體置于真空室內,并在所述真空室內的壓力為10?4Pa的條件下,對所述基體的表面進行清洗處理;對清洗后的基體進行加熱處理,并向所述真空室內通入硅烷氣體和稀薄氣體;利用高頻硅源...
      • 本發明公開了一種DLC膜的柔化處理方法,將待處理的DLC膜樣品放入真空腔室內,將所述真空腔室進行抽真空,通過濺射系統將濺射氣體注入所述真空腔室中,其中,濺射氣體包括氬氣,再將氦氣注入所述真空腔室內,使得氦氣分子透過DLC膜,影響其內部結構,...
      • 本實用新型涉及真空鍍膜設備技術領域,尤其涉及一種用于真空鍍膜的快速夾持裝置。技術問題:現有的真空鍍膜設備,通常采用基板放置工件材料在真空箱內,由于鍍膜工件的種類不同,使得基板與工件之間的不匹配,導致的鍍膜不均勻,影響鍍膜質量的問題。技術方案...
      • 本發明提供一種圓形焊帶的鍍錫裝置,包括模具支架固定板和定徑模具;模具支架固定板的下方設置錫液池,模具支架固定板上從上至下依次設置有模具支架和下壓線輪,模具支架包含水平擋板,水平擋板的中部設置有第一通孔;下壓線輪靠近模具支架一側的豎向切線從第...
      • 本實用新型公開了一種真空磁控濺射薄膜鍍制設備,涉及薄膜鍍制技術領域。本實用新型包括箱體,所述箱體的正面轉動連接有箱門,所述箱體的右側開設有抽氣孔,所述箱體的右側固定連接有抽氣管,所述抽氣管與抽氣孔呈連通設置,所述箱體的頂部固定連接有電機。本...
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