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            拖動滑塊完成拼圖
        
      
        
      
    
      
    
      
        
      
        
      
    
      

      














      
    
    
      
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                  		五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
                  	
                  
      
                
      
                
      
                    
        
					
						
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								      本發(fā)明涉及可排列均勻的螺栓加工用防氧化設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種可排列均勻的螺栓加工用防氧化設(shè)備，包括浸入箱和浸入箱上側(cè)轉(zhuǎn)動連接的轉(zhuǎn)蓋，所述浸入箱內(nèi)側(cè)設(shè)置有搖晃排列機構(gòu)、振動機構(gòu)和浸泡機構(gòu)，所述搖晃排列機構(gòu)設(shè)置在搖晃排列機構(gòu)和浸泡機構(gòu)中側(cè)，...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型屬于光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，本實用新型公開了一種全干法制備鈣鈦礦材料蒸鍍設(shè)備防腐蝕冷屏，蒸鍍設(shè)備包括蒸發(fā)源，蒸發(fā)源蒸發(fā)出鈣鈦礦材料分子，防腐蝕冷屏包括真空腔體、冷屏板、冷屏板固定柱、均熱板、低溫泵、冷媒管、均熱板固定柱和冷阱；冷屏板包括...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及鎂合金表面熱控耐磨潤滑膜層及其制備方法，采用激光織構(gòu)技術(shù)在鎂合金表面加工出四棱臺結(jié)構(gòu)，再利用微弧氧化技術(shù)在四棱臺結(jié)構(gòu)表面原位生長一層致密陶瓷膜層，最后在陶瓷膜層上磁控濺射一層二硫化鉬膜，得到熱控耐磨潤滑膜層。本發(fā)明可以用于在空間環(huán)...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提供一種用于cvd氣相沉積反應爐取放樣桿，包括取放主桿以及取放副桿，取放主桿旁邊設(shè)置有取放副桿，取放主桿和取放副桿上端均設(shè)置有用于對外界碳纖維布進行支撐的樣品放置組件，取放主桿和取放副桿上端面后側(cè)設(shè)置有支撐組件，本實用通過在取放主...
								
        
							
        
							
						
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								      公開了一種沉積含金屬的材料的方法。所述方法可包括循環(huán)沉積技術(shù)的使用，如循環(huán)化學氣相沉積和原子層沉積。含金屬的材料可包括金屬間化合物。還公開了一種包括所述含金屬的材料的結(jié)構(gòu)和一種用于形成所述材料的系統(tǒng)。
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開一種低成本熱基鋅鋁鎂S350GD+ZM帶鋼的制作方法。采用CSP工藝生產(chǎn)熱軋基板，按厚度分段控制：1.8?3.5mm免Nb，3.5?6.0mm加0.01?0.025%Nb；軋制溫度控制為終軋860?890℃、卷取550?580℃，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種熱鍍鋅機組不停爐更換爐鼻子頭的操作方法，利用翻板閥密封，利用夾置器夾置固定切斷后的帶鋼頭部，利用起吊工具起吊原有的爐鼻子頭更換新的爐鼻子頭，固定的帶鋼頭部安裝鐵鏈，利用鐵鏈引導帶鋼從新的爐鼻子頭內(nèi)穿出，完成穿帶作業(yè)，本發(fā)明的有...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供的一種板材邊部鍍層厚度控制裝置及方法，控制裝置包括支撐件、至少兩個加熱組件以及測溫組件，支撐件上成型有適于板材穿過的通槽；兩個加熱組件均與所述支撐件連接，且兩個所述加熱組件分設(shè)在所述板材兩側(cè)；測溫組件與所述支撐件連接，所述測溫組件...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種航空基片材料復合涂層薄膜制備設(shè)備，主要包括底架、滑動基座和薄膜管組件。底架固定安裝主滑軌和帶驅(qū)動齒條的齒條桿，滑動基座裝配有主動齒輪與從動齒輪聯(lián)動系統(tǒng)。當滑動基座移動時，主動齒輪與驅(qū)動齒條嚙合帶動從動齒輪轉(zhuǎn)動，通過棘爪齒條驅(qū)...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供一種獨立式連續(xù)工藝系統(tǒng)，用于對待工藝物件進行電漿處理，該系統(tǒng)依序設(shè)置有預處理機臺、第一獨立工藝機臺及終端獨立工藝機臺。第一獨立工藝機臺具有工藝腔體及兩個閥門，兩個閥門分別設(shè)于工藝腔體的兩側(cè)，工藝腔體依序設(shè)置有相互連通的第一真空抽氣...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明屬于過渡族金屬有機物合成技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種第VIB族金屬前驅(qū)體的合成方法，所述方法包括：使用金屬原料MO2X2和含[R1N=C]結(jié)構(gòu)的化合物反應制備中間體(R
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于海洋大氣環(huán)境的微弧氧化復合涂層及其制備方法，屬于金屬材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域。制備方法包括處理基材，所述基材為鎂合金；將處理后的基材置于電解液中進行微弧氧化處理；最后在微弧氧化處理后的基材上進行磁控濺射；基材上制得復合涂層，依...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種適用于脈沖激光沉積系統(tǒng)的激光入射窗口防污染方法，屬于脈沖激光沉積技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過延長激光入射窗口與靶材的距離至800?1200 mm，采用匹配的長焦距聚焦透鏡保持激光聚焦能力，并通過金屬延長管密封連接真空腔體。延長管內(nèi)表...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及PECVD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種改善舟片碎耳的隔塊，包括雙頭螺桿，所述雙頭螺桿兩側(cè)固定安裝有固定螺母，所述雙頭螺桿外側(cè)活動安裝有分隔筒，所述雙頭螺桿外側(cè)設(shè)置有片體機構(gòu)，所述片體機構(gòu)包括第一舟片和第二舟片，所述第一舟片前后兩端...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種噴淋裝置及薄膜沉積設(shè)備，包括：本體，所述本體上設(shè)有噴淋面，所述噴淋面上劃分有多個噴淋區(qū)域，每個所述噴淋區(qū)域上分布有多個噴嘴；控制模塊，包括第一控制單元，所述第一控制單元用于對每個所述噴淋區(qū)域上的所述噴淋面的局部相對高度進行獨...
								
        
							
        
							
						
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								      一種金屬涂層等離子噴涂設(shè)備，具體涉及等離子噴涂技術(shù)領(lǐng)域，包括工作臺、放置盤、瓶體，所述放置盤旋轉(zhuǎn)安裝在工作臺的頂部，所述工作臺的頂部一側(cè)固定連接有支架，且支架的頂部固定安裝有電動推桿，方案包括采用壓桿與活塞的負壓吸附機構(gòu)替代傳統(tǒng)撐結(jié)構(gòu)，配合...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明涉及芯片加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高精度智能芯片膜的物理氣相沉積裝置，通過清洗機構(gòu)和烘干組件的設(shè)置，在清洗芯片時，能夠?qū)⒍鄠€芯片分別放置到若干載物框內(nèi)，并在提升桿的驅(qū)動下進入到清洗桶中，同時清洗多個芯片，從而提高了芯片的加工效率，且在清...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種控制脈沖直流物理氣相沉積(PVD)形成的材料層中應力變化的方法及設(shè)備。該方法包以下步驟：設(shè)置一腔室，其包括形成材料層的靶和在其上能夠形成材料層的襯底；以及向腔室內(nèi)引入氣體。該方法還包括在腔室內(nèi)生成等離子體并且將第一磁場施加到...
								
        
							
        
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種MPCVD裝置及其應用，涉及微波等離子體的技術(shù)領(lǐng)域，包括同軸線、放大同軸線、第一漸變阻抗匹配器、第二漸變阻抗匹配器、等離子體反應室、基臺，以及懸放于內(nèi)部的同軸內(nèi)導體；放大同軸線使同軸線中的TEM模式轉(zhuǎn)換到放大同軸線中形成穩(wěn)定...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及真空處理技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種裝載裝置及真空處理設(shè)備，該裝載裝置包括支撐架、裝載組件、連動組件和傳動機構(gòu)；裝載組件設(shè)置有若干個，若干個裝載組件相互平行且沿第一方向傾斜間隔設(shè)置，任意相鄰兩個裝載組件之間通過連動組件連動連接；傳...
								
        
							
        
							
						
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