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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本實(shí)用新型公開了PECVD工藝腔室多晶圓沉積用的加熱基座,涉及PECVD設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域;包括:熱盤頂殼,其上面與晶圓直接接觸,底部開有容置槽;電阻加熱結(jié)構(gòu),所述電阻加熱結(jié)構(gòu)包括一根加熱管體盤繞而成的加熱盤和引線管,在加熱盤中內(nèi)置有電阻絲,在引...
      • 本實(shí)用新型提供了一種濺射鍍膜生產(chǎn)用定位裝置,包括:樣品盤,所述樣品盤上表面的開設(shè)置物槽,置物槽底部開設(shè)移動槽,移動槽內(nèi)通過軸承活動連接主絲桿,且置物槽底部固定連接底板,底部表面相對移動槽的位置對應(yīng)開設(shè)主滑槽,而移動板通過螺接的主絲桿滑動連接...
      • 本發(fā)明公開了鋁材鈍化技術(shù)領(lǐng)域的一種鋁蜂窩芯鈍化裝置及鈍化方法,包括液劑出入通道、上鈍化部、下鈍化部和純水進(jìn)入通道,所述液劑出入通道作為拋光劑或者鈍化劑的輸送通道;上鈍化部的內(nèi)壁活動貫穿卡接有活動板,所述活動板將上鈍化部內(nèi)部分隔為第一腔室和第...
      • 本發(fā)明提供一種能夠通過簡易的機(jī)構(gòu)使大量電子零件的一部分為了成膜而統(tǒng)一露出的供給裝置、成膜裝置及保持構(gòu)件。實(shí)施方式的供給裝置向?qū)﹄娮恿慵M(jìn)行成膜的成膜裝置的成膜處理部供給電子零件,其包括:掩模,具有覆蓋電子零件的一部分的掩模孔,以使電子零件貫...
      • 本公開提供了薄膜制備工藝,屬于薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域。該薄膜制備工藝包括:提供第一結(jié)構(gòu)體,其包括目標(biāo)材料層、分別結(jié)合至目標(biāo)材料層的相對兩個表面的兩組金屬層,金屬層的熱膨脹系數(shù)大于目標(biāo)材料層的熱膨脹系數(shù)。對第一結(jié)構(gòu)體進(jìn)行升溫處理,使得目標(biāo)材料層的內(nèi)...
      • 本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜用跨腔室送料裝置,包括A腔室、B腔室、載具、轉(zhuǎn)運(yùn)裝置和轉(zhuǎn)運(yùn)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),A腔室和B腔室之間設(shè)置用于工件轉(zhuǎn)送的轉(zhuǎn)送通道,轉(zhuǎn)送通道處設(shè)置有對轉(zhuǎn)送通道的連通狀態(tài)進(jìn)行調(diào)整的啟閉組件,A腔室內(nèi)設(shè)置有用于支撐轉(zhuǎn)運(yùn)裝置的A導(dǎo)送組件,...
      • 本實(shí)用新型涉及一種雙腔室濺射鍍膜設(shè)備,包括機(jī)架,機(jī)架上設(shè)置有裝載腔室、鍍膜腔室,裝載腔室和鍍膜腔室之間設(shè)置有轉(zhuǎn)運(yùn)裝置,鍍膜腔室上設(shè)置有A加熱裝置、載臺、清洗單元、鍍膜單元,鍍膜腔室還與A冷卻單元、A抽真空單元、A氣體單元相連接;裝載腔室內(nèi)設(shè)...
      • 本發(fā)明涉及高溫金屬防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種增強(qiáng)錸條及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供了一種增強(qiáng)錸條,所述增強(qiáng)錸條包括錸條及負(fù)載在所述錸條表面的氧化鋯摻雜三氧化二鈰涂層;以所述氧化鋯摻雜三氧化二鈰涂層重量計(jì),所述三氧化二鈰的含量為1~5 wt%...
      • 本發(fā)明公開了一種真空鍍膜機(jī)用工件載架及真空鍍膜機(jī),工件載架包括公轉(zhuǎn)軸和轉(zhuǎn)動安裝在公轉(zhuǎn)軸上的公轉(zhuǎn)架,公轉(zhuǎn)架上安裝有多根用于連接安裝工件的自轉(zhuǎn)軸,自轉(zhuǎn)軸通過擺動機(jī)構(gòu)以能擺動的方式安裝在公轉(zhuǎn)架上,各自轉(zhuǎn)軸與公轉(zhuǎn)軸之間設(shè)有在公轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)動時(shí)驅(qū)使自轉(zhuǎn)軸同...
      • 本申請公開一種門窗玻璃鍍膜裝置,屬于門窗玻璃加工技術(shù)領(lǐng)域,其包括傳送箱,傳送箱的頂部固定安裝有磁控鍍膜箱,傳送箱的頂部位于磁控鍍膜箱的一側(cè)固定安裝有真空鍍膜箱,傳送箱內(nèi)部位于磁控鍍膜箱的下方固定安裝有電動滑軌,電動滑軌的滑動端滑動連接有電動...
      • 本發(fā)明公開了一種非晶硅膜的制備方法,包括:將基體置于真空室內(nèi),并在所述真空室內(nèi)的壓力為10?4Pa的條件下,對所述基體的表面進(jìn)行清洗處理;對清洗后的基體進(jìn)行加熱處理,并向所述真空室內(nèi)通入硅烷氣體和稀薄氣體;利用高頻硅源...
      • 本發(fā)明公開了一種DLC膜的柔化處理方法,將待處理的DLC膜樣品放入真空腔室內(nèi),將所述真空腔室進(jìn)行抽真空,通過濺射系統(tǒng)將濺射氣體注入所述真空腔室中,其中,濺射氣體包括氬氣,再將氦氣注入所述真空腔室內(nèi),使得氦氣分子透過DLC膜,影響其內(nèi)部結(jié)構(gòu),...
      • 本實(shí)用新型涉及真空鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于真空鍍膜的快速夾持裝置。技術(shù)問題:現(xiàn)有的真空鍍膜設(shè)備,通常采用基板放置工件材料在真空箱內(nèi),由于鍍膜工件的種類不同,使得基板與工件之間的不匹配,導(dǎo)致的鍍膜不均勻,影響鍍膜質(zhì)量的問題。技術(shù)方案...
      • 本發(fā)明提供一種圓形焊帶的鍍錫裝置,包括模具支架固定板和定徑模具;模具支架固定板的下方設(shè)置錫液池,模具支架固定板上從上至下依次設(shè)置有模具支架和下壓線輪,模具支架包含水平擋板,水平擋板的中部設(shè)置有第一通孔;下壓線輪靠近模具支架一側(cè)的豎向切線從第...
      • 本實(shí)用新型公開了一種真空磁控濺射薄膜鍍制設(shè)備,涉及薄膜鍍制技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型包括箱體,所述箱體的正面轉(zhuǎn)動連接有箱門,所述箱體的右側(cè)開設(shè)有抽氣孔,所述箱體的右側(cè)固定連接有抽氣管,所述抽氣管與抽氣孔呈連通設(shè)置,所述箱體的頂部固定連接有電機(jī)。本...
      • 本實(shí)用新型涉及電飯煲內(nèi)膽技術(shù)領(lǐng)域,本實(shí)用新型公開了一種電飯煲內(nèi)膽加工的氧化裝置,包括氧化槽、支腿和氧化液。本實(shí)用新型通過設(shè)置氧化槽、支腿、氧化框、攪拌機(jī)構(gòu)、加熱機(jī)構(gòu)、升降裝置、控制器和排料管,首先將電飯煲內(nèi)膽放置氧化框內(nèi),通過控制器打開加熱...
      • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合金屬氧化物靶材及其制備方法和應(yīng)用。所述的復(fù)合金屬氧化物靶材,組分包括摻雜金屬氧化物、氧化錫和氧化鈦,該靶材在降低了成本的同時(shí),保證了穩(wěn)定性,能廣泛適用于各種鍍膜技術(shù),提升產(chǎn)業(yè)效率,并且提升鍍膜質(zhì)量。本發(fā)明還提供了復(fù)合金屬...
      • 本發(fā)明涉及航空發(fā)動機(jī)噴涂工裝技術(shù)領(lǐng)域,提供一種燃燒室火焰筒大氣等離子涂層噴涂工裝,通過O型填充環(huán)封堵保護(hù)火焰筒的O型氣膜環(huán)槽,在燃燒室火焰筒大氣等離子涂層噴涂作業(yè)中,能夠使氣膜環(huán)槽間隙內(nèi)無涂層和其他多余物,避免氣膜環(huán)槽間隙尺寸超差;本發(fā)明的...
      • 本發(fā)明涉及鍍層厚度控制技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種提高帶鋼邊部鋅層均勻性的閉環(huán)控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì)。閉環(huán)控制方法包括:步驟1,在氣刀噴吹段,氣刀刀唇通體長度等間距劃分18個控制點(diǎn),氣刀后方設(shè)置測厚儀;步驟2,由測厚儀對帶鋼寬度方向各點(diǎn)的鋅層...
      • 本發(fā)明涉及掛具技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種熱浸鍍鋅表面處理用吊鉤裝置,包括連接架,連接架上轉(zhuǎn)動連接有連接柱,連接柱的外壁上固定套設(shè)有連接盤,連接盤的下端面上設(shè)有用于懸掛金屬工件的吊鉤,連接架上設(shè)有用于驅(qū)動吊鉤進(jìn)行轉(zhuǎn)動來提高金屬工件鍍鋅均勻度的驅(qū)動組...
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