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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本申請(qǐng)涉及鋼筋生產(chǎn)制造的技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種鋼筋自動(dòng)化噴涂裝置,包括機(jī)架、進(jìn)料組件、電弧噴涂組件、涂層噴涂組件以及烘干組件。機(jī)架上固定連接有限位板,進(jìn)料組件包括進(jìn)料輸送輥和驅(qū)動(dòng)件,進(jìn)料輸送輥轉(zhuǎn)動(dòng)連接在機(jī)架上,驅(qū)動(dòng)件用于驅(qū)動(dòng)進(jìn)料輸送輥轉(zhuǎn)動(dòng)...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種光伏焊帶用風(fēng)刀,涉及風(fēng)刀技術(shù)領(lǐng)域,包括上殼體和下殼體,所述上殼體和下殼體同圓心處設(shè)置穿過(guò)焊帶的模具孔,所述上殼體和下殼體連接后形成氣體流通的腔體,所述上殼體和下殼體的模具孔處形成吹風(fēng)口,腔體包括水平段、豎直段、斜向段,所述下...
      • 本發(fā)明涉及一種動(dòng)態(tài)自適應(yīng)蒸鍍系統(tǒng)及蒸鍍方法,蒸鍍系統(tǒng)包括真空腔體、蒸發(fā)源與基片載板,真空腔體包括由下至上依次連通的蒸發(fā)區(qū)、過(guò)渡區(qū)與沉積區(qū),蒸發(fā)區(qū)與過(guò)渡區(qū)之間設(shè)有第一隔板,第一隔板的中心通氣并設(shè)有第一隔斷裝置,過(guò)渡區(qū)與沉積區(qū)之間設(shè)有第二隔板,...
      • 本發(fā)明屬于金屬材料熱處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種42CrMo齒圈的變溫氮化工藝,包括,對(duì)齒圈進(jìn)行預(yù)氧化,溫度為300?400℃,時(shí)間為1?2h;對(duì)齒圈進(jìn)行氮化處理處理:將齒圈升溫至550?580℃;強(qiáng)滲階段,溫度為550?580℃,Kn值為3...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種化學(xué)鍍鎳處理裝置,包括槽口朝上的鍍槽,鍍槽內(nèi)設(shè)有鍍鎳滾筒,鍍鎳滾筒包括呈前后對(duì)稱布置的滾筒架,滾筒架之間固定連接有連桿,所述滾筒架之間轉(zhuǎn)動(dòng)連接有滾筒本體,滾筒本體上設(shè)有大齒輪,大齒輪的上方嚙合有轉(zhuǎn)動(dòng)連接在所述滾筒架上的小...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鉆石反應(yīng)腔的冷卻結(jié)構(gòu),包括反應(yīng)底座、生長(zhǎng)臺(tái)和環(huán)形玻璃;所述反應(yīng)底座的頂部設(shè)有反應(yīng)槽,所述反應(yīng)槽的內(nèi)底壁和所述生長(zhǎng)臺(tái)的底端之間分別設(shè)有環(huán)形槽,所述環(huán)形玻璃的上下兩端分別嵌設(shè)于對(duì)應(yīng)的所述環(huán)形槽內(nèi),所述環(huán)形玻璃與所述環(huán)形槽之間...
      • 本發(fā)明涉及雙階段噴丸?MoS2復(fù)合強(qiáng)化柔輪及剛輪表面性能的方法,屬于金屬表面加工技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:S1、采用金屬硬質(zhì)微粒對(duì)中碳合金鋼材質(zhì)的柔輪和剛輪表面分別進(jìn)行微粒噴丸處理;S2、分別對(duì)由步驟S1處理后的柔輪和剛...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種加熱設(shè)備,包括:燈泡、水冷燈罩和燈座,所述水冷燈罩和燈座可拆卸連接;所述燈座包括座板,所述座板上設(shè)有接線銅排,所述接線銅排包括一個(gè)零線銅排和至少一個(gè)火線銅排,所述座板上還設(shè)有與所述燈泡的插頭相適配的插座,所述插座與零線銅...
      • 本發(fā)明涉及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種基板上粘貼的膠帶的揭取方法,在基板上設(shè)置膠帶的起頭部,所述膠帶的粘貼范圍至少覆蓋所述起頭部的一部分;自所述起頭部對(duì)所述膠帶進(jìn)行揭起并將其從所述基板上逐步剝離,同時(shí)對(duì)剝離的所述膠帶進(jìn)行纏繞收集。本發(fā)明的優(yōu)...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種鉆石生長(zhǎng)臺(tái)的冷卻結(jié)構(gòu),包括生長(zhǎng)臺(tái),所述生長(zhǎng)臺(tái)的頂端可拆卸安裝有鉬環(huán),所述鉬環(huán)與所述生長(zhǎng)臺(tái)相互貼合,所述生長(zhǎng)臺(tái)的內(nèi)部設(shè)有第一水冷腔和第二水冷腔,所述第一水冷腔和第二水冷腔通過(guò)若干通孔連通,所述第二水冷腔的內(nèi)壁設(shè)有若干翅片板...
      • 本發(fā)明涉及一種提高鋁合金模具CrN涂層沉積效率的激光沖擊工藝,包括以下步驟:(1)、將原始模具鋼線切割成樣品;(2)、將樣品進(jìn)行熱處理,拋光打磨后使用有機(jī)溶劑進(jìn)行超聲波清洗,烘干;(3)、將樣品夾裝到激光沖擊強(qiáng)化試驗(yàn)平臺(tái)上對(duì)表面進(jìn)行激光沖擊...
      • 本實(shí)用新型涉及氣體噴淋設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種適用于PECVD的氣體噴淋頭,為解決現(xiàn)有技術(shù)氣體流速不均勻、制備效率低的問(wèn)題。該氣體噴淋頭包括圍管,管狀結(jié)構(gòu);氣體噴淋板,設(shè)置在所述圍管的下端,其上設(shè)有若干出氣孔,所述出氣孔的縱向剖面為中間細(xì)...
      • 本實(shí)用新型涉及一種線性加熱源坩堝及沉積裝置,包括:坩堝本體和噴射組件,坩堝本體的橫截面為扁平花生型;噴射組件包括噴板和兩個(gè)隔板,兩個(gè)隔板沿坩堝本體的軸向等距設(shè)置在坩堝本體內(nèi)部,兩個(gè)隔板將坩堝本體分隔成三個(gè)材料填充區(qū);噴板設(shè)置在坩堝本體的頂部...
      • 本發(fā)明涉及真空沉積技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種真空室連續(xù)供料機(jī)構(gòu)及物理氣相沉積裝置,包括傳輸室,其內(nèi)部具有腔體空間,腔體空間還具有可與真空室連通的第一開(kāi)口,以及可與外部連通的第二開(kāi)口;以及,輸送組件,其用于攜帶物料沿設(shè)定的輸送路徑Pi
      • 本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種半導(dǎo)體高純碳化硅涂層用化學(xué)氣相沉積裝置及方法,包括一個(gè)沉積罐,沉積罐的頂部設(shè)有進(jìn)氣管,沉積罐的內(nèi)部設(shè)有固定筒,固定筒的外側(cè)設(shè)有固定栓,固定筒通過(guò)固定栓與進(jìn)氣管的底部連接,固定筒的內(nèi)部設(shè)有用于將氣...
      • 本實(shí)用新型涉及刀具柔性鈍化技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種刀具柔性鈍化裝置,包括底板,所述底板上固定連接有支撐框架,所述支撐框架上固定安裝有電動(dòng)推桿,所述電動(dòng)推桿的輸出端固定連接有頂板,所述頂板的下部固定連接有滑桿,所述滑桿的下端固定連接有擋塊,所述滑...
      • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空鍍膜用載臺(tái),包括:載臺(tái),所述載臺(tái)上方一端開(kāi)設(shè)有移動(dòng)槽,所述載臺(tái)側(cè)面固定設(shè)置有側(cè)翼板,所述側(cè)翼板上方固定設(shè)置有推動(dòng)裝置,所述推動(dòng)裝置側(cè)面固定設(shè)置有伸縮推桿,所述伸縮推桿側(cè)面固定設(shè)置有固定卡板控制器,所述固定卡板控制器側(cè)...
      • 本申請(qǐng)涉及化學(xué)氣相沉積工藝技術(shù)領(lǐng)域,具體提供氣體輸送裝置以及化學(xué)氣相沉積設(shè)備。該氣體輸送裝置包括:運(yùn)行管路、排氣管路、導(dǎo)氣管路、至少一個(gè)氣體輸送管路、第一流量控制器和第二流量控制器。通過(guò)導(dǎo)氣管路可以將部分運(yùn)載氣體直接輸送至反應(yīng)腔,以降低其余...
      • 本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控濺射爐內(nèi)原位磁場(chǎng)熱處理夾具及磁場(chǎng)熱處理方法,包括控制機(jī)構(gòu)、磁體發(fā)生裝置和立方樣品臺(tái),控制機(jī)構(gòu)上連接有磁體發(fā)生裝置,磁體發(fā)生裝置包括擋板,擋板的頂部設(shè)有兩組限位框,限位框的內(nèi)部設(shè)有磁體,限位框的一側(cè)皆設(shè)有第一合頁(yè),第一合頁(yè)...
      • 本發(fā)明提供了一種卷繞式處理設(shè)備,該設(shè)備包括放卷裝置、收卷裝置、處理裝置和導(dǎo)向裝置;放卷裝置設(shè)有待處理的基材,放卷裝置用于對(duì)基材進(jìn)行放卷,基材經(jīng)過(guò)導(dǎo)向裝置至收卷裝置,導(dǎo)向裝置用于調(diào)整基材的運(yùn)動(dòng)方向;處理裝置與第一段部的基材對(duì)應(yīng)設(shè)置,導(dǎo)向裝置與...
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