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      五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
      • 本實(shí)用新型提供一種用于cvd氣相沉積反應(yīng)爐取放樣桿,包括取放主桿以及取放副桿,取放主桿旁邊設(shè)置有取放副桿,取放主桿和取放副桿上端均設(shè)置有用于對(duì)外界碳纖維布進(jìn)行支撐的樣品放置組件,取放主桿和取放副桿上端面后側(cè)設(shè)置有支撐組件,本實(shí)用通過在取放主...
      • 公開了一種沉積含金屬的材料的方法。所述方法可包括循環(huán)沉積技術(shù)的使用,如循環(huán)化學(xué)氣相沉積和原子層沉積。含金屬的材料可包括金屬間化合物。還公開了一種包括所述含金屬的材料的結(jié)構(gòu)和一種用于形成所述材料的系統(tǒng)。
      • 本發(fā)明公開一種低成本熱基鋅鋁鎂S350GD+ZM帶鋼的制作方法。采用CSP工藝生產(chǎn)熱軋基板,按厚度分段控制:1.8?3.5mm免Nb,3.5?6.0mm加0.01?0.025%Nb;軋制溫度控制為終軋860?890℃、卷取550?580℃,...
      • 本發(fā)明涉及一種熱鍍鋅機(jī)組不停爐更換爐鼻子頭的操作方法,利用翻板閥密封,利用夾置器夾置固定切斷后的帶鋼頭部,利用起吊工具起吊原有的爐鼻子頭更換新的爐鼻子頭,固定的帶鋼頭部安裝鐵鏈,利用鐵鏈引導(dǎo)帶鋼從新的爐鼻子頭內(nèi)穿出,完成穿帶作業(yè),本發(fā)明的有...
      • 本發(fā)明提供的一種板材邊部鍍層厚度控制裝置及方法,控制裝置包括支撐件、至少兩個(gè)加熱組件以及測(cè)溫組件,支撐件上成型有適于板材穿過的通槽;兩個(gè)加熱組件均與所述支撐件連接,且兩個(gè)所述加熱組件分設(shè)在所述板材兩側(cè);測(cè)溫組件與所述支撐件連接,所述測(cè)溫組件...
      • 本發(fā)明公開了一種航空基片材料復(fù)合涂層薄膜制備設(shè)備,主要包括底架、滑動(dòng)基座和薄膜管組件。底架固定安裝主滑軌和帶驅(qū)動(dòng)齒條的齒條桿,滑動(dòng)基座裝配有主動(dòng)齒輪與從動(dòng)齒輪聯(lián)動(dòng)系統(tǒng)。當(dāng)滑動(dòng)基座移動(dòng)時(shí),主動(dòng)齒輪與驅(qū)動(dòng)齒條嚙合帶動(dòng)從動(dòng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng),通過棘爪齒條驅(qū)...
      • 本發(fā)明提供一種獨(dú)立式連續(xù)工藝系統(tǒng),用于對(duì)待工藝物件進(jìn)行電漿處理,該系統(tǒng)依序設(shè)置有預(yù)處理機(jī)臺(tái)、第一獨(dú)立工藝機(jī)臺(tái)及終端獨(dú)立工藝機(jī)臺(tái)。第一獨(dú)立工藝機(jī)臺(tái)具有工藝腔體及兩個(gè)閥門,兩個(gè)閥門分別設(shè)于工藝腔體的兩側(cè),工藝腔體依序設(shè)置有相互連通的第一真空抽氣...
      • 本發(fā)明屬于過渡族金屬有機(jī)物合成技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種第VIB族金屬前驅(qū)體的合成方法,所述方法包括:使用金屬原料MO2X2和含[R1N=C]結(jié)構(gòu)的化合物反應(yīng)制備中間體(R
      • 本發(fā)明涉及一種用于海洋大氣環(huán)境的微弧氧化復(fù)合涂層及其制備方法,屬于金屬材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域。制備方法包括處理基材,所述基材為鎂合金;將處理后的基材置于電解液中進(jìn)行微弧氧化處理;最后在微弧氧化處理后的基材上進(jìn)行磁控濺射;基材上制得復(fù)合涂層,依...
      • 本發(fā)明公開了一種適用于脈沖激光沉積系統(tǒng)的激光入射窗口防污染方法,屬于脈沖激光沉積技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過延長激光入射窗口與靶材的距離至800?1200 mm,采用匹配的長焦距聚焦透鏡保持激光聚焦能力,并通過金屬延長管密封連接真空腔體。延長管內(nèi)表...
      • 本實(shí)用新型涉及PECVD鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種改善舟片碎耳的隔塊,包括雙頭螺桿,所述雙頭螺桿兩側(cè)固定安裝有固定螺母,所述雙頭螺桿外側(cè)活動(dòng)安裝有分隔筒,所述雙頭螺桿外側(cè)設(shè)置有片體機(jī)構(gòu),所述片體機(jī)構(gòu)包括第一舟片和第二舟片,所述第一舟片前后兩端...
      • 本發(fā)明公開了一種噴淋裝置及薄膜沉積設(shè)備,包括:本體,所述本體上設(shè)有噴淋面,所述噴淋面上劃分有多個(gè)噴淋區(qū)域,每個(gè)所述噴淋區(qū)域上分布有多個(gè)噴嘴;控制模塊,包括第一控制單元,所述第一控制單元用于對(duì)每個(gè)所述噴淋區(qū)域上的所述噴淋面的局部相對(duì)高度進(jìn)行獨(dú)...
      • 一種金屬涂層等離子噴涂設(shè)備,具體涉及等離子噴涂技術(shù)領(lǐng)域,包括工作臺(tái)、放置盤、瓶體,所述放置盤旋轉(zhuǎn)安裝在工作臺(tái)的頂部,所述工作臺(tái)的頂部一側(cè)固定連接有支架,且支架的頂部固定安裝有電動(dòng)推桿,方案包括采用壓桿與活塞的負(fù)壓吸附機(jī)構(gòu)替代傳統(tǒng)撐結(jié)構(gòu),配合...
      • 本發(fā)明涉及芯片加工技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種高精度智能芯片膜的物理氣相沉積裝置,通過清洗機(jī)構(gòu)和烘干組件的設(shè)置,在清洗芯片時(shí),能夠?qū)⒍鄠€(gè)芯片分別放置到若干載物框內(nèi),并在提升桿的驅(qū)動(dòng)下進(jìn)入到清洗桶中,同時(shí)清洗多個(gè)芯片,從而提高了芯片的加工效率,且在清...
      • 本發(fā)明公開了一種控制脈沖直流物理氣相沉積(PVD)形成的材料層中應(yīng)力變化的方法及設(shè)備。該方法包以下步驟:設(shè)置一腔室,其包括形成材料層的靶和在其上能夠形成材料層的襯底;以及向腔室內(nèi)引入氣體。該方法還包括在腔室內(nèi)生成等離子體并且將第一磁場(chǎng)施加到...
      • 本發(fā)明提供了一種MPCVD裝置及其應(yīng)用,涉及微波等離子體的技術(shù)領(lǐng)域,包括同軸線、放大同軸線、第一漸變阻抗匹配器、第二漸變阻抗匹配器、等離子體反應(yīng)室、基臺(tái),以及懸放于內(nèi)部的同軸內(nèi)導(dǎo)體;放大同軸線使同軸線中的TEM模式轉(zhuǎn)換到放大同軸線中形成穩(wěn)定...
      • 本實(shí)用新型涉及真空處理技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種裝載裝置及真空處理設(shè)備,該裝載裝置包括支撐架、裝載組件、連動(dòng)組件和傳動(dòng)機(jī)構(gòu);裝載組件設(shè)置有若干個(gè),若干個(gè)裝載組件相互平行且沿第一方向傾斜間隔設(shè)置,任意相鄰兩個(gè)裝載組件之間通過連動(dòng)組件連動(dòng)連接;傳...
      • 本發(fā)明公開了一種超聲波原位輔助激光熔覆裝置及使用方法,包括激光頭和電子計(jì)算機(jī),電子計(jì)算機(jī)控制有激光熔覆制造模塊和超聲波模塊。本發(fā)明通過同軸夾具剛性連接激光頭、超聲振動(dòng)裝置及送絲噴口,實(shí)現(xiàn)送粉/填絲熔覆模式的無縫切換,解決了現(xiàn)有技術(shù)中鎢絲獨(dú)立...
      • 本實(shí)用新型公開了一種真空鍍膜機(jī)的柱弧靶裝置,包括接電機(jī)構(gòu)、磁芯機(jī)構(gòu)和第一電機(jī),接電機(jī)構(gòu)包括上接電組件和下接電組件,上接電組件和下接電組件交替向管靶供電;磁芯機(jī)構(gòu)包括靶芯組件、磁鐵組件,靶芯組件的外圓面具有第一安裝槽、第二安裝槽,磁鐵組件包括...
      • 本發(fā)明屬于材料鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種用于提高等離子體涂層中靶材的使用效率的設(shè)備,包括:涂層爐,作為設(shè)備整體的支撐結(jié)構(gòu):陰極體,與所述涂層爐相連;冷卻結(jié)構(gòu),連接于所述涂層爐;放置箱,固定于所述涂層爐;銅板,連接于所述放置箱;靶材,通過所述銅...
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