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								      本發明提供一種制備SiC涂層的PVT裝置及制備方法。所述制備SiC涂層的PVT裝置包括具有PVT腔室的外殼、安裝于所述外殼底板上的固定底托、通過旋轉軸轉動設于所述PVT腔室上端的旋轉料臺、及豎向設于所述PVT腔室內的石墨電極，所述固定底托伸...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種涉及膜層技術領域，特別涉及仿鈦膜層及其制備方法和復合結構。所述仿鈦膜層包括層疊的內打底層和裝飾外層；所述內打底層用于與待加工基體連接，所述內打底層的材料包括過渡金屬元素；所述裝飾外層的材料包括鎢元素和碳元素，且所述鎢元素與碳元...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種物理氣相沉積輔助裝置及其使用方法，涉及半導體工藝技術領域，其技術要點為：包括機體、真空泵、電子生成系統、反應氣體倉和清潔氣體倉基礎部件，以及靶材清潔模塊、氣體分布優化系統和多軸旋轉工件臺三大功能模塊；靶材清潔模塊采用同軸嵌套...
								
        
							
        
							
						
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								      一種鐵硼共摻雜氧化鋅透明導電薄膜及其制備方法和應用。本發明屬于太陽能電池透明導電薄膜領域。本發明的目的在于提供一種高透光率，高導電性，寬帶隙的共摻雜氧化鋅薄膜。方法：先以Fe2O3粉末、B
							
        
							
						
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								      本發明涉及靶材技術領域，具體涉及一種離子注入摻雜IGZO薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟：(1)通過高溫固相反應法制備IGZO靶材；(2)利用磁控濺射技術在氬氣氣氛下制備IGZO薄膜；(3)采用離子注入技術，利用錫離子和鎵離子對薄膜進...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種耐高溫氧化MCrAlY涂層的制備方法，涉及熱障涂層技術領域；該制備方法包括以下步驟向MCrAlY粉末中按1％～50％的比例添加摻雜粉末形成摻雜粉，將摻雜粉置入球磨機進行5～24h的濕磨或干磨，進行混粉，使MCrAlY粉末與摻...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種超耐磨光學復合膜層及制備方法，光學復合膜層包括：依次疊設于基底的第一表面上的保護膜層和AF膜層；所述保護膜層包括第一非晶碳膜層，所述保護膜層具有用于提高所述第一非晶碳膜層硬度和耐磨度的第一膜層結構。本發明克服了傳統采用AR膜...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種分氣裝置及薄膜沉積設備，分氣裝置安裝在薄膜沉積設備反應腔室的底部，分氣裝置包括主體，主體設有進氣通道和與進氣通道連通的第一出氣孔，進氣通道由主體下表面貫通至上表面，第一出氣孔設于主體的側壁且開口朝向反應腔室的底部；其中，吹掃氣...
								
        
							
        
							
						
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								      一種用于橋索鋼絲的熱浸鍍液，其化學成分組成及wt%為：Al：5~20%，RE：0.05~1.0%，Si：0.05~3.0%；制備方法：將鋅錠、鋁塊預熱；預熱熔煉爐；將鋅錠放入并加熱融化；分三批次加入鋁塊；加入RE及硅；將熱浸鍍液溫度自然冷卻...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型屬于光伏焊帶加工技術領域，尤其為一種不停機清理錫灰風刀開門裝置，包括風刀座本體，所述風刀座本體的內部開設有高壓氮氣出氣口，所述風刀座本體的內部開設有內腔，所述風刀座本體的內部開設有兩個氣體通道，所述風刀座本體的頂端固定連接有兩個噴...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開一種鈣鈦礦氣態分子真空噴繪沉積成膜設備，包括真空腔，配合門板形成密閉空間，真空腔內設置三坐標運動控制裝置和基底承載臺，三坐標運動控制裝置置于真空腔底部，三坐標運動控制裝置上設置至少一噴繪裝置，底承載臺置于噴繪裝置上方，噴繪裝置通過...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種基于模板印刷的預圖案化材料激光誘導轉移方法，將模板印刷和激光誘導轉移相結合，包括：步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料；步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶，與受體板形成可調節間隙；步驟3、調整Z軸位移平臺...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種MOCVD反應腔室壓力控制方法及裝置，屬于半導體氣相沉積技術領域，本發明的MOCVD反應腔室壓力控制方法，通過實時采集對MOCVD反應時反應腔室外的運行參數，并與更新后的對照表進行對比，可以避免這些間接參數存在的延時性影響，可...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于電子元器件的技術領域，公開了一種含鉿前驅體在薄膜沉積技術中的應用、含鉿薄膜及其形成方法和應用。本發明提供了含鉿前驅體在薄膜沉積技術中的應用，該所述含鉿前驅體包括式(1)所示的化合物，通過環戊烯基以及二烷基膦基在結構中的引入，賦予其...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種高親水性的DLC膜的制備方法，包括：制備原始DLC膜；在真空環境下，將氮氣或者氧氣注入所述原始DLC膜的表面，并維持第一預設時間，獲得第一DLC膜；在水蒸氣環境下，保持預設溫度和預設相對濕度，將所述第一DLC膜放置第二預設時...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了控制生產熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設備及方法，移動載具通過第一導軌滑動連接在主支架上，框架固定在移動載具上，在框架上設有第二導軌；風箱結構分為的左側風箱結構和右側風箱結構，風箱結構通過第二導軌滑動連接在框架上，在左、右風箱結構之間...
								
        
							
        
							
						
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								      本公開提供了一種刮刀裝置及真空鍍膜系統；刮刀裝置用于真空鍍膜，包括：操作平臺，操作平臺配置為裝配集流體薄膜；刮輪，刮輪設于操作平臺，刮輪配置為刮除集流體薄膜超出預設高度的部分；其中，刮輪朝向操作平臺的一面為第一面，第一面為曲面，所述第一面為...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供一種用于多MOCVD反應室的同步控制方法及裝置，在串聯式MOCVD反應室中，通過在當前反應室已完成其對應的外延層生長的工序，但負責下一工序的反應室尚未結束時，基于當前反應室的生長溫度及下一反應室的生長溫度，利用托盤徑向上的溫度差異...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及鍍鋅技術領域，且公開了連通式管狀件熱鍍鋅裝置及其工作方法，包括鍋體、精置箱、活動軌道、活動夾持裝置、母鋅鍋、子鋅鍋、伸縮氣缸裝置和連接槽，母鋅鍋的兩側內壁交錯開設有安裝槽，在母鋅鍋的內部對應安裝槽位置設置有約束板，在約束板的兩側交...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種基于磁控濺射的異型腔體內壁鍍膜裝置，包括工作臺、真空腔體、第一磁體線圈、第二磁體線圈、第一支架、第二支架和濺射靶體，通過真空腔體提供鍍膜所需的高真空環境，真空腔體內部設有異型腔體支撐結構，確保異型腔體在鍍膜過程中保持穩定，通...
								
        
							
        
							
						
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