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      五金工具產品及配附件制造技術
      • 本發明公開了一種鎳基高溫合金表面制備Al2O3/Ni(Al,Si)/Al2O3復合涂層的方法。該發明包括:一、對鎳基高溫合金表面除油清洗、助鍍;二、在氬...
      • 本發明提供了一種熱鍍鋅表面質量優化處理裝置,涉及鍍鋅加工技術領域,包括:主支架,所述主支架的頂部配合導軌滑動設置有能夠前后移動的縱向滑座;縱向滑座的伸縮端固定設置有橫連接座,橫連接座的頂部兩側配合導軌滑動設置有兩組能夠左右移動的橫移吊座;橫...
      • 本發明為一種不銹鋼表面導電耐腐蝕NiCrAlY/Al2O3/TiNbN復合涂層及其制備方法。該復合涂層為三層結構:NiCrAlY粘結底層、Al2O3中間...
      • 本發明公開了一種提高Zr?B?N/ZrO2多層復合涂層硬度、韌性與耐磨性的熱處理工藝,屬于涂層技術領域。該工藝采用真空管式爐對高功率脈沖磁控濺射與脈沖直流磁控濺射復合技術沉積的Zr?B?N/ZrO2
      • 本發明公開了一種具有高硬度、高韌性和優異耐磨性的Zr?B?N/ZrO2多層復合涂層及其制備方法,屬于涂層技術領域。該納米多層復合涂層是由Zr?B?N調制層和ZrO2調制層交替疊加而成;涂層硬度大于...
      • 本實用新型涉及應用天然冷水,例如普通自來水技術領域,且公開了一種鋼管熱鍍鋅生產中水槽傳送裝置,包括冷卻水槽,所述冷卻水槽的左側固定連接有第一減速電機組件,冷卻水槽的右側固定連接有第二減速電機組件,冷卻水槽的內部設置有入水機構和出水機構,入水...
      • 本發明公開了一種鍍膜生產線,能夠實現PECVD鍍膜設備與HWCVD鍍膜設備的連線,提高產能,降低成本。鍍膜生產線,包括:臥式HWCVD設備,包括第一腔體、熱絲模塊以及第一水平運輸機構,第一腔體設有第一鍍膜腔,且第一腔體的前側部設有第一進口,...
      • 本發明公開了一種可以實現有機物線性蒸發的裝置,包括金屬圍罩,所述金屬圍罩內部設有油浴加熱區,所述油浴加熱區內部設有多對進油口和出油口以及兩個隔絕層,每對所述進油口和出油口端部均連接有輸油泵口,所述油浴加熱區內部設有蒸發區,所述蒸發區內部通過...
      • 本實用新型公開了一種金銀線用真空鍍錫裝置,包括設置于真空鍍錫爐內部的蓄液筒、線材和一上一下平行設置的固定板,所述固定板均設置于蓄液筒的內部,固定板之間安裝有豎板,固定板上均設有多個凹槽,凹槽的一側面上均設有多個定位槽,線材的兩端均延伸至定位...
      • 一種濺射方法,包括:提供基板;提供目標靶材;按照目標比例通入多種惰性氣體的混合氣體作為工作氣體,其中,目標比例下混合氣體的平均分子量與目標靶材的分子量之差小于預設值;采用工作氣體轟擊目標靶材進行濺射,在基板上形成目標膜層。本發明有利于提高目...
      • 等離子體處理方法包括以下工序:工序(a),使用在腔室內從包含含碳氣體的第一處理氣體生成的第一等離子體,來在腔室的內壁以及在腔室內用于支承第一基板的基板支承面形成第一膜;工序(b),在形成有第一膜的基板支承面上載置第一基板;以及工序(c),在...
      • 本發明公開了一種具備廢料收集結構的自動化鋼絲鍍鋅設備,涉及鋼絲鍍鋅技術領域,該設備包括鍍鋅池,所述鍍鋅池的內部對稱轉動連接有兩組限位輥,所述鍍鋅池的一端安裝有支撐箱,所述支撐箱的一側固定連接有排料箱,所述排料箱與鍍鋅池固定連接,所述鍍鋅池上...
      • 本申請提供了一種基于MPCVD工藝的氧化鎵薄膜及其制備方法,屬于半導體領域。該方法包括采用MPCVD工藝,往反應腔內通入鎵源、氧源、生長氣體,在反應腔內外延得到氧化鎵薄膜。通過調節工藝參數得到工藝參數配方,從而使MPCVD工藝可以應用于氧化...
      • 一種高溫耐磨涂層刀具及其制備方法,包括:基體和涂覆于基體上的高溫耐磨涂層,其由內向外依次包含:Nb粘結層;ε?NbN過渡層;Nb2N/NbNx功能層,其包含交替沉積的Nb2N...
      • 本發明提供了一種形成組分漸變薄膜的釕鈷合金靶材濺射方法,包括以下步驟:將釕鈷成分比例不同的兩種長條狀靶材依次交替拼接形成釕鈷合金平面濺射靶材;沿所述釕鈷合金平面濺射靶材的寬度方向布置移動磁鐵組,且所述移動磁鐵組至少允許沿所述寬度方向移動;控...
      • 本發明描述氟化釔組合物,包括含有氟化釔的沉積膜,例如涂層;制備氟化釔組合物和含有氟化釔的沉積膜涂層的方法;以及具有在表面處含有氟化釔的沉積膜涂層的襯底和包括所述襯底的方法和設備。
      • 本發明提供了一種基于PLC的氣相沉積爐控制方法、系統及可讀存儲介質,屬于氣相沉積領域;解決了現有氣相沉積技術存在多變量控制精度不足、故障診斷滯后、工藝運行繁瑣等技術問題;為解決該技術問題采用的技術方案是:一種基于PLC的氣相沉積爐控制系統,...
      • 本發明屬于光學元器件技術領域,尤其是一種低應力高反射率的光學復合薄膜及其制備方法和應用。本發明包括如下步驟:S1、分別稱取SiO蒸發料和Ge蒸發料放入蒸發臺內,并抽真空;S2、依次在硅片上沉積
      • 本發明公開了一種柔性鋯酸鋇光電薄膜及其制備方法和應用。該柔性鋯酸鋇光電薄膜的制備方法,包括以下步驟:在襯底上制備水溶性鋁酸鍶犧牲層;采用溶膠凝膠法或射頻磁控濺射法在所述水溶性鋁酸鍶犧牲層上沉積鋯酸鋇,得到生長在犧牲層上的鋯酸鋇薄膜;將生長在...
      • 本發明屬于真空鍍膜技術領域,公開了一種梯度氮化層輔助的工程鋼表面超低摩擦碳薄膜制備方法。該方法通過多步驟協同工藝實現:首先將工程鋼置于真空室內,抽真空至預定值;依次利用電弧技術沉積金屬過渡層與氮化物承載層;隨后通過磁控濺射制備氮化硅粘結層;...
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