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								      本申請公開了一種具有氮化物和氧化物的涂層及制備方法和應用，涂層包括依次沉積所獲得的TiAlN層、CrAlO層和CrAlON層。制備方法包括如下流程：S1，清洗基體；S2，在鍍膜腔室中對基體表面進行原位刻蝕；S3，在基體表面利用陰極弧蒸發沉積...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種堿金屬薄膜、制備方法、應用及裝置。堿金屬薄膜的制備方法，包括以下步驟：采用硅片制備獲得Si?7×7襯底；在真空條件下，給鎘源除氣，然后加熱使鎘原子蒸鍍到Si?7×7襯底的表面，獲得Cd薄膜；在真空條件下，給對三聯苯分子除氣，然...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種利用PS?PVD對熱障涂層進行表面前處理方法和熱障涂層的制備方法，涉及熱障涂層技術領域。本發明將將待處理基體預熱至300~800℃，能夠避免高溫條件下O2與葉片表面優先發生反應生成預氧化層；在PS?PV...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提供了一種半導體設備的加熱控制方法及控制系統，本發明的加熱控制方法中，通過步驟Si得到第一加熱區和第二加熱區各自的第i最佳升溫功率以進行第i升溫過程，并且步驟S(i+n)根據目標溫度相關參數，步驟Si中的預測溫度相關參數，以及第一加熱...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及氣相包覆回轉窯技術領域，本申請公開了一種硅碳氣相沉積用氣相包覆回轉窯，包括回轉窖主體，所述回轉窖主體外側等距套設有若干個定位支撐組件，用于支撐回轉窖主體，本發明通過進料端的導料板和分散撥板，可以對充入回轉窖主體內部多孔碳顆粒和硅烷...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開一種惠斯通電橋膜片及其制備方法、壓力傳感器，涉及惠斯通電橋膜片技術領域，其包括底座和鋼薄片，鋼薄片表面設置納米薄膜槽，在納米薄膜槽表面設置納米薄膜層。惠斯通電橋膜片的制備方法：S1.預處理：在不銹鋼薄片上加工出納米薄膜槽，納米薄膜...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明提出了一種臥式鍍膜生產線，包括托盤和循環輸送組件、第一升降組件、進片室、鍍膜室、出片室和第二升降組件；托盤包括安裝板和托板，托板轉動安裝于安裝板底部；第一升降組件從低到高設有收發位、進入位和回傳位；進片室包括第一機架，第一機架上設有入...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型提出一種環狀產品氮化防傾倒工裝，包括立柱、防護桿和底盤，立柱底部與底盤中心固定連接，立柱和底盤共同確定出可供使用的氮化熱處理空間；防護桿有多個，每個防護桿的底部與底盤連接，并相對底盤中心均勻分布，通過防護桿以限定環狀產品的碼放高度...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明屬于生物醫用材料領域，公開了一種磷酸鋅/羥基磷灰石復合涂層制備方法，包括如下步驟：鈦合金表面預處理；將預處理好的樣品放入轉化液中電偶誘導化學轉化；在轉化涂層（過渡層磷酸鋅）表面噴涂羥基磷灰石；本發明以磷酸鋅為過渡層噴涂羥基磷灰石，能夠...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及鍍膜設備技術領域，具體涉及一種濺射鍍膜真空室用防護裝置，包括真空室腔體，所述真空室腔體的一側固設有保護罩，所述保護罩與真空室腔體之間設有透光玻璃，所述透光玻璃嵌設在所述保護罩的內部，所述保護罩遠離所述真空室腔體的一側設有通孔，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種利用共滲控制系統提高金屬滲鋅效果的方法，涉及金屬多元合金共滲防腐技術領域，滲鋅開始前，將工件尺寸、材質、滲層深度(按客戶要求的滲層深度，也可通過客戶要求的中性鹽霧時間折算)、鋅粉參數、助滲劑、滲灌轉速等參數按實際值輸入工控機...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及納米薄膜的技術領域，具體公開了一種稀貴金屬合金納米薄膜的原子層沉積制備方法。其包括以下步驟：S1、沉積第一層稀貴金屬納米薄膜：采用原子層沉積(ALD)技術，將稀貴金屬反應源加熱后通過載氣脈沖引入反應腔室，再將共反應劑引入反應腔室，...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及一種高硬度模具鋼洗銑刀具用涂層及其制備，屬于銑刀涂層技術領域。本發明提供一種高硬度模具鋼洗銑刀具用涂層的制備方法，其步驟包括，將銑刀超聲清洗清洗后，去離子水漂洗并干燥，預熱，得到處理后的基材，接著采用多弧離子鍍對處理后的基材進行底...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種多功能寬密度等離子體放電方法，涉及等離子體技術領域，包括步驟：S1、系統設計與構建；S2、等離子體放電模式切換；S3、等離子體輔助化學氣相沉積；S4、等離子體輔助原子層沉積；S5、系統性能優化與驗證。該多功能寬密度等離子體放...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明公開了一種氧化物固態電解質薄膜的磁控濺射制備工藝，涉及電解質制備領域，包括以下步驟：襯底預處理、動態溫度控制濺射、梯度多層結構沉積、原位退火處理與后處理。本發明通過多步驟優化提升氧化物固態電解質薄膜性能：襯底預處理提升清潔度與結合強度...
								
        
							
        
							
						
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								      本申請提供了一種陶瓷基低頻吸波涂層及其制備方法和應用，其中，陶瓷基低頻吸波涂層的制備方法包括：對金屬基底進行倒角、去油、噴砂處理后，采用等離子噴涂工藝在所述金屬基底上制備粘結層；采用等離子噴涂工藝在所述粘結層上制備陶瓷層，再將鋁膜膠帶貼在所...
								
        
							
        
							
						
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								      本發明涉及氧化硅高阻隔膜真空鍍膜技術領域，具體公開了一種氧化硅高阻隔膜用真空鍍膜設備，包括基座，所述基座的頂部固定安裝有真空鍍膜箱，所述真空鍍膜箱的頂部固定安裝有加熱裝置，本發明通過疏導機構與定位機構的聯動設計，實現了氣流調控與動力傳導的協...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型公開了一種熱鍍鋅帶鋼邊部粘渣處理裝置，涉及熱鍍鋅氣刀系統技術領域，包括：氣刀邊部擋板和粘渣處理裝置，氣刀邊部擋板設置有陶瓷輪，陶瓷輪用于與帶鋼接觸并保證帶鋼與氣刀邊部擋板的標定距離，陶瓷輪的下方設置有粘渣處理裝置安裝工位；粘渣處理...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及微納米粉末表面沉積包覆設備領域，提供了一種微納米粉末表面沉積包覆回轉窯爐，包括爐體及爐體回轉管和多孔分散板及擋板組成的隔倉、工作氣體系統和加料裝置，工作氣體系統包括若干流化包覆材料或氣態包覆前驅體材料進氣管、比例閥組，比例閥組...
								
        
							
        
							
						
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								      本實用新型涉及微波等離子體技術領域，具體而言，涉及一種樣品臺組件及MPCVD裝置，所述樣品臺組件包括底座和鉬臺，還包括銅板，所述鉬臺套設在銅板上，所述銅板套設在底座上，所述銅板設置有凹槽，所述凹槽與底座形成通道，所述底座設置有冷卻介質入口和...
								
        
							
        
							
						
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